基于CoolSET? ICE3RBR4765JG的3W 5V物聯(lián)網離線隔離電源設計
在物聯(lián)網(IoT)設備蓬勃發(fā)展的今天,低功耗、高可靠性的離線開關電源(SMPS)需求日益增長。本文將詳細介紹一款基于英飛凌CoolSET? ICE3RBR4765JG電流模式控制器的3W 5V物聯(lián)網離線隔離電源設計,涵蓋技術規(guī)格、產品特性、電路設計、測試結果等方面,希望能為電源設計工程師提供有價值的參考。
一、引言
本設計是一個5V、3W的離線反激式電源工程報告,采用英飛凌CoolSET?抖動系列的ICE3RBR4765JG作為反激控制器。該控制器內置650V CoolMOS?作為主開關元件和啟動單元,參考設計板工作在不連續(xù)導通模式(DCM),開關頻率為65kHz。輸出為單路5V / 600mA,通過次級側調節(jié)實現(xiàn)。主動突發(fā)模式(ABM)操作提供極低的待機功耗(在輸入電壓范圍180Vac - 265Vac內小于13mW),內置頻率抖動和軟啟動操作實現(xiàn)低電磁干擾(EMI)。
二、技術規(guī)格
| 項目 | 規(guī)格 |
|---|---|
| 輸入電壓 | 180V ac - 265V ac |
| 線頻率 | 50Hz, 60Hz |
| 輸出電壓 | 5V ± 5% |
| 額定輸出電流 | 600mA |
| 額定輸出功率 | 3W |
| 效率 | 79% @ 230V ac,滿載 |
| 輸出電壓紋波(最大) | <80mVpp |
| 空載功耗 @Vin: 180Vac - 265Vac | <13mW |
| 10mA負載時功耗 | <100mW |
| 設備尺寸 | 50mm x 23.5mm x 14mm (L x W x H) |
| 隔離 | 初級和次級側之間加強隔離 |
三、ICE3RBR4765JG產品特性
- 650V雪崩堅固型CoolMOS?:內置啟動單元,提供穩(wěn)定可靠的開關性能。
- 主動突發(fā)模式(ABM):實現(xiàn)最低待機功耗,在輕載時顯著提高效率。
- 65kHz內部固定開關頻率:確保電源工作的穩(wěn)定性。
- 自動重啟保護模式:針對過載、開環(huán)、VCC欠壓、過溫和VCC過壓等故障提供保護。
- 內置軟啟動:減少啟動時的電流沖擊,保護電路元件。
- 快速負載跳變響應:在ABM模式下能快速響應負載變化。
- 內部PWM前沿消隱:防止前沿尖峰對電流限制的干擾。
- 內置頻率抖動和軟驅動:降低電磁干擾。
- BiCMOS技術:提供寬VCC范圍。
四、電路描述
4.1 電路原理圖
電路原理圖展示了電源的整體架構,包含輸入整流、EMI濾波、初級側緩沖、次級側整流、反饋回路等部分。
4.2 電路特點
該電路具有簡單、小尺寸和極低空載功耗的特點。為了實現(xiàn)小尺寸,選擇了高度和PCB占用面積較小的元件。通過優(yōu)化關鍵元件和控制器的功耗,實現(xiàn)了極低的空載功耗。
4.3 線輸入整流
輸入電壓范圍為180Vac - 265Vac,采用兩線供電,無保護接地連接。輸入整流電路包括保險絲F1、串聯(lián)電阻R1、壓敏電阻V1和標準橋式整流器BR1。F1為徑向封裝的500mA慢熔保險絲,壓敏電阻用于浪涌和過電壓保護,電阻R1限制浪涌電流并降低EMI。
4.4 初級側EMI濾波器
整流后的輸入電壓通過電容C1和C2濾波,L1為EMI抑制器,用于抑制初級電流中的高頻尖峰。C1和C2選用SMD封裝的1uF 450V陶瓷電容,在180Vac輸入和滿載時,C1和C2將放電至約180V,265V輸入時整流電壓最大值為375V。
4.5 初級側緩沖
當CoolMOS? MOSFET關斷時,變壓器漏感會產生高漏極電壓尖峰,通過RC緩沖電路進行阻尼。D1為高壓超快二極管,C4根據振蕩周期和CoolMOS? MOSFET漏極的電壓過沖選擇,R2的值和功率額定值取決于初級電感的最大峰值電流和CoolMOS? MOSFET的電壓過沖。緩沖電路還能抑制輻射EMI。
