電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）2026年初，國內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商密集發(fā)布漲價函，漲幅普遍10%起，高端料號更是達(dá)到20%以上，包括士蘭微、宏微科技、新潔能、捷捷微電、華潤微等，英飛凌、Vishay、安森美、ADI等國際大廠也相繼調(diào)價。

此外，包括PMIC、MCU、隔離驅(qū)動等產(chǎn)品也在漲價，部分工業(yè)與汽車料號漲幅更是達(dá)到了30%-85%。而這股漲價的浪潮也開始影響到儲能領(lǐng)域，不過好消息是，相比2021-2022年的全球芯片危機，當(dāng)前儲能行業(yè)由于提前備貨和供應(yīng)鏈管理改善，展現(xiàn)出較強的抗沖擊能力。

儲能領(lǐng)域迎來半導(dǎo)體漲價沖擊

從今年半導(dǎo)體市場的漲價情況來看，一方面在于上游的銅、銀等貴金屬價格在上漲，例如銅的價格已經(jīng)相較2025年上漲了35%左右，并且硅片、氣體等其他工業(yè)原材料價格都在上漲。

另一方面也在于業(yè)界目前將主要目光放在了用于AI芯片的先進(jìn)制程中，并且開始將產(chǎn)能向12英寸晶圓轉(zhuǎn)移，而8英寸晶圓產(chǎn)線基本停止了擴張。但在功率器件和模擬芯片領(lǐng)域，它依然是性價比最高、技術(shù)最成熟的主流選擇。

即便想要新建8英寸產(chǎn)業(yè)，但問題在于全球主要的8英寸晶圓制造設(shè)備早已停產(chǎn)，只能去購買二手設(shè)備，這就導(dǎo)致二手設(shè)備的價格已經(jīng)被炒高到接近甚至超過新設(shè)備價格，且貨源極度稀缺。

對于儲能行業(yè)而言，隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速，光伏逆變器和儲能PCS對高壓MOSFET和IGBT的需求呈指數(shù)級增長。儲能用的功率器件與車規(guī)級器件共用同一條8英寸產(chǎn)線，當(dāng)車企為了保交付而鎖定產(chǎn)能時，儲能訂單往往被排后。

但是英飛凌、安森美、士蘭微等廠商的交貨期從正常的20周延長至50周以上，部分非車規(guī)級的工業(yè)級IGBT模塊甚至出現(xiàn)了“有價無市”的情況。

而儲能中需要大量的芯片產(chǎn)品，以PCS為例，作為儲能系統(tǒng)中的核心，主要實現(xiàn)AC/DC、DC/AC雙向變換，最重要的就是IGBT或SiC MOSFET模塊。而BMS則主要依賴大量的AFE、ADC、隔離器件、運放、PMIC、MCU，EMC則依賴通信芯片、主控芯片等。

此外，儲能系統(tǒng)中的溫控、消防、顯示屏、輔助電源等也會用到各類芯片，不過這些產(chǎn)品的價值相對較為分散。

因此我們可以用公開的成本結(jié)構(gòu)做一個粗略計算，就以中國典型的電化學(xué)儲能系統(tǒng)為例，其成本構(gòu)成主要為電池（55%）、PCS（20%）、BMS+EMS（11%）、其他（14%）。

這意味著在當(dāng)前半導(dǎo)體漲價及缺貨的背景下，儲能系統(tǒng)總成本將被普遍推高5%-15%。同時與電芯價格大幅波動的影響疊加，會讓2024-2026年的儲能成本下降趨勢明顯放緩甚至階段性抬頭。

當(dāng)然，從好的方面來看，也會導(dǎo)致SiC MOSFET替代加速，盡管SiC器件價格仍高于硅基產(chǎn)品，但在高壓大功率儲能場景中，SiC的能效優(yōu)勢，使其成為緩解成本壓力的長遠(yuǎn)選擇。

并且也會推動國產(chǎn)替代加速，例如士蘭微、宏微科技等國內(nèi)廠商的漲價幅度相對可控，且供應(yīng)穩(wěn)定性優(yōu)于海外大廠，推動儲能廠商加速導(dǎo)入國產(chǎn)IGBT。

