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MAX1953/MAX1954/MAX1957:低成本、高頻電流模式PWM降壓控制器全方位解析

h1654155282.3538 ? 2026-03-21 15:05 ? 次閱讀
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MAX1953/MAX1954/MAX1957:低成本、高頻電流模式PWM降壓控制器全方位解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理模塊至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討的是Maxim公司推出的MAX1953/MAX1954/MAX1957系列,這是一款低成本、高頻的電流模式PWM降壓控制器,適用于各類對(duì)成本和尺寸要求苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:MAX1953.pdf

產(chǎn)品概述

MAX1953/MAX1954/MAX1957是一系列多功能、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的同步電流模式PWM降壓控制器,專為對(duì)成本和尺寸敏感的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是各型號(hào)的關(guān)鍵特性:

  • MAX1953:固定1MHz開關(guān)頻率,顯著減小外部組件尺寸和成本,輸出電壓可調(diào)范圍為0.8V至0.86VIN,可提供高達(dá)10A的輸出電流,還具備可選電流限制功能。
  • MAX1954:高端FET漏極電壓范圍為3V至13.2V,與電源電壓無(wú)關(guān),固定300kHz開關(guān)頻率,可高效提供高達(dá)25A的輸出電流,輸出電壓可調(diào)范圍為0.8V至0.86VHSD
  • MAX1957:跟蹤輸出電壓范圍為0.4V至0.86VIN,能夠?yàn)?a target="_blank">DDR總線終端和PowerPC?/ASIC/DSP核心電源等應(yīng)用提供或吸收電流,工作在3V至5.5V輸入電壓和固定300kHz開關(guān)頻率下。

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

低成本設(shè)計(jì)

采用全N溝道MOSFET設(shè)計(jì),無(wú)需電流檢測(cè)電阻,有效降低成本。同時(shí),內(nèi)部數(shù)字軟啟動(dòng)功能可減少浪涌電流,進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。

高性能表現(xiàn)

  • 頻率優(yōu)勢(shì):MAX1953的1MHz開關(guān)頻率和MAX1954/MAX1957的300kHz開關(guān)頻率,在不同應(yīng)用場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)了尺寸、成本和效率的平衡。
  • 效率保障:MAX1954可實(shí)現(xiàn)高達(dá)93%的效率,為系統(tǒng)提供高效的電源轉(zhuǎn)換。

保護(hù)功能完善

具備輸入欠壓鎖定(ULVO)功能,確保在電源下降條件下正常運(yùn)行,防止外部功率MOSFET過(guò)熱;熱過(guò)載保護(hù)功能可在結(jié)溫超過(guò)160°C時(shí)自動(dòng)關(guān)閉設(shè)備,待溫度降低15°C后重新開啟。

小封裝設(shè)計(jì)

采用小巧的10引腳μMAX封裝,節(jié)省電路板空間,適用于對(duì)尺寸要求嚴(yán)格的應(yīng)用。

電氣特性詳解

電壓與電流參數(shù)

參數(shù) 條件 MIN TYP MAX 單位
工作輸入電壓范圍 - 3.0 - 5.5 V
HSD電壓范圍(MAX1954) - 3.0 - 13.2 V
靜態(tài)電源電流 VFB = 1.5V,無(wú)開關(guān) - 1 2 mA
待機(jī)電源電流(MAX1953/MAX1957) VIN = VBST = 5.5V,COMP = GND - 220 350 μA
待機(jī)電源電流(MAX1954) VIN = VBST = 5.5V,VHSD = 13.2V,COMP = GND - 220 350 μA

其他關(guān)鍵參數(shù)

  • 振蕩器:MAX1953開關(guān)頻率為0.8 - 1.2MHz,MAX1954/MAX1957為240 - 360kHz。
  • 軟啟動(dòng):MAX1953軟啟動(dòng)時(shí)間為4ms,MAX1954/MAX1957為3.4ms。
  • FET驅(qū)動(dòng)器:各引腳的導(dǎo)通電阻在不同狀態(tài)下有明確的參數(shù)范圍,確保MOSFET的可靠驅(qū)動(dòng)。

典型應(yīng)用電路分析

MAX1953典型應(yīng)用電路

適用于對(duì)尺寸要求較高的應(yīng)用,如小型電子產(chǎn)品的電源模塊。其1MHz的開關(guān)頻率允許使用小型外部組件,在滿足性能要求的同時(shí)減小了電路板面積。

