來源:感謝國家02重大科技專項技術(shù)總師,中科院微電子所所長葉甜春在2018中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會暨第二十一屆中國集成電路制造年會的演講,半導體行業(yè)觀察現(xiàn)場整理
當下,集成電路已經(jīng)成為我國的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),國家對其發(fā)展高度重視。在政府和產(chǎn)學研界的共同努力下,已經(jīng)并正在取得著一系列的成績,與此同時,與發(fā)達國家和地區(qū)相比,我們?nèi)匀淮嬖谥毕莺筒蛔悖枰恍傅嘏?,去完善、解決。
面對著當今的發(fā)展環(huán)境和機遇,我們應該如何規(guī)劃、實施?從國家02重大科技專項技術(shù)總師,中科院微電子所所長葉甜春的講解和分析中,或許能找到答案。
集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展已成成為國家重點戰(zhàn)略
1、集成電路已成為支撐中國發(fā)展的戰(zhàn)略物資
2、集成電路技術(shù)是國家實力競爭的戰(zhàn)略制高點
3、市場需求提供了歷史性的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇與空間
“十一五”:突破產(chǎn)品核心技術(shù);開發(fā)關(guān)鍵產(chǎn)品;構(gòu)建創(chuàng)新體系;培育產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。
“十二五”:掌握核心技術(shù);開發(fā)優(yōu)勢產(chǎn)品;形成創(chuàng)新特色;提高產(chǎn)業(yè)實力。
“十三五”:開發(fā)創(chuàng)新技術(shù);確立優(yōu)勢地位;進入世界前列;實現(xiàn)同步發(fā)展。
國家科技重大專項和產(chǎn)業(yè)投資基金引領(lǐng)我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到了一個新的高度。
國家科技重大專項實施進展:
1、中國集成電路形成了技術(shù)體系,建立了產(chǎn)業(yè)鏈,產(chǎn)業(yè)生態(tài)和競爭力得到了完善和提升。
2、高端芯片設(shè)計能力大幅提高。
3、制造工藝取得長足進步,65、40、28納米工藝量產(chǎn),14納米技術(shù)研發(fā)突破,特色工藝競爭力提高。
4、集成電路封裝從中低端進入高端,競爭力大幅提升。
5、關(guān)鍵裝備和材料實現(xiàn)從無到有,整體水平達到28納米,部分產(chǎn)品進入14-7納米,被國內(nèi)外生產(chǎn)線采用。
6、培養(yǎng)了一批富有創(chuàng)新活力,具備一定國際競爭力的骨干企業(yè)。
自主知識產(chǎn)權(quán)大幅提升,處處受制于人局面得到改變。
1、集成電路制造、封測、材料、設(shè)備等產(chǎn)業(yè)專利申請數(shù)量快速增長,專項支持比例占企業(yè)新增專利量的50%;
2、專項實施期間企業(yè)累計申請發(fā)明專利43292項,其中依托專項申請發(fā)明專利25138項。
制造工藝發(fā)展自主權(quán)提高:從“引進消化吸收再創(chuàng)新”轉(zhuǎn)為“自主研發(fā)加國際合作”。
3D NAND技術(shù)研發(fā)取得重大進展和創(chuàng)新。
以自主知識產(chǎn)權(quán)為基礎(chǔ)開展研發(fā),提出新構(gòu)架 XTacking。這是一個里程碑:中國企業(yè)首次在集成電路領(lǐng)域提出重要的新構(gòu)架和技術(shù)路徑。
1、國內(nèi)大容量高密度NAND型存儲器零的突破。
2、實現(xiàn)NOR到NAND、2D到3D、SLC到TLC三方面的技術(shù)跨越。
中國封測產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步,技術(shù)覆蓋率達到90%。
中國封測產(chǎn)業(yè)變化,封測銷售產(chǎn)品中先進封裝技術(shù)占比由2008年不足5%到2017年超過。
封測發(fā)展的機遇
一、上下游產(chǎn)業(yè)相互滲透與融合
(一)芯片代工廠向封裝延伸,如TSMC的INFO技術(shù);
(二)封裝業(yè)借助芯片制造工藝,如Middle-end工藝(晶圓級封裝、3D TSV等);
