突破性的 800 V–6 V DC-DC 供電板消除了傳統(tǒng)的 48V 中間總線轉(zhuǎn)換器級(jí)，同時(shí)提高了系統(tǒng)效率、可靠性、成本和計(jì)算密度。該平臺(tái)正在展示于NVIDIA GTC 2026 。

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼:NVTS），氮化鎵 (GaN) 和 GeneSiC? 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 (納斯達(dá)克股票代碼：NVTS) 宣布推出采用 GaNFast? 技術(shù)的最新 DC-DC 供電板 (PDB)，可在一個(gè)功率級(jí)中將 800 V 直接轉(zhuǎn)換為 6 V。這一突破性解決方案消除了計(jì)算服務(wù)器托盤(pán)內(nèi)的傳統(tǒng) 48 V 中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 級(jí)，最大限度地提高了系統(tǒng)效率、可靠性和寶貴的空間，從而提供簡(jiǎn)單的電力傳輸解決方案來(lái)支持先進(jìn)的 NVIDIA AI 基礎(chǔ)設(shè)施。

圍繞傳統(tǒng) 54 V 機(jī)架內(nèi)配電構(gòu)建的傳統(tǒng)企業(yè)和云架構(gòu)越來(lái)越無(wú)法支持未來(lái)加速計(jì)算平臺(tái)所需的兆瓦機(jī)架密度。滿足這些不斷升級(jí)的電源需求需要對(duì)數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)進(jìn)行根本性轉(zhuǎn)變。

NVIDIA 正在引領(lǐng)向 800 V 的過(guò)渡DC數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施，納微半導(dǎo)體正在提供正確的技術(shù)來(lái)支持這一轉(zhuǎn)變。納微半導(dǎo)體800 V–50 V DC-DC 平臺(tái)推出是效率和功率密度方面的突破；然而，800 V 至 50 V 的轉(zhuǎn)換仍需要多一個(gè)功率轉(zhuǎn)換級(jí)才能向穩(wěn)壓器模塊 (VRM) 供電，該模塊通常在 12 V 或更低的電壓下運(yùn)行。

作為NVIDIA MGX隨著未來(lái)機(jī)架設(shè)計(jì)的架構(gòu)不斷發(fā)展，高計(jì)算和功率密度系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)更高的 AI 性能，它們將需要直接 800 V 至 6 V（或 12 V）轉(zhuǎn)換，以最大限度地提高機(jī)架功率密度和整體效率。直接從 800 V 進(jìn)行轉(zhuǎn)換，消除了 50 V IBC 級(jí)，減少了轉(zhuǎn)換損耗，釋放了寶貴的電路板空間，并提高了端到端系統(tǒng)效率。與其他已發(fā)布的 PDB 相比，納微半導(dǎo)體的 6 V 輸出架構(gòu)通過(guò)將 VRM 轉(zhuǎn)換率降低一半來(lái)提高系統(tǒng)性能。

納微半導(dǎo)體 的 800 V–6 V DC-DC PDB 旨在以 1 MHz 開(kāi)關(guān)頻率在滿負(fù)載下提供高達(dá) 96.5% 的峰值效率，實(shí)現(xiàn) 2,100 W/in3 的功率密度。其厚度比手機(jī)薄約 20%，其超薄外形可與 GPU 板極其緊密地集成，最大限度地提高瞬態(tài)性能并提高配電效率。

下一代 800 V–6 V DC-DC PDB 消除了 48 V IBC 級(jí)，提高了系統(tǒng)效率、可靠性，并節(jié)省了寶貴的 PCB 面積。

初級(jí)側(cè)采用最新 DFN8×8 雙冷卻封裝中的 16 × 650 V GaNFast FET，采用堆疊全橋配置。中心抽頭輸出使用 25 V 硅 MOSFET。 1 MHz 開(kāi)關(guān)可使用最小的無(wú)源器件和平面磁性器件，從而提供最大的功率密度。

納微半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Chris Allexandre 表示：“憑借業(yè)界領(lǐng)先的 800 V 至 6 V DC-DC PDB，納微半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)樹(shù)立了新的基準(zhǔn)。通過(guò)消除整個(gè)轉(zhuǎn)換級(jí)，我們降低了系統(tǒng)成本和功耗，同時(shí)釋放了寶貴的電路板空間，使客戶(hù)能夠?qū)⒏嗫臻g用于計(jì)算、內(nèi)存和 GPU，并為 AI 工作負(fù)載釋放最大性能?！?“我們最新的基于 GaNFast? 的解決方案展示了納微半導(dǎo)體如何突破人工智能數(shù)據(jù)中心功率的界限?！?/p>

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是氮化鎵（GaN）與集成電路集成器件、以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，致力于推動(dòng)人工智能數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計(jì)算以及工業(yè)電氣化等領(lǐng)域的創(chuàng)新。公司在寬禁帶技術(shù)、GaNFast等領(lǐng)域擁有超過(guò) 30 年的綜合專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)?電源IC集成了GaN電源、驅(qū)動(dòng)、控制、傳感和保護(hù)功能，提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更高的系統(tǒng)密度和更大的效率。GeneSiC?高壓SiC器件利用專(zhuān)利的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的電壓能力、效率和可靠性。納微半導(dǎo)體擁有300多項(xiàng)已發(fā)布或待發(fā)布的專(zhuān)利，是全球首家獲得CarbonNeutral?認(rèn)證認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。