隨著電子產(chǎn)品向高密度、微型化及高功率方向演進,PCB(印刷電路板)已不再僅僅是元器件的載體,更是熱管理與結(jié)構(gòu)可靠性的核心挑戰(zhàn)。在仿真分析(CAE)的流程中,ECAD數(shù)據(jù)的復(fù)雜度往往是計算效率的瓶頸。如何在保留關(guān)鍵物理特性的前提下,實現(xiàn)大規(guī)模數(shù)組的快速運算。從傳統(tǒng)的均質(zhì)化材料到精細的3D細節(jié)建模,選擇合適的建模策略(Modeling Strategy)不僅關(guān)乎精確度,更決定了設(shè)計迭代的時程跟結(jié)果。本文將深入剖析Simlab支持的六種建模方法,協(xié)助工程師在精度與時效之間找到最佳平衡點。
Simcenter Simlab可連接CAD的
多物理場工作流
Simcenter Simlab是西門子Simcenter產(chǎn)品組合中的一款強大工具。Simlab 是一種以流程為導(dǎo)向的多學(xué)科仿真環(huán)境,能夠準(zhǔn)確分析復(fù)雜裝配件的性能。包括結(jié)構(gòu)、熱和流體動力學(xué)在內(nèi)的多物理場可以通過高度自動化的建模任務(wù)輕松設(shè)置,有助于大幅縮減創(chuàng)建有限元模型和解釋結(jié)果所耗費的時間。穩(wěn)健、準(zhǔn)確且可擴展的求解器可在本地、遠程服務(wù)器或云端上運行。
Simlab根據(jù)建模方式的需求,可用不同型式導(dǎo)入ECA,如Solid、Sheet、 Hybrid等,如下圖所示:
六大高效建模策略
方法一:均質(zhì)化法(Homogenized Modeling)

此方法采取最簡化的假設(shè),將整層或整塊PCB視為各向同性的等效平板,僅依據(jù)各層的平均鋪銅率來計算等效的彈性模量與熱膨脹系數(shù)。雖然這種方法忽略了走線的方向性與局部熱點,無法反應(yīng)局部走線引發(fā)的應(yīng)力集中,但在產(chǎn)品開發(fā)初期的系統(tǒng)級熱管理評估中,它能以極低的計算代價及快速的建模速度下,提供宏觀的變形趨勢。然而,若要進一步探究電路板的翹曲或應(yīng)力分布,則必須引入更具保真度的建模方式。在Simlab上要建立這類均質(zhì)化模型,只需以Solid方式讀取ECAD后,透過Layer Definition就可以快速計算出ECAD的均質(zhì)材料。 (Electronics>ECAD>Layer Definition)方法二:映射法(Mapped Modeling)

Mapped Modeling權(quán)衡了效率與精度。不直接劃分復(fù)雜的走線幾何,而是先建立一套規(guī)整的背景網(wǎng)格,并透過軟件算法賦予每個單元等效的材料屬性。這使得模型在保持幾何簡化的同時,依然能模擬出走線分布不均導(dǎo)致的非線性變形,是目前熱固耦合仿真中最具工程實用價值的方案。具體做法可在Simlab中以solid方式讀取ECAD并建立基礎(chǔ)體網(wǎng)格后,透過 Material Mapping工具依據(jù)每個元素內(nèi)金屬與介電材料的體積比,計算對應(yīng)的等效材料性質(zhì)并將材料個別賦予到每個element上面。Material Mapping可在 ECAD的板級或?qū)蛹夁M行。也能計算等效的正交異性材料性質(zhì),并將其賦予到 shell元素。(Electronics>ECAD>Material Mapping)方法三:全局-局部法(Global-Local/Submodeling)