4.6 CoolSET?控制器電源
當施加輸入電壓時,IC通過內置啟動單元開始對其VCC電容充電。當VCC電壓低于欠壓閾值10.5V時,啟動單元激活,將VCC充電電流控制在0.9mA。當VCC電壓超過導通閾值18V時,芯片開始工作,啟動單元關閉。通過對啟動VCC電壓實現(xiàn)滯后,避免開機時的不受控振蕩。
4.7 次級側整流
次級側整流電路為簡單的二極管整流器,帶有濾波電容。二極管D3選用肖特基類型,滿足電流和反向電壓要求,其低正向電壓降低了D3的功率損耗,提高了整體效率。輸出電容C9和C10的選擇直接影響輸出電壓紋波、待機功耗和主動突發(fā)模式下的重復時間周期。通過組合超低ESR電容和普通電容,可將最大輸出電壓紋波控制在80mVpp以內,待機功耗控制在13mW以內。
4.8 反饋回路電路
反饋回路的主要要求是匹配動態(tài)變化的負載并提供穩(wěn)定的系統(tǒng)控制。輸出電壓通過LMV431精密并聯(lián)穩(wěn)壓器進行檢測,電阻R7和R8將輸出電壓設置為5V。R4決定光耦(U2)的二極管電流,對快速瞬態(tài)響應和待機功耗很重要。光耦U2根據其電流傳輸比(CTR)和低輸入電流進行選擇,同時確保封裝具有合適的爬電距離。反饋回路的元件選擇較為復雜,大多數(shù)元件值通過測試確定。
五、CoolSET? ICE3RBR4765JG控制器
5.1 啟動
內置啟動單元使ICE3RBR4765JG無需外部啟動電阻即可啟動。啟動時,啟動單元將漏極引腳連接到IC的VCC引腳,將外部電容充電至18V,此時VCC引腳由輔助繞組供電。啟動階段,IC提供軟啟動功能,通過32步增加占空比逐漸增加初級電流,軟啟動階段在IC開啟(VCC超過18V)20ms后結束。
5.2 初級峰值電流控制
初級電流通過外部分流電阻R3和R13進行檢測,信號放大后與反饋信號進行逐周期峰值電流限制操作。如果放大后的電流檢測信號超過反饋信號,驅動器的導通時間Ton關閉。電阻R3和R13決定集成CoolMOS? MOSFET的最大峰值電流,從而限制最大輸出功率。當電流檢測電壓超過閾值Vcsth = 1.03V時,觸發(fā)過載保護。集成的傳播延遲補償減少了交流輸入電壓對最大輸出功率的影響,前沿消隱用于保護電流限制免受前沿尖峰的干擾。在主動突發(fā)模式下,初級峰值電流限制降低至VCS = 0.34V,降低了傳導損耗和可聽噪聲。
5.3 主動突發(fā)模式(ABM)
系統(tǒng)在輕載條件下進入ABM模式,顯著提高輕載效率,同時保持Vout的低紋波和快速負載階躍響應。系統(tǒng)進入ABM的條件是反饋信號下降并在20ms消隱時間內保持低于1.35V,以防止因負載大階躍變化而進入ABM。進入ABM時,IC的電流消耗降低至約450μA,VCC必須保持在欠壓鎖定電平10.5V以上,以防止啟動單元開啟和IC重啟。反饋信號在IC開始開關時為3.5V,停止開關時為3.0V,負載階躍變化時反饋信號將立即增加。當反饋信號超過4.0V時,系統(tǒng)退出ABM模式。
5.4 保護模式和自動重啟
| IC提供自動重啟模式作為保護功能,防止設備損壞。可能的系統(tǒng)故障、條件和相應的保護模式如下: | 保護功能 | 故障條件 | 保護模式 |
|---|---|---|---|
| VCC過壓 | 1. VVCC > 20.5V & FB > 4V & 在軟啟動期間 & 持續(xù)30μs 2. VVCC > 25.5V & 持續(xù)(120 + 30)μs(突發(fā)模式下無效) |
自動重啟 | |
| 過溫(控制器結溫) | TJ > 140°C & 持續(xù)30μs | 自動重啟 | |
| 過載/開環(huán) | VFB > 4V & 持續(xù)20ms & VBA > 4.0V & 持續(xù)30μs(從VBA從0.9V充電到4.0V開始計算延長消隱時間) | 自動重啟 | |
