應(yīng)用指南

1) 負(fù)載電容的選擇負(fù)載電容:

與石英諧振器一起決定振蕩器的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容, 一般可以將振蕩器的工作頻率調(diào)到標(biāo)稱值。產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中規(guī)定的負(fù)載電容既是一個(gè)測(cè)試條件，也是一個(gè)使用條件，這個(gè)值可以根據(jù)具體情況作適當(dāng)調(diào)整,負(fù)載電容太大時(shí)雜散電容影響減少，但可調(diào)范圍下降; 負(fù)載電容小時(shí)可調(diào)范圍增加，但雜散電容影響增加,負(fù)載電阻增加，甚至起振困難。負(fù)載電容標(biāo)為(series)即為串聯(lián)諧振。晶體工作在基頻時(shí),其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為12~20PF。

2) 基頻振蕩模式下晶體典型應(yīng)用電路為:

當(dāng)應(yīng)用于CMOS振蕩電路時(shí)，為了將激勵(lì)電平保持在特定的數(shù)值范圍內(nèi)，獲得穩(wěn)定的振蕩，電路圖中的Rd是必不可少的。

3) 激勵(lì)電平的影響:

一般來(lái)講,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。 產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中每種產(chǎn)品規(guī)定的激勵(lì)電平值是一個(gè)測(cè)試條件,也是一個(gè)使用條件,實(shí)際使用中激勵(lì)電平可以適當(dāng)調(diào)整。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩、嚴(yán)重?zé)犷l漂、過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低的時(shí)候則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)不穩(wěn)定。常用標(biāo)準(zhǔn)有 50uw、100uw。

4) 須檢查振蕩電路的負(fù)阻抗:

負(fù)阻抗的值應(yīng)是諧振阻抗的5 ~10倍; 當(dāng)電路的負(fù)阻抗太小時(shí), 振蕩會(huì)變得不穩(wěn)定。

訂貨及使用注意事項(xiàng)

1) 產(chǎn)品訂貨須知

產(chǎn)品訂貨單應(yīng)明確如下要素: 產(chǎn)品型號(hào)、溫度范圍、標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、調(diào)整頻差、溫度頻差、以及需附加說(shuō)明的事項(xiàng)如附加條件等。

2) 產(chǎn)品使用注意事項(xiàng)

• 電子線路外接電容應(yīng)與晶體的負(fù)載電容匹配。
• 按產(chǎn)品技術(shù)條件的要求使用,使用時(shí)激勵(lì)功率等不得超過(guò)規(guī)定值。
• 注意輕拿輕放, 避免高位跌落或受外力碰撞等引起的產(chǎn)品失效。
• 避免外殼的劃傷摩擦等傷害,造成表面損壞或標(biāo)識(shí)不清。
• 避免產(chǎn)品引線超負(fù)荷彎折和拉伸,導(dǎo)致絕緣子的損壞破裂等。
• 避免產(chǎn)品引線再?gòu)澢庸ぁ?/span>
• 焊接過(guò)程應(yīng)避免焊料對(duì)產(chǎn)品引線與外殼造成短路。
• 建議焊接溫度不超過(guò) 265℃, 焊接時(shí)間不超過(guò)5秒。
• 產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為-10C~40C、相對(duì)濕度不大于80%、周圍環(huán)境無(wú)酸性、 堿性及其它有害氣體的庫(kù)房中。