隨著集成電路制程節(jié)點(diǎn)不斷向納米尺度邁進(jìn)，光刻技術(shù)已從紫外全譜（g線、i線）發(fā)展到深紫外（KrF、ArF）乃至極紫外（EUV）光源。光刻膠作為光刻工藝的核心材料，其純度直接影響光刻圖案的分辨率與芯片良率。尤其在EUV光刻時(shí)代，對(duì)光刻膠中金屬雜質(zhì)和顆粒物的控制要求已趨極致，因此光刻膠原料及成品的純化處理成為決定光刻技術(shù)水平的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。

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光刻膠的組成與分類(lèi)

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光刻工藝與光刻膠反應(yīng)機(jī)制：(a)光刻膠酸催化反應(yīng)機(jī)制；(b)正負(fù)性光刻膠光化學(xué)反應(yīng)分子結(jié)構(gòu)對(duì)比；(c)光刻工藝示意圖

光刻膠通常由溶劑（質(zhì)量分?jǐn)?shù)50%～90%）、樹(shù)脂（10%～40%）、感光劑（1%～6%）及少量添加劑組成。根據(jù)光化學(xué)反應(yīng)機(jī)制，光刻膠可分為正性和負(fù)性兩類(lèi)：正性光刻膠曝光后感光劑分解，樹(shù)脂變?yōu)榭扇?，未曝光區(qū)保留；負(fù)性光刻膠則曝光后樹(shù)脂交聯(lián)而不溶，未曝光區(qū)被顯影去除。正性光刻膠因分辨率高、對(duì)比度好而應(yīng)用更廣。光刻膠廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、液晶顯示和印刷電路板制造。當(dāng)前我國(guó)在中低端光刻膠市場(chǎng)有一定產(chǎn)能，但高端半導(dǎo)體光刻膠（如KrF、ArF、EUV）仍嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。

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光刻工藝與質(zhì)量控制

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典型光刻工藝的過(guò)程：(a)襯底預(yù)處理；(b)旋轉(zhuǎn)涂膠；(c)軟烘；(d)曝光；(e)曝光后烘烤；(f)顯影；(g)堅(jiān)膜烘焙；(h)顯影檢查

典型光刻工藝包括襯底預(yù)處理、涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅(jiān)膜及檢測(cè)。整個(gè)流程需在極高潔凈度環(huán)境下進(jìn)行，以避免顆粒和金屬雜質(zhì)污染。

在光刻工藝的質(zhì)量控制環(huán)節(jié)，探針式臺(tái)階儀作為一種高精度表面輪廓測(cè)量設(shè)備，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。該設(shè)備基于觸針掃描原理，通過(guò)金剛石探針直接接觸光刻膠薄膜表面，隨著表面臺(tái)階與輪廓的起伏產(chǎn)生位移變化，傳感器將位移信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，從而實(shí)時(shí)生成表面輪廓曲線和臺(tái)階高度數(shù)據(jù)。臺(tái)階儀的核心優(yōu)勢(shì)在于其高精度測(cè)量能力，垂直分辨率可達(dá)亞埃級(jí)別（0.1nm），能夠精確測(cè)定幾納米至上千微米的臺(tái)階高度?，F(xiàn)代臺(tái)階儀配備微力恒力控制功能，探針接觸力可在0.03mg至50mg范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)，這一特性使其特別適用于光刻膠等軟質(zhì)材料的無(wú)損測(cè)量，避免因探針壓力過(guò)大導(dǎo)致樣品損傷或測(cè)量失真。在光刻工藝中，臺(tái)階儀主要用于光刻膠膜厚測(cè)量、刻蝕深度監(jiān)測(cè)、顯影后圖案形貌分析等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為工藝優(yōu)化和良率提升提供直接數(shù)據(jù)支撐。

光刻膠中的雜質(zhì)會(huì)導(dǎo)致多種缺陷：凸出缺陷（圖形超出設(shè)計(jì)范圍）、針孔缺陷（細(xì)小空洞）、暗斑缺陷（掩模污染）等，這些缺陷均會(huì)降低芯片良率。臺(tái)階儀通過(guò)精確測(cè)量光刻膠臺(tái)階高度和表面形貌，能夠有效監(jiān)測(cè)這些缺陷的形成情況。因此，對(duì)光刻膠原料及成品的純化至關(guān)重要，而臺(tái)階儀作為重要的計(jì)量工具，為純化效果評(píng)估和工藝質(zhì)量控制提供了可靠保障。

