解析ON Semiconductor的NTD250N65S3H MOSFET
在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源系統(tǒng)中。今天我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor(現(xiàn)更名為onsemi)推出的NTD250N65S3H這款N溝道功率MOSFET。
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1. 產(chǎn)品概述
NTD250N65S3H屬于SUPERFET III系列,這是ON Semiconductor全新的高壓超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該系列采用了電荷平衡技術(shù),具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)能有效降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并且能夠承受極高的dv/dt速率,有助于減小各種電源系統(tǒng)的體積并提高系統(tǒng)效率。
2. 產(chǎn)品特性
2.1 電氣特性
- 耐壓能力:在(T{J}=150^{circ}C)時(shí),耐壓可達(dá)700V;常溫下,漏源擊穿電壓(BVDSS)在(V{GS}=0V),(I{D}=1mA),(T{J}=25^{circ}C)條件下為650V。
- 導(dǎo)通電阻:典型的(R{DS(on)}=201mOmega) ,在(V{GS}=10V),(I_{D}=6.5A)時(shí),靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻表現(xiàn)良好。
- 柵極電荷:超低的柵極電荷,典型值(Q_{g}=24nC),這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
- 輸出電容:低有效的輸出電容,典型值(C_{oss(eff.)}=229pF) ,有利于提高開(kāi)關(guān)速度。
2.2 其他特性
- 雪崩測(cè)試:該器件經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試,保證了其在雪崩狀態(tài)下的可靠性。
- 環(huán)保特性:這些器件為無(wú)鉛產(chǎn)品,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
3. 應(yīng)用領(lǐng)域
NTD250N65S3H適用于多種電源系統(tǒng),具體包括:
- 計(jì)算/顯示電源:為計(jì)算機(jī)和顯示器的電源提供穩(wěn)定的功率支持。
- 電信/服務(wù)器電源:滿足電信設(shè)備和服務(wù)器對(duì)電源的高要求。
- 工業(yè)電源:可用于工業(yè)設(shè)備的電源系統(tǒng),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
- 照明/充電器/適配器:為照明設(shè)備、充電器和適配器等提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
4. 絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 650 | V |
| 柵源電壓(DC) | (V_{GSS}) | ±30 | V |
| 柵源電壓(AC,(f > 1Hz)) | (V_{GSS}) | ±30 | V |
| 連續(xù)漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{D}) | 13 | A |
| 連續(xù)漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) | (I_{D}) | 8 | A |
| 脈沖漏極電流 | (I_{DM}) | 36 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | (E_{AS}) | 108 | mJ |
| 雪崩電流 | (I_{AS}) | 2.9 | A |
| 重復(fù)雪崩能量 | (E_{AR}) | 1.06 | mJ |
| MOSFET dv/dt | (dv/dt) | 120 | V/ns |
| 峰值二極管恢復(fù)dv/dt | (dv/dt) | 20 | V/ns |
| 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | (P_{D}) | 106 | W |
| 25°C以上降額系數(shù) | - | 0.85 | W/°C |
| 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 | (T{J}, T{STG}) | -55 to +150 | °C |
| 焊接時(shí)最大引腳溫度(距外殼1/8″,5s) | (T_{L}) | 260 | °C |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過(guò)這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。
5. 熱特性
器件在(1in^{2})的2oz銅焊盤(pán)(位于1.5 x 1.5 in.的FR - 4材料板上)上的熱阻為40°C/W。
6. 封裝和訂購(gòu)信息
| 部件編號(hào) | 頂部標(biāo)記 | 封裝 | 卷軸尺寸 | 膠帶寬度 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTD250N65S3H | T250N65S3H | D - PAK | 330 mm | 16 mm | 2500/ Tape & Reel |
對(duì)于膠帶和卷軸規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
7. 典型特性曲線
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。
8. 測(cè)試電路和波形
文檔還給出了柵極電荷測(cè)試電路及波形、電阻開(kāi)關(guān)測(cè)試電路及波形、非鉗位電感開(kāi)關(guān)測(cè)試電路及波形以及峰值二極管恢復(fù)dv/dt測(cè)試電路及波形,幫助工程師更好地理解器件的工作原理和性能。
在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中,電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合這些特性和參數(shù),合理選擇和使用NTD250N65S3H MOSFET。大家在使用過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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