電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在人工智能與邊緣計算驅(qū)動數(shù)據(jù)架構(gòu)全面重塑的2026年，存儲技術正加速向高可靠性、低功耗及車規(guī)級嚴苛標準演進。然而，面對算力需求指數(shù)級躍升帶來的全新挑戰(zhàn)，如何進一步夯實底層技術根基、優(yōu)化全鏈路能效比并構(gòu)建更具韌性的供應鏈生態(tài)，已成為行業(yè)持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展的核心議題。

為此，在近期上海舉辦的半導體論壇上，東芯半導體主動破局，深度探討如何通過底層技術優(yōu)化與全鏈路能效提升，為產(chǎn)業(yè)構(gòu)建自主可控的存儲生態(tài)共同體。

構(gòu)建自主可控的存儲生態(tài)共同體

全球存儲市場規(guī)模持續(xù)快速增長，據(jù)東芯半導體潘惠忠分享，預計2026年突破2470億美元，國內(nèi)市場更有望達到4888億元。包括消費電子、網(wǎng)通電子、汽車電子等應用的多元化，都在帶動存儲芯片需求增長。

并且隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長、應用場景的不斷豐富以及用戶對性能、成本、安全和效率要求的提升，傳統(tǒng)的單一存儲架構(gòu)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代業(yè)務需求。

不過東芯半導體并未盲目追逐產(chǎn)能擴張，而是選擇了一條“向內(nèi)深耕”的精細化發(fā)展之路。通過不斷深入了解市場需求，接受客戶反饋，建立了從研發(fā)到轉(zhuǎn)化再到創(chuàng)新的技術發(fā)展循環(huán)。

作為國內(nèi)少數(shù)能夠同時提供NAND、NOR、DRAM全品類設計工藝的企業(yè)，東芯半導體堅持Fabless模式下的自主創(chuàng)新。在核心技術上，公司1xnm NAND Flash產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，NOR Flash推進至48nm工藝，DRAM產(chǎn)品線亦在DDR3、LPDDR4等領域不斷完善布局。

針對物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的嚴苛環(huán)境，東芯半導體構(gòu)建了六大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，涵蓋SPINAND Flash、PPI NAND Flash、DDR3（L）、SPI NOR Flash、LPDDR1/2/4X及MCP等，產(chǎn)品在寬溫范圍、高傳輸速率及低功耗方面表現(xiàn)優(yōu)異。

尤為值得一提的是，東芯半導體通過積極拓展境內(nèi)外雙代工模式，實現(xiàn)了從設計到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案，有力地保障了產(chǎn)業(yè)鏈的安全與穩(wěn)定。

在夯實存儲主業(yè)的基礎上，東芯半導體積極“向外探索”，向高附加值的車規(guī)級應用領域邁進。目前，公司的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP等產(chǎn)品已有多個料號通過AEC-Q100車規(guī)級驗證，并成功導入多家國內(nèi)整車廠白名單及海外Tier1供應鏈，廣泛應用于車載娛樂系統(tǒng)、激光雷達、T-BOX及ADAS等核心場景。

更具前瞻性的是，東芯半導體圍繞“存、算、聯(lián)”一體化進行生態(tài)布局。通過對礪算科技及上海億芯通感的投資，公司成功切入GPU芯片與Wi-Fi芯片領域。

據(jù)介紹，其首款自研GPU芯片“7G100”已于2025年流片成功，Wi-Fi7無線通信芯片研發(fā)也在持續(xù)推進，并已經(jīng)完成原型機樣片測試。這種以存儲為核心，向算力與連接領域輻射的生態(tài)戰(zhàn)略，為東芯半導體在AI與萬物互聯(lián)時代的競爭提供了差異化優(yōu)勢。

從深耕中小容量存儲技術，到布局“存、算、聯(lián)”一體化生態(tài)，東芯半導體正通過技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，積極響應國產(chǎn)替代與產(chǎn)業(yè)升級的號召。未來，東芯半導體將繼續(xù)以市場需求為導向，通過構(gòu)建自主可控的存儲生態(tài)共同體，為數(shù)字經(jīng)濟的穩(wěn)健發(fā)展提供堅實的底層支撐。

年度存儲器產(chǎn)品

值得一提的是，本次東芯半導體榮獲中國IC設計成就獎之年度存儲器，獲獎產(chǎn)品為DS25M4CB-16A1B8。這是一款SPI NOR Flash，基于55nm工藝制程，容量為512Mbit（64MB）。

性能上，采用1.8V供電，相比傳統(tǒng)3.3V NOR Flash，功耗更低，適合電池供電及對功耗敏感的可穿戴、移動終端等應用。工作溫度為-40°C~125°C，覆蓋工業(yè)級乃至車規(guī)級溫度范圍。

具備最高166MHz時鐘，在SPI NOR Flash中屬于較高速度檔次，有利于提升代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)吞吐速率。

還支持Single SPI，兼容傳統(tǒng)SPI主控，支持Dual/Quad SPI，可通過多線傳輸提升帶寬，也支持QPI，全部四線用于指令與地址，進一步提升命令、數(shù)據(jù)傳輸效率。

具備DTR（Double Transfer Rate）模式，能夠在時鐘上升沿和下降沿均進行數(shù)據(jù)傳輸，在不提高時鐘頻率的情況下，可將有效數(shù)據(jù)吞吐量翻倍。

這些功能的加入，對于需要從NOR Flash 直接運行代碼的MCU或SoC而言，能夠有效減少啟動時間、提升實時響應能力。目前該款產(chǎn)品已通過AEC-Q100測試，對于國產(chǎn)替代與供應鏈安全訴求較強的整車廠與Tier1，這類本土車規(guī)級存儲芯片是重要的備選方案。

此外，在本次公開活動中，東芯半導體還展示了全系列存儲產(chǎn)品，例如SPINAND Flash，單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內(nèi)部ECC模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，既節(jié)約了空間，又提升了穩(wěn)定性。產(chǎn)品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，目前工藝制程已經(jīng)推進至1xnm先進工藝制程。

產(chǎn)品可提供1.8V/3.3V兩種電壓，具備WSON、BGA、LGA多種封裝形式，不僅能滿足常規(guī)應用場景，使其在目前日益普及的由電池驅(qū)動的移動互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設備中保持低功耗，有效延長設備的待機時間，也更靈活地適用于不同應用場景。

同時，現(xiàn)場還展示了東芯的DDR3（L）產(chǎn)品，具備高傳輸速率以及低工作電壓?？商峁?.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標準SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構(gòu)和8個內(nèi)部bank的DDR3 SDRAM，是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

在MCP系列產(chǎn)品上，具有NAND Flash和DDR多種容量組合，F(xiàn)lash和DDR均為低電壓的設計，核心電壓1.8V可滿足目前移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2/LPDDR4X多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝，簡化走線設計，節(jié)省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

總結(jié)

從對市場趨勢的敏銳洞察，到全品類技術布局的扎實落地，東芯半導體展示的不僅是技術成果，更是一種“長期主義”的研發(fā)哲學。在萬物互聯(lián)的智能時代，東芯半導體正以自主可控的核心設計能力，回應著產(chǎn)業(yè)對高品質(zhì)存儲的迫切需求，與全球合作伙伴共同探索存儲技術的無限可能。