SGM42544 四半橋驅(qū)動 IC:高效驅(qū)動與全面保護(hù)的理想之選
在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的驅(qū)動 IC 對于各類設(shè)備的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下 SG Micro 公司推出的 SGM42544 四半橋驅(qū)動 IC,看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
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一、產(chǎn)品概述
SGM42544 提供四個半橋驅(qū)動器,每個通道都可通過單獨的可控輸入進(jìn)行控制。它非常適合驅(qū)動電感負(fù)載,像四個螺線管、繼電器、直流電機或其他負(fù)載都能輕松應(yīng)對。該器件支持單電源或雙極性電源(如 ±20V)供電。在適當(dāng)?shù)纳釛l件下,每個通道在 TJ = +25℃ 時可提供高達(dá) 2A 的峰值輸出電流,并且為滿足更高電流的應(yīng)用需求,還可以將輸出進(jìn)行并聯(lián)。
二、產(chǎn)品特性
2.1 寬電源電壓范圍
其電源電壓范圍為 8V 至 45V,這使得它能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,為工程師在設(shè)計電源部分提供了更大的靈活性。
2.2 低導(dǎo)通電阻
在 TJ = +25℃ 時,HS + LS 的導(dǎo)通電阻為 0.44Ω,低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗,提高能源效率,減少發(fā)熱,延長設(shè)備的使用壽命。
2.3 靈活的控制接口
具備靈活的控制接口,能夠滿足不同負(fù)載的控制需求。每個通道都有獨立的可控輸入,方便工程師根據(jù)實際應(yīng)用進(jìn)行精確控制。
2.4 高驅(qū)動電流
在 VM = 24V、TJ = +25℃ 時,可提供高達(dá) 2A 的驅(qū)動電流,能夠滿足大多數(shù)電感負(fù)載的驅(qū)動要求。
2.5 單或雙極性電源支持
支持單電源或雙極性電源(最高可達(dá) ±22.5V),這為不同的應(yīng)用場景提供了更多的電源選擇。
2.6 內(nèi)置 3.3V 參考輸出
內(nèi)置的 3.3V 參考輸出可以為其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓,簡化了電路設(shè)計。
2.7 并行數(shù)字控制接口
并行數(shù)字控制接口使得控制更加方便快捷,提高了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
2.8 全面的保護(hù)功能
具備多種保護(hù)功能,包括 VM 欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷(TSD)以及故障狀態(tài)指示引腳(nFAULT)。這些保護(hù)功能可以有效保護(hù)器件免受各種異常情況的損壞,提高系統(tǒng)的可靠性。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
SGM42544 的應(yīng)用范圍十分廣泛,常見于機器人、游戲機、工廠自動化以及辦公自動化機器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,它能夠穩(wěn)定地驅(qū)動各種電感負(fù)載,確保設(shè)備的正常運行。
四、引腳配置與說明
4.1 引腳配置
| SGM42544 采用 Green TSSOP - 28(Exposed Pad)封裝,其引腳配置如下: | 引腳編號 | 引腳名稱 | 類型 | 功能 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CP1 | I/O | 電荷泵飛電容引腳,CP1 和 CP2 引腳之間需使用 0.01μF/100V 電容 | |
| 2 | CP2 | I/O | 電荷泵飛電容引腳 | |
| 3 | VCP | I/O | 高端開關(guān)的柵極驅(qū)動電壓,需用 0.1μF/16V 陶瓷電容與 VM 引腳去耦 | |
| 4、11 | VM | Power Supply | 電源引腳,連接到相同的電機電源(8V 至 45V),并使用 100μF(MIN)電容旁路 | |
