芯塔電子最新推出650V/260mΩ多封裝SiC MOSFET，為工業(yè)與消費電子應(yīng)用提供高性能解決方案。該系列產(chǎn)品兼具高耐壓、低損耗與高頻開關(guān)特性，適用于工業(yè)電源、電動汽車充電、數(shù)據(jù)中心電源、光儲逆變器及UPS等多種場景。

新品提供三種封裝選擇，滿足不同應(yīng)用場景的安裝與散熱需求：

TM3G0260065N采用DFN 5*6封裝，在緊湊空間內(nèi)實現(xiàn)了高功率密度與優(yōu)異散熱性能的完美平衡;TM3G0260065E采用TO-252-2封裝，具有良好的散熱性和焊接可靠性;TM3G0260065F則采用TO-220F-3封裝，適合中大功率場景，支持更高的連續(xù)電流輸出。三款產(chǎn)品均支持-55℃至+175℃的工作溫度范圍，且符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

在電氣性能方面，該系列產(chǎn)品在15V柵極驅(qū)動下導(dǎo)通電阻低至260mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗。其靜態(tài)特性優(yōu)異，如閾值電壓典型值為4.2V，且在高結(jié)溫條件下仍保持穩(wěn)定性。動態(tài)特性上，輸入電容僅為298pF，柵極電荷低至12.5nC，有助于實現(xiàn)高速開關(guān)并減少開關(guān)損耗。此外，內(nèi)置體二極管具備低反向恢復(fù)電荷(Qrr典型值32.4nC)，可顯著降低反向恢復(fù)帶來的能量損失。

開關(guān)性能方面，在400V總線電壓和5A負(fù)載條件下，典型導(dǎo)通延遲時間為6.4ns，上升時間為18.1ns，總開關(guān)能量低至48.4μJ，有助于提升系統(tǒng)頻率和功率密度。產(chǎn)品還具備高可靠性，雪崩能量耐受達(dá)25mJ，且熱阻低至2.23℃/W(DFN封裝)，能夠有效降低散熱需求。

芯塔電子此次發(fā)布的SiC MOSFET系列通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和封裝工藝，在效率、散熱和系統(tǒng)成本間取得良好平衡，為下一代高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了可靠選擇。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)供貨，歡迎登錄芯塔電子官網(wǎng)www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細(xì)技術(shù)資料和樣品支持。