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探索MAX5092/MAX5093:4V - 72V輸入LDO與升壓預(yù)調(diào)節(jié)器的完美結(jié)合

h1654155282.3538 ? 2026-03-21 16:45 ? 次閱讀
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探索MAX5092/MAX5093:4V - 72V輸入LDO與升壓預(yù)調(diào)節(jié)器的完美結(jié)合

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。MAX5092/MAX5093作為一款高性能的電源管理芯片,為我們提供了出色的解決方案。今天,我們就來深入了解一下這款芯片。

文件下載:MAX5093.pdf

一、芯片概述

MAX5092A/MAX5092B/MAX5093A/MAX5093B是低靜態(tài)電流、低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器,內(nèi)置高頻升壓預(yù)調(diào)節(jié)器。它能在冷啟動(dòng)到負(fù)載突降(3.5V - 80V)的輸入電壓條件下,無縫提供預(yù)設(shè)的3.3V(MAX5092A/MAX5093A)或5V(MAX5092B/MAX5093B)LDO輸出電壓,最大輸出電流可達(dá)250mA,具有良好的負(fù)載和線性調(diào)節(jié)能力。在電池正常工作時(shí),升壓預(yù)調(diào)節(jié)器完全關(guān)閉,靜態(tài)電流降至65μA(典型值),非常適合常供電應(yīng)用。

二、芯片特性亮點(diǎn)

(一)寬輸入電壓范圍

支持3.5V - 72V的寬工作輸入電壓范圍,啟動(dòng)電壓為4V,能適應(yīng)多種復(fù)雜的電源環(huán)境。

(二)靈活的輸出電壓設(shè)置

LDO輸出電壓可預(yù)設(shè)為3.3V、5V,也可通過外部電阻在1.5V - 9V(MAX5092)或1.5V - 10V(MAX5093)范圍內(nèi)進(jìn)行編程調(diào)節(jié);升壓輸出電壓預(yù)設(shè)為7V,同樣可通過外部電阻在最高11V(MAX5092)或12V(MAX5093)范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。

(三)低功耗設(shè)計(jì)

LDO模式下靜態(tài)電流僅65μA((V_{IN} ≥8V)),關(guān)機(jī)電流低至5μA,有效降低系統(tǒng)功耗。

(四)完善的保護(hù)功能

具備輸出過載、短路和熱保護(hù)功能,還有帶可編程超時(shí)時(shí)間的上電復(fù)位(RESET)輸出,增強(qiáng)了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

(五)散熱性能良好

采用熱增強(qiáng)型16引腳5mm x 5mm薄型QFN封裝,在+70°C的多層PCB板上可散熱達(dá)2.7W。

三、芯片工作原理剖析

(一)升壓轉(zhuǎn)換器

采用最小關(guān)斷時(shí)間、最大導(dǎo)通時(shí)間的脈沖頻率調(diào)制(PFM)控制方案。當(dāng)VBSOUT低于由VBSFB確定的調(diào)節(jié)點(diǎn)時(shí),內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通;當(dāng)電感電流達(dá)到峰值電流限制(典型值2.5A)或最大導(dǎo)通時(shí)間2.25μs時(shí),MOSFET關(guān)斷,且關(guān)斷后至少保持1μs。這種控制方案下,開關(guān)頻率和輸出紋波是負(fù)載電流和輸入電壓的函數(shù),無需頻率補(bǔ)償。

(二)線性調(diào)節(jié)器

內(nèi)部采用p溝道MOSFET作為LDO的傳輸晶體管,升壓調(diào)節(jié)器的輸出連接到p - MOSFET的源極。LDO在升壓調(diào)節(jié)器啟動(dòng)200μs后啟動(dòng),可提供最大250mA的電流,典型壓差電壓為0.9V。LDO輸出電壓可通過SET輸入進(jìn)行設(shè)置。

(三)內(nèi)部調(diào)節(jié)器(VL)

用于為所有內(nèi)部低壓模塊供電,當(dāng)VBSOUT高于5.5V時(shí),VVL調(diào)節(jié)至5.5V;當(dāng)VBSOUT低于5.5V時(shí),VVL跟蹤BSOUT的電壓。

(四)上電復(fù)位輸出(RESET)

是一個(gè)開漏輸出引腳,當(dāng)LDO輸出(VOUT)低于標(biāo)稱輸出電壓的90%時(shí),RESET在短延遲后拉低;當(dāng)輸出高于標(biāo)稱輸出電壓的92%時(shí),RESET在編程的復(fù)位超時(shí)時(shí)間后變?yōu)楦咦钁B(tài)。

(五)使能和保持輸入

通過EN(高電平有效)和HOLD(低電平有效)兩個(gè)邏輯輸入實(shí)現(xiàn)自保持電路,無需額外組件。

四、芯片應(yīng)用電路示例

文檔中給出了多個(gè)典型應(yīng)用電路,如MAX5092B和MAX5093B的工廠預(yù)編程LDO和升壓輸出電壓電路,以及MAX5092A和MAX5093A的用戶可編程LDO和升壓輸出電壓電路。這些電路展示了芯片在不同輸出電壓設(shè)置下的應(yīng)用方式。

五、設(shè)計(jì)指南要點(diǎn)