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高純電子化學(xué)品標(biāo)準(zhǔn)

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根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織標(biāo)準(zhǔn)，濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)含量、顆粒粒徑等分為G1至G5五個(gè)等級(jí)。高端光刻膠要求總金屬離子質(zhì)量濃度控制在 1×10?12 g / mL1×10?12 g / mL 級(jí)別。我國(guó)自20世紀(jì)70年代起制定BV系列標(biāo)準(zhǔn)，目前已逐步與國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)接軌。

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光刻膠樹(shù)脂的純化

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光刻膠圖形化過(guò)程反應(yīng)機(jī)制：(a)酚醛樹(shù)脂-DNQ 光刻膠作用機(jī)制示意圖；(b)經(jīng)典化學(xué)增幅型光刻膠反應(yīng)機(jī)制示意圖

樹(shù)脂決定光刻膠的基本性能。早期樹(shù)脂如聚乙烯醇肉桂酸酯、環(huán)化橡膠-疊氮類(lèi)用于負(fù)性光刻膠，但分辨率有限。酚醛樹(shù)脂-重氮萘醌體系成為g線、i線正性光刻膠的代表。1982年提出的化學(xué)增幅型光刻膠引入光產(chǎn)酸劑，通過(guò)質(zhì)子酸催化反應(yīng)大幅提升靈敏度，此后聚對(duì)羥基苯乙烯用于KrF光刻膠，聚甲基丙烯酸酯用于ArF光刻膠，EUV光刻膠則探索多種新型樹(shù)脂體系。

液相萃取耦合離心分離的組合工藝示意圖

樹(shù)脂中雜質(zhì)主要包括未聚合單體、低聚物和金屬離子。去除單體和低聚物常用有機(jī)溶劑萃取，但溶劑消耗大、周期長(zhǎng)；陶瓷超濾膜可實(shí)現(xiàn)連續(xù)分離，提高效率。金屬離子去除早期多用離子交換法，但可能引入酸性物質(zhì)導(dǎo)致樹(shù)脂性能下降；液相萃取法及其與離心分離的耦合技術(shù)可實(shí)現(xiàn)連續(xù)操作，大幅縮短處理時(shí)間。這些方法結(jié)合使用已成為樹(shù)脂純化的主流策略。

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光刻膠溶劑的純化

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常用溶劑如丙二醇甲醚醋酸酯需達(dá)到電子級(jí)純度。離子交換法可有效去除金屬離子，但可能引起溶劑水解；螯合樹(shù)脂可避免此問(wèn)題。膜過(guò)濾技術(shù)尤其是尼龍膜因其胺基對(duì)金屬離子的吸附作用，在溶劑純化中表現(xiàn)優(yōu)異。通過(guò)對(duì)膜材料改性（如引入羧基），可進(jìn)一步提升金屬離子去除率，且不產(chǎn)生酸性副產(chǎn)物。綠色合成工藝如反應(yīng)蒸餾結(jié)合變壓精餾，實(shí)現(xiàn)了高純PGMEA的連續(xù)化生產(chǎn)，并回收副產(chǎn)物，符合低碳發(fā)展方向。

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光產(chǎn)酸劑的純化

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光刻化學(xué)品中的有機(jī)雜質(zhì)和金屬雜質(zhì)

光產(chǎn)酸劑是化學(xué)增幅型光刻膠的核心組分，其純度影響光刻靈敏度。合成過(guò)程中可能引入酸性雜質(zhì)和金屬殘留。傳統(tǒng)水洗法處理周期長(zhǎng)，離子交換法可高效去除酸性雜質(zhì)。對(duì)于金屬離子（如鎂、鎢），常采用絡(luò)合、吸附、萃取等多級(jí)組合工藝，最終可將金屬含量降至 5×10?9?g/mL5×10?9g/mL 以下。

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光刻膠成品的純化

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膜過(guò)濾法去除顆粒污染物機(jī)制：(a)尼龍膜吸附示意圖(b)顆粒篩分示意圖

