探索 onsemi FCH070N60E：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

作為電子工程師，在選擇合適的 MOSFET 時，我們通常會關注器件的性能、特性以及應用場景。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 FCH070N60E，一款高性能的 N 溝道 MOSFET。

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一、SUPERFET II 技術亮點

FCH070N60E 采用了 onsemi 的 SUPERFET II 技術，這是一種全新的高壓超結（SJ）MOSFET 技術。它運用了電荷平衡技術，具備出色的低導通電阻和較低的柵極電荷性能。這種技術能有效降低傳導損耗，提供卓越的開關性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。

與普通的 SUPERFET II MOSFET 系列相比，F(xiàn)CH070N60E 屬于 easy - drive 系列，其上升和下降時間稍慢。型號后綴的“E”表明該系列有助于管理 EMI 問題，使設計更容易實現(xiàn)。如果在對開關損耗要求極低的應用中需要更快的開關速度，工程師們可以考慮 SUPERFET II MOSFET 系列。

二、關鍵特性剖析

1. 低導通電阻

典型的 (R{DS(on)}) 為 58 mΩ，在 (V{GS}=10V) 時，最大 (R_{DS(on)}) 為 70 mΩ。低導通電阻意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗更小，能有效提高電路效率。

2. 高耐壓能力

在 (T{J}=150^{circ}C) 時，能承受 650 V 的電壓；在 (T{C}=25^{circ}C) 時，漏源電壓 (V_{DSS}) 最大為 600 V。這使得 FCH070N60E 適用于高壓應用場景。

3. 超低柵極電荷

典型的 (Q_{g}=128 nC)，低柵極電荷可以減少開關過程中的能量損耗，提高開關速度，降低開關損耗。

4. 低有效輸出電容

典型的 (C_{oss(eff.)}=457 pF)，低輸出電容有助于減少開關過程中的電壓尖峰和振蕩，提高電路的穩(wěn)定性。

5. 100% 雪崩測試

經(jīng)過 100% 雪崩測試，說明該器件具有良好的雪崩能量承受能力，能在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定。

三、電氣特性詳解

1. 截止特性

• 漏源擊穿電壓 (B{V D S S})：在 (I{D}=10 mA)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C) 時為 600 V；在 (T_{J}=150^{circ}C) 時為 650 V。擊穿電壓溫度系數(shù)為 0.7 V/°C。
• 零柵壓漏電流 (I{D S S})：在 (V{D S}=600 V)，(V{G S}=0 V) 時為 1 A；在 (V{D S}=480 V)，(V{G S}=0 V)，(T{C}=125^{circ}C) 時為 3.4 A。
• 柵體泄漏電流 (I{G S S})：在 (V{G S}=pm20 V)，(V_{D S}=0 V) 時為 (pm100 nA)。

2. 導通特性

• 柵極閾值電壓 (V{G S(th)})：在 (V{G S}=V{D S})，(I{D}=250 mu A) 時，范圍為 2.5 - 3.5 V。
• 導通電阻 (R{D S(on)})：在 (V{G S}=10 V)，(I_{D}=26 A) 時，典型值為 58 mΩ，最大值為 70 mΩ。
• 跨導 (g_{f s})：典型值為 44。

3. 動態(tài)特性

• 輸入電容 (C{i s s})：在 (V{D S}=380 V)，(V_{G S}=0V)，(f = 1 MHz) 時，范圍為 3705 - 4925 pF。
• 輸出電容 (C_{o s s})：范圍為 116 - 155 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{r s s})：范圍為 12.3 - 20 pF。
• 有效輸出電容 (C{o s s(eff.)})：在 (V{D S}=0V) 到 480 V，(V_{G S}=0V) 時為 457 pF。
• 總柵極電荷 (Q{g(tot)})：在 (V{D S}=380 V)，(I{D}=26 A)，(V{G S}=10V) 時，范圍為 128 - 166 nC。
• 柵源柵極電荷 (Q{g s}) 為 18 nC，柵漏“米勒”電荷 (Q{g d}) 為 54 nC。
• 等效串聯(lián)電阻 (E_{S R})：在 (f = 1 MHz) 時為 0.6 Ω。

4. 開關特性

• 開啟延遲時間 (t_{d(on)})：范圍為 29 - 68 ns。
• 開啟上升時間 (t_{r})：范圍為 28 - 66 ns。
• 關斷延遲時間 (t_{d(off)})：范圍為 122 - 254 ns。
• 關斷下降時間 (t_{f})：范圍為 28 - 66 ns。

5. 漏源二極管特性

• 最大連續(xù)源漏二極管正向電流 (I{S}) 和最大脈沖漏源二極管正向電流 (I{S M}) 分別為 52 A 和 156 A。
• 漏源二極管正向電壓 (V{S D})：在 (V{G S}=0V)，(I_{S D}=26A) 時為 1.2 V。
• 反向恢復時間 (t{r r})：在 (V{G S}=0V)，(I{S D}=26 A)，(dI{D}/dt = 100 A/mu s) 時為 463 ns。
• 反向恢復電荷 (Q_{r r}) 為 10.4 C。

四、應用領域廣泛

FCH070N60E 適用于多種應用場景，主要包括電信/服務器電源和工業(yè)電源。在這些應用中，其高性能的特性能夠滿足電源系統(tǒng)對效率、穩(wěn)定性和可靠性的要求。

五、封裝與訂購信息

FCH070N60E 采用 TO - 247 封裝，包裝方式為 Tube，每管 30 個。工程師們在訂購時，可以參考數(shù)據(jù)手冊第 2 頁的詳細訂購和運輸信息。

六、總結

FCH070N60E 憑借其卓越的性能和特性，為電子工程師在設計高壓電源系統(tǒng)時提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，我們需要根據(jù)具體的電路需求，合理選擇 MOSFET 的參數(shù)，以確保電路的性能和穩(wěn)定性。大家在使用 FCH070N60E 過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。