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芯片制造中的硅片倒角加工工藝介紹

中科院半導體所 ? 來源:學習那些事 ? 2026-03-25 14:46 ? 次閱讀
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文章來源:學習那些事

原文作者:小陳婆婆

本文介紹了倒角工藝技術(shù)及其發(fā)展方向。

硅片倒角加工是半導體硅片制造中保障邊緣質(zhì)量與可靠性的關(guān)鍵工序,其核心目標在于消除切割后邊緣產(chǎn)生的棱角、毛刺、崩邊、裂縫及表面污染,通過降低邊緣粗糙度、增強機械強度、減少顆粒沾污,為后續(xù)研磨、拋光等工序提供優(yōu)質(zhì)基底。

該工序嚴格遵循SEMI標準及IC技術(shù)要求,通過精密磨削實現(xiàn)邊緣輪廓的精準控制,常見邊緣形狀包括圓弧形(R-type)與梯形(T-type),其中圓弧形磨輪因磨削效率更高而被廣泛采用——如日本SHE公司從梯形磨輪升級至圓弧形磨輪后,加工效率提升約30%,成為行業(yè)技術(shù)迭代的典型案例。

加工過程中,硅片被固定于可旋轉(zhuǎn)支架上,與高速旋轉(zhuǎn)的金剛石倒角磨輪形成相對運動,轉(zhuǎn)速范圍通常為5000~6000r/min,高端設(shè)備可達15萬r/min,配合適宜磨削液實現(xiàn)高效磨削。

為平衡直徑尺寸公差、表面粗糙度與機械應(yīng)力損傷控制,行業(yè)普遍采用粗精磨結(jié)合工藝:先用800粒度粗磨輪以80kr/min轉(zhuǎn)速進行粗磨,表面機械應(yīng)力損傷層深約35~40μm,粗糙度Ra約0.5μm;隨后用3000#粒度精磨輪以150kr/min轉(zhuǎn)速進行精磨,損傷層深降至<3μm,粗糙度Ra優(yōu)化至0.03μm(約300?)。

先進倒角機如日本東京精密TSKW-GM-5200系統(tǒng),集成螺旋磨削功能,通過粗精磨輪協(xié)同作業(yè)實現(xiàn)連續(xù)加工,產(chǎn)能達21~25秒/片(144~171片/小時),且配備自動修整裝置——如采用GC 320G(SiC)修整磨輪,針對200mm硅片每加工1000片、300mm硅片每加工500片需修整一次,確保磨輪狀態(tài)穩(wěn)定。

當前技術(shù)演進聚焦于自動化與智能化升級,例如AI算法在磨削參數(shù)優(yōu)化、實時狀態(tài)監(jiān)測及質(zhì)量在線評估中的應(yīng)用,結(jié)合高精度傳感器實現(xiàn)加工過程的閉環(huán)控制。同時,環(huán)保型磨削液的開發(fā)與循環(huán)利用系統(tǒng)成為降低運行成本的重要方向,部分企業(yè)已實現(xiàn)切削液回收率超95%。

此外,針對300mm及以上大直徑硅片的加工需求,倒角設(shè)備正朝著更高轉(zhuǎn)速、更精密輪廓控制方向發(fā)展,如采用超細粒度磨輪(如6000#)進一步降低表面損傷,或探索激光輔助磨削等新型工藝以提升加工效率與質(zhì)量一致性。這些技術(shù)進步不僅推動硅片邊緣質(zhì)量的持續(xù)提升,更為半導體產(chǎn)業(yè)向更先進制程、更高可靠性要求的發(fā)展提供堅實支撐。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:芯片制造——硅片倒角加工

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