漲價潮會影響到全球儲能市場嗎？

據(jù)全球設(shè)備短缺檢測平臺MegaGrid Supply的數(shù)據(jù)顯示，例如一臺5MW PCS，由于受到IGBT模塊短缺的影響，交貨周期已經(jīng)達(dá)到了36周，上漲了125%，價格從過去的38萬美元左右，上漲至45萬美元，漲幅約18%。

而1MW BMS同樣受到半導(dǎo)體短缺影響，交期拉長到了20周，上漲了150%，價格漲至5.8萬美元，漲幅約29%。而4MW組串式大型電站逆變器同樣因為IGBT的短缺，交期達(dá)到了28周，上漲133%，價格也來到了34萬美元，漲幅約19%。

從目前的公開數(shù)據(jù)來看，當(dāng)前的半導(dǎo)體短缺更多是成本與節(jié)奏的問題，而不是需求天花板的問題，據(jù)Energy-Storage報道，2024-2025年儲能系統(tǒng)價格連續(xù)兩年大幅下降，但2026年起，在鋰價反彈、出口退稅調(diào)整等因素下，儲能系統(tǒng)價格開始出現(xiàn)抬頭跡象，項目端普遍反饋成本壓力加大。

有行業(yè)研報指出，PCS成本約占系統(tǒng)成本15%-20%，而IGBT/MOSFET漲價10%-20%，會令PCS成本上升3%-6%，對系統(tǒng)成本造成1%-2%的直接抬升。

這對于國內(nèi)的儲能系統(tǒng)集成商而言，PCS和BMS成本的抬升，在如今競爭激烈的市場背景下，要么漲價可能損失訂單，要么只能壓縮利潤空間。

并且這輪漲價潮對于儲能市場的參與者影響也各不相同，頭部的儲能系統(tǒng)集成商由于具有更強的議價能力、長期訂單鎖價，甚至可以反向參與到IGBT廠商擴產(chǎn)合作中，收到?jīng)_擊相對可控。

但對于中小EPC或者項目開發(fā)商來說，在這輪漲價潮中，要么接受更高的設(shè)備價格，要么延后項目投運或者更換二線供應(yīng)商，但可能帶來可靠性風(fēng)險。

而對于那些電網(wǎng)公司、工商業(yè)用戶、獨立儲能電站投資方終端業(yè)主來說，項目IRR可能會在原有基礎(chǔ)上下降1-3個百分點，部分邊界項目可能會被推遲或者取消，但政策支持會部分對沖成本上升。

值得注意的是，8英寸產(chǎn)能受限是結(jié)構(gòu)性的，短期內(nèi)（2026年內(nèi)）難以根本緩解，因此對儲能行業(yè)而言，這不會是暫時的波動，而是未來1-2年的常態(tài)。儲能系統(tǒng)的非電芯成本中，電力電子的占比將因為芯片漲價而顯著提升，有可能會抵消電芯價格下跌帶來的紅利。

在8英寸晶圓難以擴產(chǎn)的情況下，行業(yè)應(yīng)該加速基于12英寸晶圓制造的新一代功率器件，雖然初期成本高，但長遠(yuǎn)來看產(chǎn)能更加充裕，或者加速采用SiC方案，部分SiC產(chǎn)線是獨立的6英寸或正在向8英寸過渡，受傳統(tǒng)8英寸擁堵影響稍小。也可以更多導(dǎo)入國產(chǎn)二、三線芯片廠商的產(chǎn)品，以換取產(chǎn)能保障和價格談判空間。

小結(jié)

總體來看，半導(dǎo)體漲價和缺貨，對全球儲能市場是顯著的供給側(cè)沖擊，抬升了成本、拖慢了項目節(jié)奏，但不足以改變儲能中長期高速增長的大方向。對具體企業(yè)來說，誰能更好管理半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，誰的盈利和擴張節(jié)奏就更穩(wěn)健。