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北方華創(chuàng)發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備NMC612H

CHANBAEK ? 來(lái)源:北方華創(chuàng) ? 2026-03-26 17:06 ? 次閱讀
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近日,北方華創(chuàng)正式發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備——NMC612H。該設(shè)備聚焦先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)領(lǐng)域關(guān)鍵刻蝕工藝需求,針對(duì)超高深寬比、超高均勻性、精確形貌控制等挑戰(zhàn),攻克了全新一代精準(zhǔn)偏壓控制、射頻多態(tài)脈沖控制、超高速通訊網(wǎng)絡(luò)控制等多項(xiàng)技術(shù)難題,搭配全國(guó)產(chǎn)超百區(qū)獨(dú)立控溫靜電卡盤及具備完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溫控算法,將ICP小尺寸刻蝕的深寬比提升到數(shù)百比一,均勻性帶入埃米級(jí)時(shí)代,標(biāo)志著北方華創(chuàng)持續(xù)引領(lǐng)高端ICP刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展方向,突破性技術(shù)優(yōu)勢(shì)可滿足更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的芯片制造要求,攜手芯片制造商共同迎接AI時(shí)代的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

全球算力與存儲(chǔ)芯片需求的爆發(fā),帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)。干法刻蝕作為半導(dǎo)體設(shè)備核心品類,市場(chǎng)份額超過(guò)20%,預(yù)計(jì)2026年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到171億美元。其中,ICP刻蝕設(shè)備占比60%,約103億美元[1],在芯片制造鏈條中占據(jù)不可或缺的地位。

[1] 信息來(lái)源:SEMI半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(2024年12月)。

芯片制造中更精細(xì)的尺寸要求,帶來(lái)了工藝步驟數(shù)量的成倍增加,芯片更小的關(guān)鍵尺寸(CD)與節(jié)距(Pitch)由多輪沉積和ICP刻蝕工藝協(xié)同定義,每一步的微小差異,都會(huì)被后續(xù)的環(huán)節(jié)指數(shù)級(jí)放大。

在此背景下,北方華創(chuàng)精研更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)刻蝕工藝的難點(diǎn)、痛點(diǎn),打造出全新一代高端ICP刻蝕產(chǎn)品612H,該產(chǎn)品具備以下四大優(yōu)勢(shì):

1.全新一代精準(zhǔn)偏壓控制(Pulsed DC Voltage,PDV):實(shí)現(xiàn)電子伏特量級(jí)、窄能量分布的離子入射能量和離子方向的精確控制,滿足更小線寬、更高深寬比結(jié)構(gòu)的超高精度刻蝕需求。

2.量產(chǎn)級(jí)超百區(qū)精細(xì)控溫靜電卡盤:通過(guò)具備完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)及全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的超百區(qū)獨(dú)立控溫靜電卡盤,實(shí)現(xiàn)優(yōu)于0.3°C的溫度均勻性控制。

3.射頻多態(tài)脈沖(MLP)及快速匹配算法成套解決方案:匹配時(shí)間由秒級(jí)降低至毫秒級(jí),具備同步脈沖、異步脈沖以及三頻同啟等多種RF模式,實(shí)現(xiàn)對(duì)單步工藝配方等離子體成分和能量的精確調(diào)控。

4.原位原子層沉積(ALD)模塊:具備同腔室內(nèi)任意交替使用ALD沉積和刻蝕工藝能力,突破了傳統(tǒng)刻蝕設(shè)備的功能局限,賦予產(chǎn)品更多更廣的應(yīng)用場(chǎng)景。

在實(shí)際工藝表現(xiàn)上,NMC612H不僅在ICP平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了小尺寸開(kāi)口下數(shù)百比一的高深寬比刻蝕能力,還將Patterning[2]刻蝕CD[3]均勻性控制在了1個(gè)硅原子直徑范圍內(nèi),真正實(shí)現(xiàn)了對(duì)刻蝕形貌的單原子層級(jí)精確控制,確??涛g工藝能力滿足下一代高端芯片的規(guī)格需求。

[2] 圖形化或圖形轉(zhuǎn)移: 指把掩膜版(mask)上的電路圖形通過(guò)光刻、刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到硅片上的全過(guò)程。

[3] 關(guān)鍵尺寸或臨界線寬:CD值決定晶體管溝道長(zhǎng)度、線寬精度,是衡量制程先進(jìn)程度的核心指標(biāo)之一。

除了硬件全面升級(jí)外,NMC612H還創(chuàng)新性配備了人工智能賦能的工藝配方優(yōu)化及大數(shù)據(jù)分析平臺(tái)(AI+RDF[4]),依托北方華創(chuàng)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的海量工藝數(shù)據(jù)庫(kù),讓刻蝕工藝調(diào)試和機(jī)臺(tái)數(shù)據(jù)診斷從工程師的經(jīng)驗(yàn)主導(dǎo)升級(jí)為AI輔助+專家經(jīng)驗(yàn)協(xié)同,有效加速問(wèn)題定位、保障運(yùn)行穩(wěn)定性,為客戶帶來(lái)了整體運(yùn)營(yíng)效率的提升。

[4] RDF: Recipe Diagnosing Function。

依托在刻蝕領(lǐng)域25年的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),北方華創(chuàng)通過(guò)了各領(lǐng)域頭部客戶的嚴(yán)苛驗(yàn)證,累計(jì)客戶端ICP裝機(jī)超過(guò)8000腔,月度穩(wěn)定量產(chǎn)12英寸產(chǎn)品超500萬(wàn)片。NMC612系列ICP刻蝕產(chǎn)品已深度嵌入國(guó)內(nèi)各主流Fab產(chǎn)線,全面覆蓋從成熟制程到更先進(jìn)技術(shù)代的邏輯、存儲(chǔ)、功率、傳感等多元芯片制造場(chǎng)景,并在嚴(yán)苛的大規(guī)模量產(chǎn)環(huán)境中證明了其高穩(wěn)定性、低缺陷、極佳均勻性的核心競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

在國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速變革的背景下,北方華創(chuàng)作為ICP刻蝕技術(shù)引領(lǐng)者,始終以“推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步,創(chuàng)造無(wú)限可能”為使命,深度協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴聯(lián)合研發(fā)與創(chuàng)新,推動(dòng)關(guān)鍵設(shè)備從“滿足量產(chǎn)”走向“定義路線”,持續(xù)致力于設(shè)備與工藝的迭代升級(jí),貢獻(xiàn)AI時(shí)代的中國(guó)力量!

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