91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

onsemi ECH8697R雙N溝道功率MOSFET的特性與應(yīng)用

lhl545545 ? 2026-03-31 16:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

onsemi ECH8697R雙N溝道功率MOSFET的特性與應(yīng)用

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET作為關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各類電源管理開關(guān)電路中。今天,我們來深入了解onsemi公司的ECH8697R雙N溝道功率MOSFET,它在1 - 2節(jié)鋰離子電池應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

文件下載:ECH8697R-D.PDF

產(chǎn)品概述

ECH8697R是一款雙N溝道功率MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻的特性,適用于便攜式設(shè)備的電源開關(guān)等應(yīng)用,尤其適合1 - 2節(jié)鋰離子電池的相關(guān)應(yīng)用。其引腳定義為:1為Source1,2為Gate1,3為Source2,4為Gate2,5 - 8均為Drain。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

該MOSFET能夠在不同的驅(qū)動電壓下保持較低的導(dǎo)通電阻。例如,在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=5A)的條件下,導(dǎo)通電阻的典型值為(9.3mΩ),最大值為(11.6mΩ);當(dāng)(V{GS}=4.0V)、(I{D}=5A)時,典型值為(9.7mΩ),最大值為(12.6mΩ)。低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗,提高電路效率。

共漏極類型

這種類型的設(shè)計(jì)使得電路布局更加靈活,方便工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)

ESD二極管保護(hù)柵極

能有效防止靜電放電對柵極造成損壞,增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

內(nèi)置柵極保護(hù)電阻

進(jìn)一步保護(hù)柵極,提高了器件的抗干擾能力。

環(huán)保特性

該器件符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。

絕對最大額定值

在使用ECH8697R時,需要注意其絕對最大額定值,以避免對器件造成損壞。以下是部分重要參數(shù): 參數(shù) 符號 數(shù)值 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 24 V
柵源電壓 (V_{GSS}) + 12.5 V
直流漏極電流 (I_{D}) 10 A
脈沖漏極電流(脈寬≤10μs,占空比≤1%) (I_{DP}) 60 A
功率耗散(陶瓷基板表面安裝,(1000mm^{2}×0.8mm),單器件) (P_{D}) 1.5 W
總耗散(陶瓷基板表面安裝,(1000mm^{2}×0.8mm)) (P_{T}) 1.6 W
結(jié)溫 (T_{j}) 150 °C
儲存溫度 (T_{stg}) - 55 至 + 150 °C

如果超過這些額定值,可能會導(dǎo)致器件損壞,影響其功能和可靠性。

電氣特性

擊穿電壓

漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(I{D}=1mA)、(V_{GS}=0V)的條件下為(24V)。

漏極電流和柵極泄漏電流

零柵壓漏極電流(I{DSS})在(V{DS}=20V)、(V{GS}=0V)時,最大值為(1μA);柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}= + 8V)、(V{DS}=0V)時,最大值為(pm1μA)。

柵極閾值電壓

柵極閾值電壓(V{GS(th)})在(V{DS}=10V)、(I_{D}=1mA)的條件下,最小值為(0.5V),最大值為(1.3V)。

跨導(dǎo)

正向跨導(dǎo)(g{fs})在(V{DS}=10V)、(I_{D}=5A)時,典型值為(5.0S)。

開關(guān)特性

開關(guān)時間包括導(dǎo)通延遲時間(t{d(on)})、上升時間(t{r})、關(guān)斷延遲時間(t{d(off)})和下降時間(t{f})。不同測試電路下的開關(guān)時間有所不同,例如在測試電路1中,導(dǎo)通延遲時間典型值為(160ns),上升時間典型值為(230ns);在測試電路2中,關(guān)斷延遲時間典型值分別為(19.7μs)和(980μs)。

柵極電荷

總柵極電荷(Q{g})典型值為(6nC),柵源電荷(Q{gs})在(V{DS}=10V)、(V{GS}=4.5V)、(I{D}=10A)時,典型值為(1.1nC),柵漏“米勒”電荷(Q{gd})典型值為(0.9nC)。

正向二極管電壓

正向二極管電壓(V{SD})在(I{S}=10A)、(V_{GS}=0V)時,典型值為(0.8V),最大值為(1.2V)。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線,如(I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A})等曲線。這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)這些曲線來選擇合適的工作點(diǎn)和設(shè)計(jì)參數(shù)。例如,通過(R{DS(on)}-T{A})曲線可以了解導(dǎo)通電阻隨環(huán)境溫度的變化情況,從而在不同的環(huán)境溫度下合理設(shè)計(jì)電路。

