SMT10T07ALU

SMT10T07ALU 是一款高性能 100V N 溝道功率 MOSFET，采用 TO252-3L 封裝形式，憑借低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FoM）及穩(wěn)定的電氣性能，成為工業(yè)、通信等領(lǐng)域高頻開(kāi)關(guān)與功率控制的理想選擇，且產(chǎn)品符合無(wú)鹵環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備的綠色設(shè)計(jì)要求。

核心性能優(yōu)勢(shì)

01超低導(dǎo)通電阻，能效表現(xiàn)優(yōu)異

產(chǎn)品在柵源電壓 VGS=10V、漏極電流 ID=20A 時(shí)，靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS (ON) 典型值僅 6.1mΩ，最大值 7.4mΩ；即使在低柵壓 VGS=4.5V、ID=15A 工況下，典型值也僅 7.9mΩ，大幅降低導(dǎo)通損耗，提升電路能源利用效率。

02高電流承載能力

在殼溫 25℃時(shí)，持續(xù)漏極電流可達(dá) 73A，殼溫升至 100℃仍保持 46A 的額定值，脈沖漏極電流更是高達(dá) 292A，能適配大電流功率控制場(chǎng)景，滿(mǎn)足高負(fù)載工作需求。

03優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)與可靠性

具備出色的 FoM，且經(jīng)過(guò) 100%ΔVDS、非鉗位感性開(kāi)關(guān)（UIS）及柵極電阻（Rg）測(cè)試，單脈沖雪崩能量 250mJ、單脈沖雪崩電流 31A，抗沖擊能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定性佳。

04高頻開(kāi)關(guān)特性出色

柵極電荷特性?xún)?yōu)異，VGS=10V 時(shí)總柵極電荷 Qg 僅 27nC，低柵壓 4.5V 時(shí) Qg 為 13.2nC；開(kāi)關(guān)延遲時(shí)間短，開(kāi)通延遲 4.6ns、關(guān)斷延遲 23ns，上升時(shí)間 10ns、下降時(shí)間 21ns，配合低輸入 / 輸出電容特性，完美適配高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

05寬溫工作范圍

結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍覆蓋 - 55℃~+150℃，能在高低溫極端環(huán)境下穩(wěn)定工作，適應(yīng)工業(yè)設(shè)備、戶(hù)外通信裝置等復(fù)雜的工作環(huán)境。

關(guān)鍵電氣與熱學(xué)參數(shù)

極限額定參數(shù)（Tc=25℃，除非另有說(shuō)明）

漏源電壓 VDS：100V

柵源電壓 VGS：±20V

功率耗散（Tc=25℃/100℃）：74W/29W

體二極管正向電流（Tc=25℃）：73A

核心熱學(xué)特性

結(jié)到環(huán)境熱阻 RθJA：典型 30℃/W，最大 38℃/W

結(jié)到外殼熱阻 RθJC：典型 1.3℃/W，最大 1.7℃/W優(yōu)異的熱傳導(dǎo)特性有效降低器件溫升，保障長(zhǎng)期工作的可靠性。

封裝與機(jī)械特性

SMT10T07ALU 采用 TO252-3L 貼片封裝，引腳配置為頂部視圖 D（漏極）、G（柵極）、S（源極），封裝使用綠色模塑化合物，符合 UL94V-0 阻燃等級(jí)，防潮敏感度為 J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn) 3 級(jí)。封裝尺寸標(biāo)準(zhǔn)化，適配常規(guī)貼片焊接工藝，推薦焊接焊盤(pán)尺寸經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可提升焊接可靠性與散熱效果，卷盤(pán)包裝為 13 英寸載帶卷盤(pán)，每盤(pán) 2500pcs，滿(mǎn)足批量生產(chǎn)需求。

應(yīng)用領(lǐng)域

依托優(yōu)秀的電氣性能，SMT10T07ALU 可廣泛應(yīng)用于各類(lèi)功率電子電路，核心應(yīng)用包括：

電機(jī)控制電路，為各類(lèi)直流、交流電機(jī)提供精準(zhǔn)高效的功率驅(qū)動(dòng)；

通信及工業(yè)領(lǐng)域的 DC/DC 變換器，實(shí)現(xiàn)電壓的高效轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定輸出；

高頻開(kāi)關(guān)電源，利用高頻開(kāi)關(guān)特性提升電源轉(zhuǎn)換效率與小型化程度；

同步整流電路，替代傳統(tǒng)整流二極管，降低整流損耗，提升整機(jī)能效。