解析 NVMFS6H836N：高性能 N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件，對電路性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS6H836N 這款 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特之處。

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產(chǎn)品概述

NVMFS6H836N 是 onsemi 生產(chǎn)的一款單 N 溝道功率 MOSFET，其額定電壓為 80V，導(dǎo)通電阻低至 6.7mΩ，連續(xù)電流可達(dá) 80A。它采用了 5x6mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計，在空間受限的應(yīng)用場景中具有明顯優(yōu)勢。

主要特點

低損耗設(shè)計

• 低導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})）：低 (R_{DS(on)}) 能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。在實際應(yīng)用中，這意味著更少的能量被轉(zhuǎn)化為熱量，減少了散熱需求，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。
• 低柵極電荷（(Q_{G})）和電容：低 (Q_{G}) 和電容可以減少驅(qū)動損耗，提高開關(guān)速度，使 MOSFET 能夠更快地響應(yīng)控制信號，提高系統(tǒng)的動態(tài)性能。

可焊性與可靠性

• 可焊側(cè)翼選項（NVMFS6H836NWF）：該型號提供了可焊側(cè)翼選項，這有助于增強(qiáng)光學(xué)檢測效果，提高焊接質(zhì)量和可靠性。在大規(guī)模生產(chǎn)中，可焊側(cè)翼能夠更好地保證焊接的一致性和穩(wěn)定性。
• 汽車級認(rèn)證（AEC - Q101）：經(jīng)過 AEC - Q101 認(rèn)證，表明該產(chǎn)品符合汽車級應(yīng)用的嚴(yán)格要求，具有高可靠性和穩(wěn)定性，可應(yīng)用于汽車電子等對安全性和可靠性要求較高的領(lǐng)域。
• 環(huán)保特性：產(chǎn)品符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鉛、無鹵化物，符合環(huán)保要求，滿足全球市場對環(huán)保電子產(chǎn)品的需求。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（(V_{(BR)DSS})）：在 (V{GS} = 0V)，(I{D} = 250mu A) 的條件下，(V_{(BR)DSS}) 最小值為 80V，這保證了 MOSFET 在高壓環(huán)境下的可靠性。
• 零柵壓漏電流（(I_{DSS})）：在 (V{GS} = 0V)，(V{DS} = 80V) 的條件下，(I{DSS}) 在 (T{J} = 25^{circ}C) 時為 10(mu A)，在 (T_{J} = 125^{circ}C) 時為 100(mu A)，較低的漏電流有助于降低靜態(tài)功耗。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓（(V_{GS(TH)})）：在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = 95A) 的條件下，(V{GS(TH)}) 范圍為 2.0 - 4.0V，這決定了 MOSFET 開始導(dǎo)通的條件。
• 漏源導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})）：在 (V{GS} = 10V)，(I{D} = 15A) 的條件下，(R_{DS(on)}) 典型值為 5.6mΩ，最大值為 6.7mΩ，低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗。

電容與電荷特性

• 輸入電容（(C_{ISS})）：在 (V{GS} = 0V)，(f = 1MHz)，(V{DS} = 40V) 的條件下，(C_{ISS}) 為 1640pF，輸入電容影響 MOSFET 的驅(qū)動特性。
• 總柵極電荷（(Q_{G(TOT)})）：在 (V{GS} = 10V)，(V{DS} = 40V)，(I{D} = 25A) 的條件下，(Q{G(TOT)}) 為 25nC，總柵極電荷與驅(qū)動功率和開關(guān)速度密切相關(guān)。

開關(guān)特性

• 開啟延遲時間（(t_{d(ON)})）：在 (V{GS} = 10V)，(V{DS} = 64V)，(I{D} = 25A)，(R{G} = 2.5Omega) 的條件下，(t_{d(ON)}) 為 16ns，開啟延遲時間影響 MOSFET 的開關(guān)速度。
• 上升時間（(t_{r})）：上升時間為 45ns，它反映了 MOSFET 從關(guān)斷到導(dǎo)通的過渡速度。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓（(V_{SD})）：在 (V{GS} = 0V)，(I{S} = 15A) 的條件下，(V{SD}) 在 (T{J} = 25^{circ}C) 時為 0.8 - 1.2V，在 (T_{J} = 125^{circ}C) 時為 0.7V，正向二極管電壓影響二極管的導(dǎo)通損耗。
• 反向恢復(fù)時間（(t_{RR})）：在 (V{GS} = 0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S} = 25A) 的條件下，(t{RR}) 為 43ns，反向恢復(fù)時間影響二極管的反向恢復(fù)特性。

熱特性

熱阻是衡量 MOSFET 散熱性能的重要指標(biāo)。該產(chǎn)品的熱阻受應(yīng)用環(huán)境影響，在特定條件下（表面貼裝在 FR4 板上，使用 (650mm^{2})、2oz. Cu 焊盤），給出了不同溫度下的熱阻和功率耗散數(shù)據(jù)。例如，在 (T{C} = 25^{circ}C) 時，功率耗散 (P{D}) 為 89W；在 (T{C} = 100^{circ}C) 時，(P{D}) 為 44W。了解熱特性對于合理設(shè)計散熱系統(tǒng)至關(guān)重要，大家在實際應(yīng)用中是否有遇到過熱阻計算不準(zhǔn)確的情況呢？

封裝與訂購信息

封裝形式

NVMFS6H836N 提供了 DFN5（SO - 8FL）和 DFNW5 兩種封裝形式。DFN5 封裝尺寸為 5x6mm，DFNW5 封裝尺寸為 4.90x5.90x1.00mm，且 DFNW5 具有可焊側(cè)翼設(shè)計，有助于提高焊接質(zhì)量。

訂購信息

產(chǎn)品提供不同的包裝規(guī)格，如 1500 個/卷帶和 5000 個/卷帶。具體的訂購、標(biāo)記和運(yùn)輸信息可在數(shù)據(jù)手冊的第 5 頁找到。

應(yīng)用領(lǐng)域

由于 NVMFS6H836N 具有低損耗、小尺寸和高可靠性等特點，它適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、汽車電子等。在開關(guān)電源中，其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性有助于提高電源效率；在電機(jī)驅(qū)動中，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的電機(jī)控制。大家在實際項目中，是否使用過類似的 MOSFET 呢？它們在不同應(yīng)用場景中的表現(xiàn)如何？

綜上所述，NVMFS6H836N 是一款性能優(yōu)異的 N 溝道功率 MOSFET，在設(shè)計中充分考慮了低損耗、可靠性和環(huán)保等因素。電子工程師在選擇 MOSFET 時，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其電氣特性、熱特性和封裝形式等因素，以實現(xiàn)最佳的設(shè)計效果。