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解析ON Semiconductor的NTD250N65S3H MOSFET

lhl545545 ? 2026-03-30 15:10 ? 次閱讀
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解析ON Semiconductor的NTD250N65S3H MOSFET

在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源系統(tǒng)中。今天我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor(現(xiàn)更名為onsemi)推出的NTD250N65S3H這款N溝道功率MOSFET。

文件下載:NTD250N65S3H-D.PDF

1. 產(chǎn)品概述

NTD250N65S3H屬于SUPERFET III系列,這是ON Semiconductor全新的高壓超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該系列采用了電荷平衡技術(shù),具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)能有效降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并且能夠承受極高的dv/dt速率,有助于減小各種電源系統(tǒng)的體積并提高系統(tǒng)效率。

2. 產(chǎn)品特性

2.1 電氣特性

  • 耐壓能力:在(T{J}=150^{circ}C)時(shí),耐壓可達(dá)700V;常溫下,漏源擊穿電壓(BVDSS)在(V{GS}=0V),(I{D}=1mA),(T{J}=25^{circ}C)條件下為650V。
  • 導(dǎo)通電阻:典型的(R{DS(on)}=201mOmega) ,在(V{GS}=10V),(I_{D}=6.5A)時(shí),靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻表現(xiàn)良好。
  • 柵極電荷:超低的柵極電荷,典型值(Q_{g}=24nC),這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
  • 輸出電容:低有效的輸出電容,典型值(C_{oss(eff.)}=229pF) ,有利于提高開(kāi)關(guān)速度。

2.2 其他特性

  • 雪崩測(cè)試:該器件經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試,保證了其在雪崩狀態(tài)下的可靠性。
  • 環(huán)保特性:這些器件為無(wú)鉛產(chǎn)品,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

NTD250N65S3H適用于多種電源系統(tǒng),具體包括:

  • 計(jì)算/顯示電源:為計(jì)算機(jī)和顯示器的電源提供穩(wěn)定的功率支持。
  • 電信/服務(wù)器電源:滿足電信設(shè)備和服務(wù)器對(duì)電源的高要求。
  • 工業(yè)電源:可用于工業(yè)設(shè)備的電源系統(tǒng),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
  • 照明/充電器/適配器:為照明設(shè)備、充電器和適配器等提供高效的功率轉(zhuǎn)換。

4. 絕對(duì)最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 數(shù)值 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 650 V
柵源電壓(DC (V_{GSS}) ±30 V
柵源電壓(AC,(f > 1Hz)) (V_{GSS}) ±30 V
連續(xù)漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{D}) 13 A
連續(xù)漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) (I_{D}) 8 A
脈沖漏極電流 (I_{DM}) 36 A
單脈沖雪崩能量 (E_{AS}) 108 mJ
雪崩電流 (I_{AS}) 2.9 A
重復(fù)雪崩能量 (E_{AR}) 1.06 mJ
MOSFET dv/dt (dv/dt) 120 V/ns
峰值二極管恢復(fù)dv/dt (dv/dt) 20 V/ns
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) (P_{D}) 106 W
25°C以上降額系數(shù) - 0.85 W/°C
工作和存儲(chǔ)溫度范圍 (T{J}, T{STG}) -55 to +150 °C
焊接時(shí)最大引腳溫度(距外殼1/8″,5s) (T_{L}) 260 °C

需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過(guò)這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

5. 熱特性

器件在(1in^{2})的2oz銅焊盤(pán)(位于1.5 x 1.5 in.的FR - 4材料板上)上的熱阻為40°C/W。

6. 封裝和訂購(gòu)信息

部件編號(hào) 頂部標(biāo)記 封裝 卷軸尺寸 膠帶寬度 包裝數(shù)量
NTD250N65S3H T250N65S3H D - PAK 330 mm 16 mm 2500/ Tape & Reel

對(duì)于膠帶和卷軸規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

7. 典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。

8. 測(cè)試電路和波形

文檔還給出了柵極電荷測(cè)試電路及波形、電阻開(kāi)關(guān)測(cè)試電路及波形、非鉗位電感開(kāi)關(guān)測(cè)試電路及波形以及峰值二極管恢復(fù)dv/dt測(cè)試電路及波形,幫助工程師更好地理解器件的工作原理和性能。

在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中,電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合這些特性和參數(shù),合理選擇和使用NTD250N65S3H MOSFET。大家在使用過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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