MAX1954典型應(yīng)用電路

可處理更寬的輸入電壓范圍,適用于需要高效電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用,如工業(yè)控制設(shè)備、通信設(shè)備等。

MAX1957典型應(yīng)用電路

專為跟蹤輸出電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì),如DDR總線終端電源,能夠精確跟蹤電壓,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

設(shè)計(jì)流程與要點(diǎn)

輸出電壓設(shè)置

  • MAX1953/MAX1954:通過(guò)將FB連接到輸出與地之間的外部電阻分壓器中心來(lái)設(shè)置輸出電壓,計(jì)算公式為(R1 = R2×(frac{V{OUT}}{V{FB}} - 1)),其中(V_{FB}=0.8V)。
  • MAX1957:將FB通過(guò)10kΩ至21kΩ的去耦電阻直接連接到輸出,輸出電壓等于REFIN處的電壓。

電感值確定

電感值的確定需要考慮輸入電壓、輸出電壓、負(fù)載電流、開關(guān)頻率和LIR(電感電流紋波與直流負(fù)載電流之比)等參數(shù)。計(jì)算公式為(L=frac{V{OUT}×(V{IN}-V{OUT})}{V{IN}×f{S}×I{LOAD}(MAX)×LIR}),一般選擇LIR為30%作為折衷方案。

電流限制設(shè)置

采用無(wú)損電流檢測(cè)方法,通過(guò)MOSFET的導(dǎo)通電阻來(lái)檢測(cè)電感電流。電流限制閾值計(jì)算公式為(V_{CS}=frac{0.8V}{ACS}),其中ACS為電流檢測(cè)放大器的增益。

MOSFET選擇

  • 關(guān)鍵參數(shù):選擇導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低、最大漏源電壓(VDSS)至少比高端MOSFET漏極輸入電源軌高20%、柵極電荷(Qg、Qgd、Qgs)低的MOSFET。
  • 損耗計(jì)算:分別計(jì)算高端和低端MOSFET的功率損耗,包括通道傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗等,確保在最大工作結(jié)溫下滿足散熱要求。

電容選擇

  • 輸入電容:主要用于減少?gòu)碾娫醇橙〉姆逯惦娏骱碗娐烽_關(guān)引起的輸入噪聲和電壓紋波,推薦使用陶瓷電容。
  • 輸出電容:關(guān)鍵參數(shù)包括實(shí)際電容值、等效串聯(lián)電阻(ESR)、等效串聯(lián)電感(ESL)和額定電壓,影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、輸出電壓紋波和瞬態(tài)響應(yīng)。

補(bǔ)償設(shè)計(jì)

使用內(nèi)部跨導(dǎo)誤差放大器補(bǔ)償控制環(huán)路,通過(guò)合理選擇外部電感、高端MOSFET、輸出電容、補(bǔ)償電阻和補(bǔ)償電容來(lái)確保環(huán)路穩(wěn)定性。補(bǔ)償設(shè)計(jì)需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和組件參數(shù)進(jìn)行計(jì)算和調(diào)整。

PCB布局指南

  • 電容放置:去耦電容應(yīng)盡可能靠近IC引腳,輸入和輸出電容連接到功率接地平面,其他電容連接到信號(hào)接地平面。
  • 電流路徑:保持高電流路徑盡可能短,以減少電阻損耗和電磁干擾。
  • 散熱設(shè)計(jì):將功率MOSFET的漏極引腳連接到大面積銅區(qū),幫助散熱。
  • 反饋連接:確保所有反饋連接短而直接,反饋電阻應(yīng)盡可能靠近IC。
  • 布線注意:高速開關(guān)節(jié)點(diǎn)應(yīng)遠(yuǎn)離敏感模擬區(qū)域,高端MOSFET應(yīng)盡可能靠近控制器。

總結(jié)

MAX1953/MAX1954/MAX1957系列降壓控制器以其低成本、高性能和完善的保護(hù)功能,為電子工程師提供了一個(gè)優(yōu)秀的電源管理解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇組件、優(yōu)化電路設(shè)計(jì)和PCB布局,以充分發(fā)揮該系列控制器的優(yōu)勢(shì)。大家在使用過(guò)程中是否遇到過(guò)類似產(chǎn)品的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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