安森美NVMYS007N10MCL：高性能N溝道MOSFET的卓越之選
安森美NVMYS007N10MCL：高性能N溝道MOSFET的卓越之選
在電子工程師的設(shè)計工作中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入了解安森美（onsemi）推出的NVMYS007N10MCL這款100V、7mΩ、83A的單N溝道功率MOSFET。
文件下載：NVMYS007N10MCL-D.PDF
產(chǎn)品特性
緊湊設(shè)計
NVMYS007N10MCL采用5x6mm的小尺寸封裝，這種緊湊的設(shè)計對于追求小型化的電子產(chǎn)品來說非常友好，工程師們可以在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更多的功能布局。
低損耗優(yōu)勢
- 低導(dǎo)通電阻：低 (R_{DS(on)}) 能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)的效率。在實際應(yīng)用中，這意味著更少的能量浪費和更低的發(fā)熱，有助于提升整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
- 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容可以減少驅(qū)動損耗，降低對驅(qū)動電路的要求，使設(shè)計更加簡潔高效。
符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
該產(chǎn)品采用LFPAK4封裝，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC?Q101要求，并且具備PPAP能力。同時，它是無鉛、無鹵素、無鈹?shù)?，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
最大額定值
| 參數(shù) | 條件 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (T_{J}=25^{circ} C) | (V_{DSS}) | 100 | V |
| 柵源電壓 | (T_{J}=25^{circ} C) | (V_{GS}) | +20 | V |
| 連續(xù)漏極電流（(R_{θJC})） | (T_{C}=25^{circ} C) | (I_{D}) | 83 | A |
| 穩(wěn)態(tài)功率耗散（(R_{θJC})） | (T_{C}=25^{circ} C) | (P_{D}) | 107 | W |
| 連續(xù)漏極電流（(R_{θJA})） | (T_{A}=25^{circ} C) | (I_{D}) | 16 | A |
| 穩(wěn)態(tài)功率耗散（(R_{θJA})） | (T_{A}=25^{circ} C) | (P_{D}) | 3.8 | W |
| 脈沖漏極電流 | (T{A}=25^{circ} C)，(t{p}=10mu s) | (I_{DM}) | 539 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | - | (T{J})，(T{stg}) | -55 至 +175 | (^{circ}C) |
| 源極電流（體二極管） | - | (I_{S}) | 82 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 4.8 A)） | - | (E_{AS}) | 671 | mJ |
| 引腳焊接回流溫度（距外殼1/8英寸，10秒） | - | (T_{L}) | 260 | (^{circ}C) |
需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
熱阻額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到殼穩(wěn)態(tài)熱阻 | (R_{θJC}) | 1.40 | (^{circ}C/W) |
| 結(jié)到環(huán)境穩(wěn)態(tài)熱阻（注2） | (R_{θJA}) | 40 | (^{circ}C/W) |
這里要提醒大家，熱阻會受到整個應(yīng)用環(huán)境的影響，并非固定值，僅在特定條件下有效。
電氣特性
關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓： (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 時為100V。
- 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)： (V{(BR)DSS}/Delta T{J}) 為59mV/°C。
- 零柵壓漏極電流： (I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=100V)，(T{J}=25^{circ}C) 時為1.0(mu A)，(T_{J}=125^{circ}C) 時為100(mu A)。
- 柵源泄漏電流： (I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 時為100nA。
導(dǎo)通特性
- 柵極閾值電壓：有一定的溫度系數(shù)，為5.3mV/°C。
- 漏源導(dǎo)通電阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=25A) 時表現(xiàn)良好，在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=20A) 時為7.9mΩ。
電荷與電容特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | (C_{ISS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=50V) | - | 2700 | - | pF |
| 輸出電容 | (C_{OSS}) | - | - | 950 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{RSS}) | - | - | 14 | - | pF |
| 總柵極電荷（(V_{GS}=4.5V)） | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=50V)，(I_{D}=25A) | - | 17 | - | nC |
| 總柵極電荷（(V_{GS}=10V)） | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=50V)，(I_{D}=25A) | - | 37 | - | nC |
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | - | - | 4 | - | nC |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | - | - | 7 | - | nC |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | - | - | 4 | - | nC |
| 平臺電壓 | (V_{GP}) | - | - | 3 | - | V |
開關(guān)特性
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 開啟延遲時間 | (t_{d(ON)}) | - | 12.2 | ns |
| 上升時間 | (t_{r}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=50V)，(I{D}=25A)，(R{G}=6.0Omega) | 6.5 | ns |
| 關(guān)斷延遲時間 | (t_{d(OFF)}) | - | 45.7 | ns |
| 下降時間 | (t_{f}) | - | 11.5 | ns |
漏源二極管特性
- 正向二極管電壓： (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=25A)，(T{J}=25^{circ}C) 時為0.84 - 1.3V，(T_{J}=125^{circ}C) 時為0.72V。
- 反向恢復(fù)時間： (t_{RR}) 為48ns。
- 反向恢復(fù)電荷： (Q_{RR}) 為37nC。
- 充電時間： (t_{a}) 為22ns。
- 放電時間： (t_) 為26ns。
典型特性
文檔中還給出了多個典型特性圖，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時間關(guān)系以及瞬態(tài)熱阻抗等。這些特性圖可以幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而優(yōu)化設(shè)計。
訂購信息
該產(chǎn)品型號為NVMYS007N10MCLTWG，標(biāo)記為007N10MCL，采用LFPAK4封裝（無鉛），以3000個/卷帶盤的形式發(fā)貨。如需了解卷帶盤規(guī)格，可參考相關(guān)手冊。
封裝尺寸
文檔提供了詳細的封裝尺寸信息，同時對尺寸標(biāo)注和公差等進行了說明。在進行PCB設(shè)計時，工程師需要嚴(yán)格按照這些尺寸要求進行布局，以確保器件的正確安裝和使用。
總的來說，安森美NVMYS007N10MCL是一款性能出色的N溝道MOSFET，具有低損耗、緊湊設(shè)計等優(yōu)點，適用于多種電子應(yīng)用場景。在實際設(shè)計中，工程師們可以根據(jù)具體需求，結(jié)合器件的各項特性進行合理選擇和優(yōu)化。大家在使用這款器件時，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。
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