應(yīng)用場景

ECH8697R主要應(yīng)用于1 - 2節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)。在鋰離子電池管理系統(tǒng)中,其低導(dǎo)通電阻可以減少電池充放電過程中的能量損耗,提高電池的使用效率和壽命。同時,其良好的開關(guān)特性能夠快速、準(zhǔn)確地控制電池的充放電過程,保證電池的安全和穩(wěn)定。

訂購信息

ECH8697R的產(chǎn)品型號為ECH8697R - TL - W,采用SOT - 28FL / ECH8封裝,每盤3000個,以卷帶包裝形式供貨。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考BRD8011 / D手冊。

使用注意事項(xiàng)

由于ECH8697R是MOSFET產(chǎn)品,應(yīng)避免在高電荷物體附近使用該器件。如果需要用于指定應(yīng)用以外的場景,請聯(lián)系銷售部門。

總之,onsemi的ECH8697R雙N溝道功率MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)特性和可靠的保護(hù)功能,為1 - 2節(jié)鋰離子電池應(yīng)用提供了優(yōu)秀的解決方案。電子工程師設(shè)計(jì)相關(guān)電路時,可以充分利用其特性,提高電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    onsemi NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET特性與應(yīng)用詳解

    作為電子工程師,在設(shè)計(jì)過程中,選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:34 ?512次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NVTYS020<b class='flag-5'>N</b>08HL <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>特性</b>與應(yīng)用詳解

    Onsemi NVMFD027N10MCLN溝道MOSFET:設(shè)計(jì)利器解析

    作為電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時,選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)聊聊Onsemi的NVMFD027N10MCL,一款100V、26mΩ、28A的
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:23 ?426次閱讀
    <b class='flag-5'>Onsemi</b> NVMFD027<b class='flag-5'>N</b>10MCL<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>:設(shè)計(jì)利器解析

    深入剖析 onsemi FCP125N65S3R0:高性能 N 溝道 MOSFET 的應(yīng)用與特性

    深入剖析 onsemi FCP125N65S3R0:高性能 N 溝道 MOSFET 的應(yīng)用與特性
    的頭像 發(fā)表于 03-27 17:35 ?513次閱讀

    Onsemi N溝道MOSFET FQU2N100和FQD2N100的特性與應(yīng)用

    Onsemi N溝道MOSFET FQU2N100和FQD2N100的
    的頭像 發(fā)表于 03-30 11:20 ?108次閱讀

    onsemi ECH8420 N溝道功率MOSFET特性與應(yīng)用解析

    onsemi ECH8420 N溝道功率MOSFET特性
    的頭像 發(fā)表于 03-31 15:45 ?29次閱讀

    onsemi ECH8308 P溝道MOSFET特性與應(yīng)用分析

    onsemi ECH8308 P溝道MOSFET特性與應(yīng)用分析 在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-31 15:45 ?38次閱讀

    探索 onsemi ECH8315 P 溝道功率 MOSFET 的卓越性能

    探索 onsemi ECH8315 P 溝道功率 MOSFET 的卓越性能 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率
    的頭像 發(fā)表于 03-31 15:45 ?31次閱讀

    安森美 ECH8654:高性能P溝道MOSFET器件解析

    要探討的是安森美(onsemi)的 ECH8654 P溝道MOSFET,一款具備出色性能和特性
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:10 ?28次閱讀

    深入解析 ECH8657 N 溝道功率 MOSFET特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

    深入解析 ECH8657 N 溝道功率 MOSFET特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在電子工程領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:15 ?29次閱讀

    深入解析 onsemi ECH8655R-R-TL-H N 溝道功率 MOSFET

    深入解析 onsemi ECH8655R-R-TL-H N 溝道功率 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:15 ?32次閱讀

    ECH8661功率MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合

    ON Semiconductor推出的ECH8661功率MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢。 文件下載: ECH8661-D.PDF
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:30 ?24次閱讀

    深入解析 onsemi ECH8663R N 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi ECH8663R N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:35 ?25次閱讀

    深入解析ECH8690互補(bǔ)功率MOSFET

    onsemi 公司的 ECH8690 互補(bǔ)功率 MOSFET。 文件下載: ECH8690-
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:35 ?32次閱讀

    探索ECH8695R功率MOSFET特性、參數(shù)與應(yīng)用分析

    探索ECH8695R功率MOSFET特性、參數(shù)與應(yīng)用分析 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,功率MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-31 16:35 ?43次閱讀

    探究 onsemi FDB035N10A N溝道MOSFET特性、應(yīng)用與性能分析

    探究 onsemi FDB035N10A N溝道MOSFET特性、應(yīng)用與性能分析 在電子工程領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 03-31 17:25 ?107次閱讀