成品光刻膠需同時(shí)去除顆粒污染物和金屬離子。顆粒物去除主要依靠微孔濾膜過(guò)濾，膜材質(zhì)影響顯著：尼龍膜因吸附作用對(duì)極性污染物去除效果好，超高分子量聚乙烯膜在EUV金屬氧化物光刻膠純化中表現(xiàn)優(yōu)異。通過(guò)膜表面功能化改性，可引入離子交換或吸附基團(tuán)，實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬離子的同步去除。吸附法和離子交換法仍是金屬離子去除的主要手段，但需避免酸性物質(zhì)對(duì)光刻膠性能的損害。近年來(lái)，功能化濾膜、離子交換膜片及復(fù)合過(guò)濾器的開(kāi)發(fā)，為光刻膠高效純化提供了新路徑。

超高分子量聚乙烯(UPE)膜的優(yōu)化設(shè)計(jì)：(a)深度過(guò)濾功能；(b)尺寸排阻過(guò)濾功能；(c)膜孔徑分布均勻化

在光刻膠成品質(zhì)量控制環(huán)節(jié)，探針式臺(tái)階儀同樣是不可或缺的檢測(cè)工具。其校準(zhǔn)過(guò)程依賴(lài)于臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)樣板，該樣板通過(guò)光刻、刻蝕、濺射等工藝制備，具備已知高度與良好表面特性，可溯源至激光干涉儀或原子力顯微鏡的定值。依據(jù)JJF129—2017《臺(tái)階儀校準(zhǔn)規(guī)范》，臺(tái)階儀的垂直方向示值誤差與重復(fù)性是評(píng)價(jià)儀器性能的核心指標(biāo)，直接影響光刻膠膜厚測(cè)量的準(zhǔn)確性。高精度臺(tái)階儀能夠?qū)崿F(xiàn)1nm以內(nèi)的臺(tái)階高度重復(fù)性，為光刻膠成品的膜厚均勻性和表面形貌一致性提供可靠保障。

光刻膠及其原料的純化技術(shù)正朝著高精度、高效率、綠色低碳方向發(fā)展。傳統(tǒng)方法如萃取、吸附、離子交換仍在使用，但存在處理周期長(zhǎng)、溶劑消耗大等問(wèn)題。膜分離技術(shù)因其連續(xù)性強(qiáng)、分離精度高，在顆粒物去除方面已取得顯著成效。在質(zhì)量控制領(lǐng)域，探針式臺(tái)階儀作為高精度表面輪廓測(cè)量設(shè)備，在光刻膠膜厚測(cè)量、刻蝕深度監(jiān)測(cè)、圖案形貌分析等環(huán)節(jié)發(fā)揮著不可替代的作用，其亞納米級(jí)測(cè)量精度和微力控制功能為光刻工藝優(yōu)化和良率提升提供了關(guān)鍵支撐。未來(lái)，隨著光刻技術(shù)向更小節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，對(duì)臺(tái)階儀等計(jì)量設(shè)備的精度和穩(wěn)定性要求將進(jìn)一步提升。同時(shí)，陶瓷膜憑借其優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和可功能化修飾的特性，有望在高純光刻膠深度純化中發(fā)揮重要作用。結(jié)合綠色合成工藝與高效分離技術(shù)的集成創(chuàng)新，以及高精度計(jì)量技術(shù)的協(xié)同發(fā)展，將有力推動(dòng)高端光刻膠的國(guó)產(chǎn)化與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀

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費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀在半導(dǎo)體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領(lǐng)域，表面臺(tái)階高度、膜厚的準(zhǔn)確測(cè)量具有十分重要的價(jià)值，尤其是臺(tái)階高度是一個(gè)重要的參數(shù)，對(duì)各種薄膜臺(tái)階參數(shù)的精確、快速測(cè)定和控制，是保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。

• 配備500W像素高分辨率彩色攝像機(jī)
• 亞埃級(jí)分辨率，臺(tái)階高度重復(fù)性1nm
• 360°旋轉(zhuǎn)θ平臺(tái)結(jié)合Z軸升降平臺(tái)
• 超微力恒力傳感器保證無(wú)接觸損傷精準(zhǔn)測(cè)量

費(fèi)曼儀器作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的薄膜厚度測(cè)量技術(shù)解決方案提供商，Flexfilm費(fèi)曼儀器探針式臺(tái)階儀可以對(duì)薄膜表面臺(tái)階高度、膜厚進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量，保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率。

#費(fèi)曼儀器#負(fù)性光刻膠#正性光刻膠#光刻工藝#光刻膠材料純化

原文參考：《集成電路高端光刻膠材料純化研究進(jìn)展》

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