| 5 | OUT1 | O | 設(shè)備的輸出 1 | |
| 7 | OUT2 | O | 設(shè)備的輸出 2 | |
| 8 | OUT3 | O | 設(shè)備的輸出 3 | |
| 10 | OUT4 | O | 設(shè)備的輸出 4 | |
| 6 | SRC12 | - | OUT1 和 OUT2 的低端 FET 源極,可直接短接到 VNEG 或連接可選的檢測電阻到 VNEG | |
| 9 | SRC34 | - | OUT3 和 OUT4 的低端 FET 源極,可直接短接到 VNEG 或連接可選的檢測電阻到 VNEG | |
| 12、13 | NC | - | 無連接 | |
| 14、28 | VNEG | - | 負(fù)電源,單電源時連接到 LGND,雙電源時連接到負(fù)電源 | |
| 15 | V3P3 | O | 3.3V 穩(wěn)壓器輸出,需用 0.47μF/6.3V 陶瓷電容與 VNEG 旁路 | |
| 16 | nRESET | I | 復(fù)位輸入,低電平有效,用于初始化內(nèi)部邏輯并禁用半橋輸出 | |
| 17 | nSLEEP | I | 睡眠模式輸入,低電平有效,高電平使能設(shè)備,低電平進(jìn)入低功耗睡眠模式 | |
| 18 | nFAULT | OD | 故障指示引腳,開漏輸出類型,故障時為邏輯低電平 | |
| 19 | LGND | - | 邏輯輸入?yún)⒖嫉兀B接到邏輯地 | |
| 20 | EN4 | I | 通道 4 的使能輸入,高電平有效 | |
| 21 | IN4 | I | 通道 4 的輸入電源,內(nèi)部下拉 | |
| 22 | EN3 | I | 通道 3 的使能輸入,高電平有效 | |
| 23 | IN3 | I | 通道 3 的輸入電源,內(nèi)部下拉 | |
| 24 | EN2 | I | 通道 2 的使能輸入,高電平有效 | |
| 25 | IN2 | I | 通道 2 的輸入電源,內(nèi)部下拉 | |
| 26 | EN1 | I | 通道 1 的使能輸入,高電平有效 | |
| 27 | IN1 | I | 通道 1 的輸入電源,內(nèi)部下拉 | |
| Exposed Pad | VNEG | - | 散熱用暴露焊盤,連接到 VNEG |
4.2 引腳說明
通過對這些引腳的合理使用,工程師可以實現(xiàn)對 SGM42544 的精確控制和功能配置。例如,通過 ENx 和 INx 引腳可以控制輸出的狀態(tài),nRESET 引腳可以進(jìn)行復(fù)位操作,nSLEEP 引腳可以控制設(shè)備進(jìn)入睡眠模式以降低功耗。
五、電氣特性與開關(guān)特性
5.1 電氣特性
| 在 (T_{J}= +25^{circ}C) 時,SGM42544 的電氣特性如下: | 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電機電源電壓 | VM | - | 8 | - | 45 | V | |
| 工作電源電流 | IVM | VM = 24V | 2 | 5 | mA | ||
| 睡眠模式電源電流 | IVMQ | VM = 24V | 1 | 2 | μA | ||
| VM 欠壓鎖定閾值 | VUVLO | VM 上升 | 7.7 | 7.98 | V | ||
| V3P3 電壓 | VV3P3 | IOUT = 0mA 至 10mA | 3.1 | 3.3 | 3.5 | V | |
| 輸入邏輯低電壓 | VIL | LGND = 0V,TJ = -40℃ 至 +125℃ | 0.5 | - | - | V | |
| 輸入邏輯高電壓 | VIH | LGND = 0V,TJ = -40℃ 至 +125℃ | 2.7 | - | - | V | |
| 輸入遲滯 | VHYS | LGND = 0V | 1.2 | - | - | V | |
| 輸入邏輯低電流 | IIL | VIN = LGND = 0V | -10 | - | 10 | μA | |
| 輸入邏輯高電流 | IIH | VIN = LGND + 3.3V(LGND = 0V) | - | - | 50 | μA | |
| 內(nèi)部下拉電阻 | RPD | - | - | - | 300 | kΩ | |
| nFAULT 輸出(開漏輸出)低電壓 | VOL | IOUT = 5mA | - | - | 0.5 | V | |
| nFAULT 輸出(開漏輸出)高泄漏電流 | IOH | VOUT = LGND + 3.3V | - | - | 1 | μA | |
