onsemi ECH8697R雙N溝道功率MOSFET的特性與應(yīng)用
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET作為關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各類電源管理和開關(guān)電路中。今天,我們來深入了解onsemi公司的ECH8697R雙N溝道功率MOSFET,它在1 - 2節(jié)鋰離子電池應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
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產(chǎn)品概述
ECH8697R是一款雙N溝道功率MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻的特性,適用于便攜式設(shè)備的電源開關(guān)等應(yīng)用,尤其適合1 - 2節(jié)鋰離子電池的相關(guān)應(yīng)用。其引腳定義為:1為Source1,2為Gate1,3為Source2,4為Gate2,5 - 8均為Drain。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻
該MOSFET能夠在不同的驅(qū)動電壓下保持較低的導(dǎo)通電阻。例如,在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=5A)的條件下,導(dǎo)通電阻的典型值為(9.3mΩ),最大值為(11.6mΩ);當(dāng)(V{GS}=4.0V)、(I{D}=5A)時,典型值為(9.7mΩ),最大值為(12.6mΩ)。低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗,提高電路效率。
共漏極類型
這種類型的設(shè)計(jì)使得電路布局更加靈活,方便工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。
ESD二極管保護(hù)柵極
能有效防止靜電放電對柵極造成損壞,增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
內(nèi)置柵極保護(hù)電阻
進(jìn)一步保護(hù)柵極,提高了器件的抗干擾能力。
環(huán)保特性
該器件符合無鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。
絕對最大額定值
| 在使用ECH8697R時,需要注意其絕對最大額定值,以避免對器件造成損壞。以下是部分重要參數(shù): | 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 24 | V | |
| 柵源電壓 | (V_{GSS}) | + 12.5 | V | |
| 直流漏極電流 | (I_{D}) | 10 | A | |
| 脈沖漏極電流(脈寬≤10μs,占空比≤1%) | (I_{DP}) | 60 | A | |
| 功率耗散(陶瓷基板表面安裝,(1000mm^{2}×0.8mm),單器件) | (P_{D}) | 1.5 | W | |
| 總耗散(陶瓷基板表面安裝,(1000mm^{2}×0.8mm)) | (P_{T}) | 1.6 | W | |
| 結(jié)溫 | (T_{j}) | 150 | °C | |
| 儲存溫度 | (T_{stg}) | - 55 至 + 150 | °C |
如果超過這些額定值,可能會導(dǎo)致器件損壞,影響其功能和可靠性。
電氣特性
擊穿電壓
漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(I{D}=1mA)、(V_{GS}=0V)的條件下為(24V)。
漏極電流和柵極泄漏電流
零柵壓漏極電流(I{DSS})在(V{DS}=20V)、(V{GS}=0V)時,最大值為(1μA);柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}= + 8V)、(V{DS}=0V)時,最大值為(pm1μA)。
柵極閾值電壓
柵極閾值電壓(V{GS(th)})在(V{DS}=10V)、(I_{D}=1mA)的條件下,最小值為(0.5V),最大值為(1.3V)。
跨導(dǎo)
正向跨導(dǎo)(g{fs})在(V{DS}=10V)、(I_{D}=5A)時,典型值為(5.0S)。
開關(guān)特性
開關(guān)時間包括導(dǎo)通延遲時間(t{d(on)})、上升時間(t{r})、關(guān)斷延遲時間(t{d(off)})和下降時間(t{f})。不同測試電路下的開關(guān)時間有所不同,例如在測試電路1中,導(dǎo)通延遲時間典型值為(160ns),上升時間典型值為(230ns);在測試電路2中,關(guān)斷延遲時間典型值分別為(19.7μs)和(980μs)。
柵極電荷
總柵極電荷(Q{g})典型值為(6nC),柵源電荷(Q{gs})在(V{DS}=10V)、(V{GS}=4.5V)、(I{D}=10A)時,典型值為(1.1nC),柵漏“米勒”電荷(Q{gd})典型值為(0.9nC)。
正向二極管電壓
正向二極管電壓(V{SD})在(I{S}=10A)、(V_{GS}=0V)時,典型值為(0.8V),最大值為(1.2V)。
典型特性曲線
文檔中給出了多個典型特性曲線,如(I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A})等曲線。這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)這些曲線來選擇合適的工作點(diǎn)和設(shè)計(jì)參數(shù)。例如,通過(R{DS(on)}-T{A})曲線可以了解導(dǎo)通電阻隨環(huán)境溫度的變化情況,從而在不同的環(huán)境溫度下合理設(shè)計(jì)電路。
應(yīng)用場景
ECH8697R主要應(yīng)用于1 - 2節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)。在鋰離子電池管理系統(tǒng)中,其低導(dǎo)通電阻可以減少電池充放電過程中的能量損耗,提高電池的使用效率和壽命。同時,其良好的開關(guān)特性能夠快速、準(zhǔn)確地控制電池的充放電過程,保證電池的安全和穩(wěn)定。
訂購信息
ECH8697R的產(chǎn)品型號為ECH8697R - TL - W,采用SOT - 28FL / ECH8封裝,每盤3000個,以卷帶包裝形式供貨。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考BRD8011 / D手冊。
使用注意事項(xiàng)
由于ECH8697R是MOSFET產(chǎn)品,應(yīng)避免在高電荷物體附近使用該器件。如果需要用于指定應(yīng)用以外的場景,請聯(lián)系銷售部門。
總之,onsemi的ECH8697R雙N溝道功率MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)特性和可靠的保護(hù)功能,為1 - 2節(jié)鋰離子電池應(yīng)用提供了優(yōu)秀的解決方案。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時,可以充分利用其特性,提高電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享。
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