近年來，旗艦手機為追求高畫質(zhì)不斷堆砌大底傳感器和多攝模組，導致機身厚度激增（如小米15 Ultra因長焦模組妥協(xié)厚度），同時，其由算法主導的計算攝影雖提升了便捷性，但過度修飾引發(fā)用戶對“真實光學質(zhì)感”的懷念。用戶對“輕薄手感”與“專業(yè)影像”的雙重需求催生了新解決方案——通過磁吸長焦增距鏡實現(xiàn)硬件擴展，避免機身過度臃腫。長焦增距鏡提供純物理光學增強，滿足專業(yè)用戶對光影真實性的追求。

下圖是艾為電子推出的長焦增距鏡解決方案：

圖1長焦增距鏡應(yīng)用框圖

外置鏡頭一般鏡頭重，防抖/對焦行程遠，需要用到馬達驅(qū)動芯片，艾為自2020年推出VCM馬達驅(qū)動IC以來，OIS/AF控制方案便備受贊譽，成為眾多海內(nèi)外主流廠商VCM馬達控制的優(yōu)選方案。

艾為電子推出高精度、三通道驅(qū)動AW86068CSR來滿足長焦增距鏡防抖/對焦控制應(yīng)用：

64KByte Flash Memory

32KByte SRAM 提供SDK，支持客戶二次開發(fā)，也支持Awinic控制方案集成

12.5MHz I3C 高速通信接口

3x16bit 高精度ADC

VM=1.5V to 3.6V 支持動態(tài)調(diào)壓

WLCSP3.555mmx1.255mmx0.3mm-27B

圖2AW86068CSR典型應(yīng)用原理圖

在長焦增距鏡解決方案中，往往存在大行程的AF軸，可以適配我司長行程，高壓版本的閉環(huán)控制芯片AW86026HCSR：

1.7V to 5.25V 動態(tài)調(diào)壓

集成Awinic 2rd+ 高性能閉環(huán)控制算法，具備電子阻尼，SmartHolding等特性

集成高精度hall sensor

默認 ±300mA 驅(qū)動電流

16bit 高精度ADC

WLCSP1.5mmx0.86mmx0.265mm-6B

圖3AW86026HCSR典型應(yīng)用原理圖

在 Camera ZOOM 應(yīng)用中，AWD86307DNR 直流馬達芯片用于驅(qū)動變焦直流電機，通過 PWM 與電流控制實現(xiàn)平滑啟停、快速響應(yīng)和低噪聲變焦；

AW86426FBR 步進馬達芯片用于驅(qū)動變焦或?qū)?a href="http://m.makelele.cn/tags/步進電機/" target="_blank">步進電機，支持細分控制與精準定位，保證鏡頭位置穩(wěn)定、重復精度高。

AW86307DNR特性：

VDD電壓范圍：0V - 12V

VCC電壓范圍：1.8V~5.5V

RDSON HS + LS：950mΩ

最大電流輸出：1.1A

最大值睡眠電流：120nA

獨立控制的nSLEEP腳

短路保護

過溫保護

欠壓鎖定保護

封裝DFN 2mm*2mm*0.75mm-8L

圖4AW86307DNR典型應(yīng)用原理圖

AW86426FBR特性：

工作電壓： DC3.0V~DC12V

最大驅(qū)動電流：1.1A；

超小封裝：FCBGA 2.4mm X2mm X0.59mm-30B package

Rdson HS+LS：典型值0.95Ω；

最高支持1/32微步；

支持的衰減模式：

自適應(yīng)衰減模式

混合衰減

慢衰減

快衰減

可編程的過流關(guān)斷時間：

10μS off-time

20μS off-time

30μS off-time

可編程的電機扭矩

短路保護、過溫保護和低壓保護

故障狀況指示

圖5 AW86426FBR典型應(yīng)用原理圖

同時，為了匹配我司的動態(tài)調(diào)壓方案，可以采用我司專門為VCM動態(tài)調(diào)壓推出的AWP37702CSR:

輸入電壓范圍：2.2V ~ 5.5V

輸出電壓范圍：1.4V ~ 4.575V

超低靜態(tài)電流：2.8μA

超低關(guān)斷電流：0.3μA

支持動態(tài)電壓調(diào)節(jié)控制(斜率:2V/ms, 5V/ms, 10V/ms, 20V/ms)

自動選擇 PFM 模式和強制 PWM 模式

高達 1MHz 的 I2C 接口（I2C 支持 1.2V I/O 電平）

最大連續(xù)輸出電流：

VIN ≥ 2.2V, VOUT = 3.5V 時，IOUT最高可達 0.8A

VIN ≥ 2.5V, VOUT = 3.5V 時，IOUT最高可達 1A

VIN ≥ 3.3V, VOUT = 3.5V 時，IOUT最高可達 1.5A

封裝：WLCSP 1.3mmX1.3mm-9B

圖6AWP37702CSR封裝信息

另外，在供電與電池管理模塊采用Awinic產(chǎn)品多層防護設(shè)計：AW37030D110EDNR LDO 芯片提供 300mA 高性能穩(wěn)壓輸出，為核心器件供電；AW33901FCR 過壓保護芯片以 30mΩ 低內(nèi)阻和 50ns 快速關(guān)斷特性，保護下游電路。

如下是部分芯片選型表，更多芯片請上艾為電子官網(wǎng)查詢。

表1 物料選型表