電子發(fā)燒友網報告（文/張迎輝） 2026年存儲市場依舊處于繼續(xù)缺貨的狀態(tài)。在近期舉辦的華邦電子開年媒體溝通會上，華邦電子產品總監(jiān)朱迪總針對當前利基型DRAM市場走勢、先進制程布局以及邊緣AI應用落地等核心議題進行了詳細解讀。電子發(fā)燒友網等行業(yè)媒體分析師一起參與了線上的溝通會。以下是本次溝通會的觀點梳理。

朱迪，華邦電子產品總監(jiān)

作為“利基型存儲市場”的頭部廠商，華邦電子目前正通過技術迭代與產能結構調整，應對AI浪潮帶來的供應鏈重構。朱迪指出，當前中小容量嵌入式市場（DDR3/4, LPDDR4）依然處于緊張態(tài)勢，相比2025年未見緩解。供需預測：缺貨常態(tài)化，預測兩年后才能迎新平衡。

朱迪總指出，缺貨根源在于 AI算力需求導致存儲資源被虹吸。云端與邊緣側需求持續(xù)增長，而產能擴充受限于潔凈室建設、機臺交付等長周期因素。對于市場平衡的回歸預期，朱迪認為預計2年后市場將達到新的供需平衡。但他也強調，這種“正軌”并非回到過去產能過剩、價格戰(zhàn)頻發(fā)的虧損狀態(tài)，而是進入一個更健康、更注重性能（Performance）而非單純性價比的新常態(tài)。

華邦的技術破局：16nm制程與TCO優(yōu)勢

面對物理產能擴充的滯后，華邦采取了“向內挖掘”的策略，即通過制程微縮提升晶圓產出。首先是華邦的16nm平臺的落地。華邦最新推出的16nm 8Gb DDR4是其技術突破的重點。相比傳統(tǒng)的25nm/20nm制程，16nm進入“1字頭”節(jié)點，顯著提升了單片晶圓的裸晶（Die）產出率。對內的產能調配策略是高雄廠將資源向16nm傾斜，逐步減少舊制程投片，以此在市場整體產能擴張速度有限的情況下，緩解供應短缺。

同時朱迪也指出，DDR4的長生命周期出人意料。盡管DDR5成本下探，朱迪認為DDR4在特定領域仍具統(tǒng)治力。具體原因包括在容量門檻上，DDR5目前無32Gb（4GB）以下的小容量選項。在系統(tǒng)成本（TCO）方面，許多存量SoC不支持DDR5，強行轉DDR5需增加PHY成本及重新流片，技術上的困難超過想像。因此，在4GB以下應用中，成熟生態(tài)的DDR4仍是高性價比首選。

邊緣AI與汽車：CUBE與高容量NOR的機遇

華邦推出CUBE（Customized Ultra-Bandwidth Elements，定制化超高帶寬元件）產品系列，應對邊緣側需求的“小HBM”。針對邊緣AI推理對高帶寬的需求，華邦將CUBE產品定義為邊緣側的“小HBM”。在技術邏輯上，CUBE產品將會采用3D堆疊技術，通過高I/O數量在低頻率下實現高帶寬，解決“內存墻”問題并降低功耗。

CUBE產品的落地應用包括移動、邊緣及嵌入式場景運行的AI SoC。朱迪介紹，目前16nm CUBE定制化方案正在推進中；預計2027年Q1 8Gb LPDDR4等產品將進入量產爬坡期。

朱迪特別指出，AI服務器的爆發(fā)不僅拉動DRAM，更大幅推高了NOR Flash的需求與價值。
用量上需求激增，單臺AI服務器不僅CPU需NOR Flash做BIOS，BMC管理芯片、AI加速卡、智能網卡及光模塊均需搭載NOR Flash。有媒體稱，單臺AI服務器上的NOR Flash價值量已超600美元。AI 服務器端NOR Flash容量起步即512Mb，同時向1Gb、2Gb邁進。這都是AI帶來的新的增量市場。

在汽車領域，華邦避開高算力中央平臺（主要由DDR5/LPDDR5主導），聚焦于感知層（雷達、攝像頭）和域控制器。隨著GB39901—2025（AEB強制標準）的推進，中低端車型輔助駕駛滲透率提升，帶動了對4Gb/8Gb LPDDR4及NAND Flash的需求。

競爭格局：與國內廠商錯位競爭

針對國內存儲企業(yè)的快速追趕，朱迪表示華邦與國內主要廠商目前處于不同賽道。一是在市場上作區(qū)隔：國內頭部廠商主要填補服務器、手機所需的HBM、LPDDR5等高容量缺口；華邦則深耕中小容量利基市場。其次是華邦的IDM優(yōu)勢。華邦擁有2 座自有晶圓廠（臺中廠、高雄廠），在交付確定性上具有優(yōu)勢，這在車規(guī)級市場尤為重要。

寫在最后

總結來看，2026年華邦電子將利用16nm制程紅利填補DDR4市場供給缺口；借力AI服務器需求爆發(fā)機遇，鞏固在NOR Flash領域的領導地位，并通過CUBE解決方案，持續(xù)滿足邊緣AI的高帶寬、低功耗需求。（全文完）