(一)電容選擇

  1. 輸入電容(CIN):由于升壓轉(zhuǎn)換器在輸入電壓下降時(shí)需快速啟動(dòng),為保證正常工作,若電源(電池)離芯片較遠(yuǎn),建議使用大容量、低ESR的電容??蛇x用47μF、100mΩ的低ESR電容,并盡可能靠近芯片輸入放置。在低溫環(huán)境下,可選擇ESR低于40mΩ的電解電容,或并聯(lián)一個(gè)10μF的低ESR陶瓷電容。
  2. 升壓電容(CBSOUT):升壓轉(zhuǎn)換器輸出電流波形不連續(xù),需要在BSOUT端使用大容量、低ESR的電容以確保低VBSOUT紋波??墒褂?00mΩ或更低ESR的電解電容,也可并聯(lián)一個(gè)10μF的陶瓷電容。同時(shí),可通過公式計(jì)算所需電容的ESR和紋波電壓。

    (二)電感選擇

    電感值的選擇具有一定靈活性。較小的電感值通常能使電路尺寸更小,但可能會(huì)增加紋波;較大的電感值可能提高效率、減少紋波,但可能會(huì)降低最大輸出電流。為獲得最大輸出電流,應(yīng)選擇合適的電感值,使控制器在最大導(dǎo)通時(shí)間之前達(dá)到電流限制,并確保電感的最大飽和電流大于3A。

    (三)輸出電壓設(shè)置

  3. 升壓輸出電壓(VBSOUT):支持預(yù)設(shè)和可調(diào)兩種模式。預(yù)設(shè)模式下,將BSFB直接連接到SGND,VBSOUT固定為7V;可調(diào)模式下,將BSFB連接到外部電阻分壓器的中心抽頭,可對(duì)VBSOUT進(jìn)行編程設(shè)置。
  4. LDO輸出電壓(VOUT):同樣支持預(yù)設(shè)和可調(diào)兩種模式。預(yù)設(shè)模式下,將SET連接到SGND,VOUT調(diào)節(jié)為3.3V(MAX5092A/MAX5093A)或5V(MAX5092B/MAX5093B);可調(diào)模式下,將SET連接到外部電阻分壓器的中心抽頭,可設(shè)置不同的輸出電壓。

    (四)肖特基二極管選擇(MAX5093_)

    MAX5093_需要在LX和BSOUT之間連接一個(gè)外部二極管,建議選擇肖特基二極管,確保其峰值電流額定值大于或等于內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器MOSFET的峰值電流限制,平均正向電流額定值至少為1A,反向擊穿電壓大于最壞情況下的負(fù)載突降電壓。

    (五)CT電容選擇

    通過在CT和SGND之間連接一個(gè)電容((C_{CT})),可對(duì)RESET的超時(shí)時(shí)間進(jìn)行編程設(shè)置。當(dāng)VOUT下降到LDO輸出調(diào)節(jié)電壓的90%以下時(shí),CT電容的放電時(shí)間決定了RESET拉低的延遲,提供了對(duì)RESET功能的抗干擾能力。

    (六)最大輸出電流計(jì)算

    芯片最大輸入電壓可達(dá)+72V,OUT端可提供最大250mA的電流,但實(shí)際輸出電流受封裝功耗限制??赏ㄟ^功率耗散曲線或公式計(jì)算允許的封裝功耗和最大輸出電流。

    (七)PCB布局指南

    良好的PCB布局和布線對(duì)于高頻開關(guān)電源的正常調(diào)節(jié)和穩(wěn)定性至關(guān)重要。建議參考評(píng)估套件的PCB布局,并遵循以下原則:

  5. 為SGND使用大面積銅平面,將其焊接到裸露焊盤,并在PCB的頂部和底部暴露該銅區(qū)域,避免在芯片下方將EP銅平面直接連接到引腳3(SGND),以減少接地反彈。
  6. 將功率組件和大電流路徑與敏感模擬電路隔離。
  7. 保持大電流路徑短,特別是在接地端子處。
  8. 將輸入電容和升壓輸出電容的返回端子連接到PGND_BST電源接地平面,在輸入電容的負(fù)極端子處將電源接地(PGND_BST)和信號(hào)接地(SGND)平面連接在一起,且僅在此處連接。將PGND_LDO接地平面與SGND接地平面單點(diǎn)連接。
  9. 確保反饋連接短而直接,保證BSFB和SGND之間的低阻抗路徑,將BSFB的瞬態(tài)限制在100mV以下。
  10. 將高速開關(guān)節(jié)點(diǎn)遠(yuǎn)離敏感模擬區(qū)域,使用內(nèi)部PCB層作為SGND的EMI屏蔽層,以減少輻射噪聲對(duì)芯片、反饋分壓器和旁路電容的影響。

六、總結(jié)

MAX5092/MAX5093芯片憑借其寬輸入電壓范圍、靈活的輸出電壓設(shè)置、低功耗、完善的保護(hù)功能和良好的散熱性能,在電源管理領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。在設(shè)計(jì)過程中,合理選擇電容、電感、二極管等外部組件,并遵循正確的PCB布局指南,能夠充分發(fā)揮芯片的性能,為電子系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的電源解決方案。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似芯片的使用問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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