| HS FET 導(dǎo)通電阻 | (R_{DSON}) | VM = 24V,IOUT = 1A,TJ = +25℃ | 0.22 | - | - | Ω | |
| HS FET 導(dǎo)通電阻 | (R_{DSON}) | VM = 24V,IOUT = 1A,TJ = +125℃ | 0.32 | 0.36 | - | Ω | |
| LS FET 導(dǎo)通電阻 | (R_{DSON}) | VM = 24V,IOUT = 1A,TJ = +25℃ | 0.22 | - | - | Ω | |
| LS FET 導(dǎo)通電阻 | (R_{DSON}) | VM = 24V,IOUT = 1A,TJ = +125℃ | 0.30 | 0.33 | - | Ω | |
| 過流保護(hù)跳閘電平 | IOCP | - | - | - | 3.5 | A | |
| 輸出死區(qū)時間 | tDEAD | - | - | - | 400 | ns | |
| 過流保護(hù)消隱時間 | tOCP | - | - | - | 2 | μs | |
| 熱關(guān)斷溫度 | TTSD | 芯片溫度 | - | - | 160 | ℃ |
5.2 開關(guān)特性
| 在 (T_{J}= +25^{circ}C) 時,開關(guān)特性如下: | 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 延遲時間(ENx 高到 OUTx 高,INx = 1) | t1 | - | 540 | - | 1650 | ns | |
| 延遲時間(ENx 低到 OUTx 低,INx = 1) | t2 | - | 790 | - | 1900 | ns | |
| 延遲時間(ENx 高到 OUTx 低,INx = 0) | t3 | - | 1020 | - | 2120 | ns | |
| 延遲時間(ENx 低到 OUTx 高,INx = 0) | t4 | - | 690 | - | 1900 | ns | |
| 延遲時間(INx 高到 OUTx 高) | t5 | - | 820 | - | 1950 | ns | |
| 延遲時間(INx 低到 OUTx 低) | t6 | - | 1200 | - | 2330 | ns | |
| 輸出上升時間 | tR | 電阻連接到 VNEG | 100 | - | 220 | ns | |
| 輸出下降時間 | tF | 電阻連接到 VNEG | 300 | - | 670 | ns |
這些電氣特性和開關(guān)特性為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù),有助于確保電路的性能和穩(wěn)定性。
六、詳細(xì)功能說明
6.1 邏輯輸入
LGND 是所有邏輯輸入(ENx、INx、nRESET、nSLEEP)和 nFAULT 信號的接地參考,需連接到微控制器的接地端。
6.2 輸出級
OUTx 在 VM 和 VNEG 引腳之間驅(qū)動,具體可參考功能框圖。
6.3 電荷泵
電荷泵用于產(chǎn)生大于 (V_{M}) 的柵極電源,以開啟高端 MOSFET。CP1 和 CP2 之間需要 0.01μF 陶瓷電容,VCP 和 VM 之間需要 0.1μF 陶瓷電容。
6.4 橋控制
| 通過 INx 和 ENx 實現(xiàn)對輸出的控制,邏輯關(guān)系如下表所示: | INx | ENx | OUTx |
|---|---|---|---|
| X | 0 | Z | |
| 0 | 1 | L | |
| 1 | 1 | H |
| 對于直流電機,通常通過向 INx 或 ENx 輸入引腳提供外部 PWM 信號來進(jìn)行速度控制,PWM 功能如下表: | IN1 | EN1 | IN2 | EN2 | 功能 |
|---|---|---|---|---|---|
| PWM | 1 | 0 | 1 | 正向 PWM,慢衰減 | |
| 0 | 1 | PWM | 1 | 反向 PWM,慢衰減 | |
| 1 | PWM | 0 | PWM | 正向 PWM,快衰減 | |
| 0 | PWM | 1 | PWM | 反向 PWM,快衰減 |
6.5 保護(hù)電路
6.5.1 過流保護(hù)(OCP)
每個 MOSFET 都有預(yù)設(shè)的過流限制。當(dāng)出現(xiàn)過流(任何方向)時,整個橋?qū)⒈唤茫P(guān)斷),nFAULT 引腳將被拉低。過流可能是由于開關(guān)節(jié)點與地、VM 電源線或橋的其他節(jié)點之間短路(繞組短路)引起的。如果電流限制持續(xù)時間超過 OCP 時間,所有 H 橋 MOSFET 將被禁用,nFAULT 引腳將被拉低,設(shè)備不會自動重啟,直到 (V_{M}) 電源被移除并重新施加或通過 nRESET 引腳復(fù)位。