(三)基板制造業(yè)向封裝滲透,如嵌入式基板。
二、應用/終端驅(qū)動
(一)產(chǎn)品多元化:從智能手機到物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、人工智能、無人駕駛、虛擬現(xiàn)實等;
(二)針對性的封裝技術(shù)開發(fā)。
未來發(fā)展的思考
原創(chuàng)性的封裝技術(shù)來源于IDM,芯片設(shè)計公司以及不具有封測能力的終端廠商必然尋求與高水平的封裝代工廠的戰(zhàn)略合作——虛擬IDM模式。
封裝代工廠需要緊跟先進的制造工藝和設(shè)計公司的新產(chǎn)品。
通過對所使用材料、設(shè)備的大規(guī)模量產(chǎn)實現(xiàn)成本的優(yōu)化,完成封裝技術(shù)和工藝的創(chuàng)新。
滿足終端廠商和設(shè)計公司的根本需求,實現(xiàn)從第二供應商到第一供應商的轉(zhuǎn)變。
行業(yè)創(chuàng)新合作平臺開始發(fā)揮作用。
華進研發(fā)中心:通過多家國內(nèi)外知名企業(yè)及供應商資質(zhì)審核并建立長期合作關(guān)系,包括Intel、微軟、ADM、Synaptic、LittleFuse、TDK-EPCOS、華為、美新、德毫光電等,已啟動ISO17025資質(zhì)認證;
與航天科技、中電科技、中國科學院等集團下屬研究院(所)保持穩(wěn)定的合作關(guān)系,支持多項國家重大工程;
新技術(shù)產(chǎn)品包括射頻通訊系統(tǒng)集成、MEMS加速度計封裝、指紋傳感器封裝、TSV-CIS封裝、77G汽車雷達封裝、硅基MEMS濾波器、高速傳輸光引擎、無中微子雙貝塔衰變探測器等。
裝備和材料是產(chǎn)業(yè)的基石,是推動集成電路技術(shù)創(chuàng)新的引擎。
一代技術(shù)依賴于一代工藝,一代工藝依賴一代設(shè)備和材料來實現(xiàn)
國際上集成電路裝備壟斷趨勢加劇。
任務部署——裝備整機
國內(nèi)集成電路裝備已進行了系統(tǒng)部署,主要種類已涵蓋。
高端關(guān)鍵裝備和材料從無到有,形成一定支撐能力
20種芯片制造關(guān)鍵裝備、17種先進封裝設(shè)備和103種關(guān)鍵材料產(chǎn)品通過大生產(chǎn)線驗證進入海內(nèi)外銷售;
芯片制造關(guān)鍵裝備品種覆蓋率達到31.1%,新建生產(chǎn)線國產(chǎn)化率達到13%;先進封裝關(guān)鍵裝備品種覆蓋率和國產(chǎn)化率均達到80%;
裝備及材料主要進展情況
產(chǎn)品細分系列不斷豐富,工藝覆蓋率持續(xù)提升。
1、邏輯產(chǎn)品國產(chǎn)裝備工藝覆蓋率持續(xù)提升;
2、PVD、介質(zhì)刻蝕機、LPCVD等6種裝備進入14nm線驗證,進展順利,介質(zhì)刻蝕等部分產(chǎn)品通過7nm驗證;
3、存儲器產(chǎn)品,國產(chǎn)裝備工藝覆蓋率約15-25%。
核心零部件在泛半導體大批量使用,在IC裝備的應用逐步提高。
反應腔室及金屬零部件等大批量供應國內(nèi)外市場;
2018年預計實現(xiàn)1億美元銷售;
干泵批量進入裝備及國內(nèi)主要FAB線,成為主要供應商之一;
流量計、機械手、陶瓷部件等在泛半導體產(chǎn)業(yè)大批量使用,逐步提升IC領(lǐng)域的市場比例;
分子泵、靜電卡盤、射頻電源、壓力計等零部件驗證中。
IC裝備銷售額連續(xù)增長,企業(yè)規(guī)模和競爭能力逐步提升。
國產(chǎn)裝備和材料對泛半導體產(chǎn)業(yè)起到了顯著的輻射帶動作用。
光伏、LED等產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵設(shè)備大批量國產(chǎn)化,推動了產(chǎn)業(yè)整體競爭力的大幅提升,在這些產(chǎn)業(yè)規(guī)模躍居世界第一的過程中發(fā)揮了顯著作用。
LED:LED生產(chǎn)線國內(nèi)具備整線配套能力。刻蝕機、PVD等裝備市占率達到80%左右,中微MOCVD實現(xiàn)大批量供貨,成為國內(nèi)市場主流,打破該設(shè)備長期依賴進口的局面。
光伏:國產(chǎn)裝備成為國際市場主流,具備整線配套能力。
先進封裝:國產(chǎn)裝備采購比例達到79%,節(jié)約設(shè)備采購資金30%以上。
微顯示:具備成套供貨能力,國產(chǎn)設(shè)備有望支撐微顯示器件行業(yè),形成國際競爭力的中國系統(tǒng)解決方案。
晶圓制造材料領(lǐng)域?qū)m棽季?/p>