全局-局部法(Global-Local/Submodeling)采用兩階段分析流程:首先利用 Mapped Modeling模型計算整體的分析結(jié)果(Global),隨后將感興趣的區(qū)域挖出來進行精細建模(Local),并以全局位移作為邊界條件進行二次運算。這種方法能有效降低運算資源的使用??梢栽谌址治龊笙榷ㄎ怀隹赡艽嬖陲L(fēng)險的區(qū)域或是關(guān)鍵組件區(qū)域,針對該區(qū)域進行詳細建模,進一步查看更精細的分析結(jié)果。建立局部細節(jié)模型具體可以將ECAD以Sheet方式導(dǎo)入,透過Mesh control中的 Region,選擇關(guān)注的區(qū)域建立mesh control。(Mesh>Controls>Mesh Controls>Region)接著用ECAD detail modeling對整個ECAD建模,支持四面體及六面體,便可生成局部的細節(jié)模型。(Electronics>Mesh>ECAD Detailed Modeling)接著透過Simlab的子模型技術(shù)將全模型分析結(jié)果的位移邊界映像到子模型的邊界做第二次計算即可。方法四:多區(qū)域法(Multizone Modeling)

此方法跟前一個Submodeling的手法有點類似,但此方法是一個步驟完成 Mapping模型跟局部細節(jié)模型的分析,在單一模型內(nèi)實現(xiàn)了精度控制的需求。工程師可以在同一個檔案中,針對關(guān)鍵的熱點區(qū)域(如高性能處理器下方)建立細節(jié)網(wǎng)格,而對其余非關(guān)鍵區(qū)域則使用粗糙的等效模型。這種做法消除了子模型傳遞數(shù)據(jù)可能產(chǎn)生的誤差,讓工程師能在單次仿真中同時獲得全局的宏觀行為與關(guān)鍵位置的微觀響應(yīng),極大的優(yōu)化了復(fù)雜設(shè)計的驗證效率與精度。具體操作方法結(jié)合了前述幾種方式,分別建立mapping模型及局部細節(jié)模型后,將接口黏接起來一次做計算即可。
方法五:混合建模法(Hybrid Modeling)

此方法以降維方式去建立模型,將信號層走線簡化為2D殼單元,并將過孔簡化為 1D梁單元,隨后將這些網(wǎng)格嵌合在3D的基板實體中。用三種不同維度的元素表征不同區(qū)域的幾何特征。不僅能夠保持過孔與走線本身的結(jié)構(gòu)完整性,還能夠一定程度的降低模型的復(fù)雜程度,并且能直接提取走線與過孔的應(yīng)力應(yīng)變情況。只需在Simlab中以Hybrid導(dǎo)入ECAD,并利用ECAD Hybrid modeling建立混合模型即可。(Electronics>Mesh>ECAD Hybrid modeling)
方法六:詳細建模法(Detailed Modeling)

這種方法將ECAD中的每一條走線、平面與過孔完整轉(zhuǎn)化為3D實體幾何。其核心優(yōu)勢在于能100%反應(yīng)設(shè)計原貌,并在熱脹冷縮過程中精確捕捉到各個細節(jié)的應(yīng)力應(yīng)變情況。然而,這種建模方法的代價是極其龐大的網(wǎng)格數(shù)量與前處理時間,通常僅用于特殊情況,如研究微觀的失效機理。在Simlab當(dāng)中已將這樣的建模流程高度自動化,僅需將ECAD以Sheet方式導(dǎo)入,接著用ECAD detail modeling對整個ECAD建模即可。并支援四面體及六面體建模。(Electronics>Mesh>ECAD Detailed Modeling)
總結(jié)
建模方法的選擇是一場關(guān)于「精度」與「效率」的權(quán)衡。從概念設(shè)計時間的均質(zhì)化模型評估,到可靠性驗證階段的映像模型分析,再到針對特定失效點的局部/全局的詳細建模等,掌握這些建模技術(shù)的差異,將有助于開發(fā)團隊在產(chǎn)品迭代中做出更具科學(xué)依據(jù)的工程決策。
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