6.5.2 熱關(guān)斷(TSD)
如果設(shè)備中出現(xiàn)結(jié)溫過高的情況,所有橋和驅(qū)動器將被關(guān)斷,nFAULT 引腳將被拉低。一旦溫度回到安全水平,設(shè)備將恢復(fù)運行。
6.5.3 欠壓鎖定(UVLO)
如果 VM 引腳的電壓低于欠壓鎖定閾值,設(shè)備將被禁用,內(nèi)部邏輯將被復(fù)位。當(dāng)所有電壓回到 UVLO 閾值以上時,設(shè)備恢復(fù)運行。
6.6 nRESET 和 nSLEEP 操作
nRESET 和 nSLEEP 為低電平有效輸入,用于在設(shè)備不使用時最小化功耗。睡眠模式會禁用所有內(nèi)部電路,包括輸出 MOSFET、電荷泵和穩(wěn)壓器。邏輯高電平允許正常操作,輸出轉(zhuǎn)換前需要 1.2ms 的延遲。
七、應(yīng)用信息
7.1 驅(qū)動示例
SGM42544 可以用于驅(qū)動雙極步進(jìn)電機、兩個直流有刷電機和一個電感負(fù)載等。具體的控制邏輯可以參考以下真值表:
7.1.1 有刷直流電機
| 功能 | EN1 | EN2 | IN1 | IN2 | OUT1 | OUT2 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向 | 1 | 1 | PWM | 0 | H | L |
| 反向 | 1 | 1 | 0 | PWM | L | H |
| 制動 | 1 | 1 | 0 | 0 | L | L |
| 制動 | 1 | 1 | 1 | 1 | H | H |
| 滑行 | 0 | X | X | X | Z | X |
| 滑行 | X | 0 | X | X | X | Z |
7.1.2 單方向有刷直流電機
| 功能 | EN3 | IN3 | OUT3 |
|---|---|---|---|
| 開啟 | 1 | nPWM | L |
| 制動 | 1 | 1 | H |
| 滑行 | 0 | X | Z |
7.1.3 電感負(fù)載
| 功能 | EN4 | IN4 | OUT4 |
|---|---|---|---|
| 開啟 | 1 | PWM | H |
| 關(guān)閉或慢衰減 | 1 | 0 | L |
| 關(guān)閉或滑行 | 0 | X | Z |
7.2 輸出并聯(lián)
為了滿足更高電流的應(yīng)用需求,可以將輸出進(jìn)行并聯(lián)。如果將 SGM42544 用作兩個獨立的半橋,OUT1 和 OUT2 應(yīng)并聯(lián),OUT3 和 OUT4 應(yīng)并聯(lián);如果將設(shè)備配置為 H 橋,任意兩個輸出并聯(lián)均可。
7.3 大容量電容
為了實現(xiàn)小的電壓紋波并解耦電源線電感對系統(tǒng)運行的干擾,需要在電機驅(qū)動器附近使用大容量本地電容( (V_{M}) 電源)。同時,為了解耦 H 橋的開關(guān)電流,建議在 VM 和 GND 引腳之間使用小的高頻去耦電容。選擇本地電容時,需要考慮電機所需的最大電流、電源電容和電流供應(yīng)能力、電源線的寄生電感、可接受的電壓紋波以及電機參數(shù)和所需的加速度等因素。
7.4 布局指南
PCB 應(yīng)具有較厚的接地層。為了獲得最佳的電氣和熱性能,SGM42544 必須直接焊接到電路板上。其封裝底部有一個暴露焊盤,用于增強散熱,該熱焊盤必須直接焊接到 PCB 的暴露表面以實現(xiàn)最佳熱傳導(dǎo),還可以使用熱過孔將熱量傳遞到 PCB 的其他層。負(fù)載電源引腳(VM)應(yīng)使用電解電容與一個較小值的陶瓷電容并聯(lián)進(jìn)行去耦,并且陶瓷電容應(yīng)盡可能靠近設(shè)備放置。
八、總結(jié)
SGM42544 四半橋驅(qū)動 IC 以其寬電源電壓范圍、靈活的控制接口、高驅(qū)動電流以及全面的保護(hù)功能,成為電子工程師在設(shè)計各類電感負(fù)載驅(qū)動電路時的理想選擇。在實際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)具體的需求,合理利用其特性和功能,同時注意引腳配置、電氣特性、開關(guān)特性以及布局等方面的要求,以確保電路的穩(wěn)定運行和性能優(yōu)化。你在使用 SGM42544 過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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