2008年之前,8-12英寸晶圓制造材料幾乎100%依賴進口,目前關(guān)鍵材料品種覆蓋率達到25%,國產(chǎn)化率達到20%。
在專項實施及帶動下,攻克了一批制約材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成套技術(shù),開發(fā)了一批高端集成電路制造用關(guān)鍵產(chǎn)品,填補了國內(nèi)空白,一些材料成為國內(nèi)制造企業(yè)的基線產(chǎn)品,部分企業(yè)步入快速發(fā)展通道,初步形成了我國集成電路制造用材料供應鏈雛形。
專項實施對材料產(chǎn)業(yè)帶動成效。
“中興事件”只是最新的一個案例。
2015年4月,美國商務決定對中國四家國家超級計算機中心禁售至強PHI計算卡;
2016年1月,美國外商投資委員會(CFIUS)否決了中國投資者收購飛利浦旗下子公司的照明業(yè)務;
2016年2月,紫光股份因CFIUS審查而放棄收購西部數(shù)據(jù);
2016年3月,美國商務部宣布對中興通信實施制裁;
2016年10月,德國政府撤回對中資企業(yè)收購Aixtron的批準;
2016年11月,美國商務部長珮尼 · 普利茲克警告,中國政府主導在半導體領(lǐng)域大規(guī)模投資扭曲全球集成電路市場,破壞行業(yè)創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng);
2017年1月,美國總統(tǒng)科學技術(shù)咨詢委員會向美國新政府提交的最新報告建議對中國集成電路產(chǎn)業(yè)進行限制;
2018年4月,美國政府宣布啟動對中興通訊制裁,斷絕其美國供應鏈。
從自身發(fā)展到全球格局,中國IC產(chǎn)業(yè)都需要再定位。
1、“從無到有”進行產(chǎn)業(yè)鏈布局后,中國需要“升級版的發(fā)展戰(zhàn)略”,不能再一味追求建廠擴產(chǎn)了;
2、下階段戰(zhàn)略是“以產(chǎn)品為中心,以行業(yè)解決方案為突破口”。系統(tǒng)應用、設(shè)計、制造和裝備材料必須更有力的措施,實現(xiàn)融合發(fā)展;
3、從“追趕戰(zhàn)略”轉(zhuǎn)向“創(chuàng)新戰(zhàn)略”,在全球產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈中形成自己的特色。以中國市場引領(lǐng)全球市場,重塑全球產(chǎn)業(yè)鏈。
立足中國市場實現(xiàn)世界水平創(chuàng)新,在若干核心技術(shù)領(lǐng)域形成具有特色的創(chuàng)新技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品。
通過產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,技術(shù)創(chuàng)新與商業(yè)模式創(chuàng)新并行。
集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)樹。
亟待解決的幾個問題
1、產(chǎn)業(yè)模式單一,需要在無晶圓設(shè)計和芯片代工制造基礎(chǔ)上,根據(jù)產(chǎn)品特點發(fā)展多元的模式,尤其是IDM。
2、裝備和材料仍然是短板;28nm以上的產(chǎn)品工藝和特色工藝種類覆蓋仍然不夠;尖端工藝的追趕難度變大。
3、協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)需要近快形成,“系統(tǒng)—芯片—工藝—裝備—材料”緊密協(xié)同對整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。
4、產(chǎn)業(yè)布局的無序競爭、碎片化與同質(zhì)化傾向,與國際整合趨勢背道而馳。
5、隨著技術(shù)差距的縮短,“短兵相接”的企業(yè)研發(fā)壓力和投入成倍增長,倍感吃力。長遠看,基礎(chǔ)研究和前瞻技術(shù)布局不足,創(chuàng)新跨越缺乏支撐。
6、產(chǎn)業(yè)政策仍有缺失;已有政策落實也未到位;對競爭對手的非正當競爭缺乏制止手段。
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原文標題:葉甜春:中國集成電路現(xiàn)狀及未來發(fā)展思考
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