| VCC欠壓/光耦短路 | VVCC < 10.5V & 持續(xù)10ms + 30μs | 自動重啟 | |
| 自動重啟使能 | VBA < 0.33V & 持續(xù)30μs | 自動重啟 |
當系統(tǒng)進入自動重啟模式時,IC關閉,開關停止,VCC開始下降。當VCC達到關斷閾值10.5V時,啟動單元開啟,將VCC充電至導通閾值18V,使IC再次開啟。啟動階段后,如果故障條件仍然存在,IC將再次進入自動重啟模式,否則系統(tǒng)將恢復正常運行。
六、PCB布局
PCB為雙層雙面設計,采用標準1.5mm厚度和1oz銅制造。初級和次級側之間的爬電距離根據加強隔離要求設置,整體PCB尺寸為50mm x 23.5mm。
七、物料清單
詳細列出了電源設計中使用的各個元件的型號、制造商和規(guī)格,為實際設計和生產提供了明確的參考。
八、變壓器規(guī)格
8.1 電氣原理圖
展示了變壓器的電氣連接和繞組情況。
8.2 電氣規(guī)格
包括初級電感、初級匝數(shù)、次級匝數(shù)、輔助匝數(shù)等參數(shù)。
8.3 材料
介紹了變壓器的鐵芯、線圈骨架、繞組導線和絕緣膠帶等材料。
8.4 變壓器構建圖
展示了變壓器的具體構建方式。
8.5 變壓器設計
由Würth Elektronik設計,提供了詳細的電氣參數(shù)和測試條件。
九、測試結果
9.1 效率
在室溫穩(wěn)態(tài)下進行效率測量,線頻率為50Hz。測量結果顯示了效率隨交流輸入電壓和輸出功率的變化情況。
9.2 空載功耗
使用功率分析儀YOKOGAWA WT3000測量空載輸入功率,測量結果顯示了空載功耗隨輸入電壓的變化情況。
9.3 輕載功耗
測量了輸出功率為50mW時的功率消耗隨輸入電壓的變化情況。
9.4 線和負載調節(jié)
展示了滿載時輸出電壓隨交流輸入電壓的變化(線調節(jié))和輸入電壓為230Vac時輸出電壓隨輸出功率的變化(負載調節(jié))。
9.5 輸出電壓紋波
最大輸出電壓紋波為70mVpp,測量結果顯示了不同輸入電壓和輸出電流下的輸出電壓紋波情況。
9.6 熱性能
使用FLIR T600熱成像儀在滿載運行45分鐘后拍攝熱圖像,最熱的元件是二極管D3,溫度為54°C,控制器溫度為49°C,環(huán)境溫度為25°C。
十、波形
10.1 穩(wěn)態(tài)開關波形
展示了CoolMOS?漏極和源極電壓在230V和滿載時的波形。
10.2 啟動波形
捕獲了230V和滿載(電阻負載)時的啟動波形,包括漏極電壓和VCC電壓的啟動曲線。
10.3 輸出電壓紋波
展示了230V和滿載時的輸出電壓紋波波形。
10.4 主動突發(fā)模式
展示了空載和10mA負載時的主動突發(fā)模式波形。
10.5 負載瞬態(tài)響應
負載在50%和100%之間以10ms周期切換,轉換速率為0.2A/μs,展示了輸出電壓和輸出電流的響應波形。
10.6 輸出電壓過沖和下沖
測試了負載從滿載到空載和反之的輸出電壓過沖和下沖情況,以及交流線路中斷時的輸出電壓過沖情況。
十一、傳導EMI
根據測試標準EN55022 B類,在Vin = 230Vac和滿載時測量傳導EMI,測量結果展示了線路和中性線的EMI情況。
十二、總結
本設計基于英飛凌CoolSET? ICE3RBR4765JG電流模式控制器,實現(xiàn)了一款低功耗、高可靠性的3W 5V物聯(lián)網離線隔離電源。通過優(yōu)化電路設計、元件選擇和控制策略,該電源具有高效率、低待機功耗、低EMI等優(yōu)點。測試結果驗證了設計的性能和穩(wěn)定性,為物聯(lián)網設備的電源設計提供了一個可行的解決方案。
你在實際設計中是否遇到過類似的電源設計挑戰(zhàn)?對于本設計中的某些技術細節(jié),你有什么疑問或不同的見解嗎?歡迎在評論區(qū)留言討論。
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