Onsemi NVMFD020N06C 雙 N 溝道 MOSFET 解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們來深入了解 Onsemi 推出的 NVMFD020N06C 雙 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨特之處。

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一、產(chǎn)品特性

1. 緊湊設(shè)計

NVMFD020N06C 采用了 5x6 mm 的小尺寸封裝，這對于追求緊湊設(shè)計的電子產(chǎn)品來說是一個巨大的優(yōu)勢。在如今電子產(chǎn)品不斷追求小型化的趨勢下，這種小尺寸封裝能夠有效節(jié)省 PCB 空間，為設(shè)計帶來更多的靈活性。

2. 低損耗特性

• 低導(dǎo)通電阻：該 MOSFET 具有低 (R_{DS}(on))，能夠最大程度地減少導(dǎo)通損耗。這意味著在電路中，當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時，消耗在其上的功率更小，從而提高了整個電路的效率。
• 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容能夠減少驅(qū)動損耗，降低了驅(qū)動電路的功耗，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的能效。

3. 可焊側(cè)翼選項

NVMFWD020N06C 提供了可焊側(cè)翼選項，這有助于增強(qiáng)光學(xué)檢測的效果。在生產(chǎn)過程中，可焊側(cè)翼能夠更方便地進(jìn)行焊接質(zhì)量的檢測，提高了生產(chǎn)的良品率。

4. 汽車級認(rèn)證

該產(chǎn)品通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，并且具備 PPAP 能力，這表明它能夠滿足汽車電子等對可靠性要求極高的應(yīng)用場景。同時，它還符合 Pb - Free、Halogen Free/BFR Free 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能出色。

二、最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。同時，熱阻值會受到整個應(yīng)用環(huán)境的影響，并非恒定值。

三、熱阻額定值

熱阻是衡量 MOSFET 散熱性能的重要指標(biāo)，了解這些熱阻額定值有助于我們在設(shè)計散熱系統(tǒng)時做出合理的決策。

四、電氣特性

1. 關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250 mu A) 時為 60 V，其溫度系數(shù)為 29 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(T = 25^{circ}C) 時為 10 (mu A)，在 (T = 125^{circ}C) 時為 250 (mu A)。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 時為 100 nA。

2. 導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=20 A) 時為 2.0 - 4.0 V，其負(fù)閾值溫度系數(shù)為 - 7.8 mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=4A) 時為 16.9 - 20.3 m(Omega)。
• 正向跨導(dǎo)：(g{fs}) 在 (V{DS}=5V)，(I_{D}=4A) 時為 12 S。
• 柵極電阻：(R{G}) 在 (T{A}=25^{circ}C) 時為 1.0 (Omega)。

3. 電荷與電容特性

• 輸入電容：(C_{iss}) 為 355 pF。
• 輸出電容：(C{oss}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS}=30V) 時為 260 pF。
• 反向電容：(C_{rss}) 為 4.9 pF。
• 總柵極電荷：(Q_{G(TOT)}) 為 5.8 nC。
• 閾值柵極電荷：(Q_{G(TH)}) 為 1.4 nC。
• 柵源電荷：(Q{GS}) 在 (V{GS}=10 V)，(V{DS}=48 V)，(I{D}=4A) 時為 2.3 nC。
• 柵漏電荷：(Q_{GD}) 為 0.53 nC。

4. 開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間：(t_{d(ON)}) 為 6.5 ns。
• 上升時間：(t_{r}) 為 1.4 ns。
• 關(guān)斷延遲時間：(t_{d(OFF)}) 為 9.7 ns。
• 下降時間：(t_{f}) 為 4.0 ns。

5. 漏源二極管特性

• 正向電壓：(V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=4A)，(T{J}=25^{circ}C) 時為 1.2 V。
• 反向恢復(fù)電荷：(Q_{RR}) 為 12 (mu C)。

五、典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源和漏源電壓與總電荷關(guān)系、電阻性開關(guān)時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、安全工作區(qū)、雪崩時峰值電流與時間關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

六、訂購信息

七、機(jī)械尺寸

該 MOSFET 采用 DFN8 5x6，1.27P 雙旗形（SO8FL - 雙）封裝，文檔中給出了詳細(xì)的機(jī)械尺寸圖和標(biāo)注，包括各個尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。同時，還對尺寸標(biāo)注和公差等方面進(jìn)行了說明，為 PCB 設(shè)計提供了準(zhǔn)確的參考。

Onsemi 的 NVMFD020N06C 雙 N 溝道 MOSFET 在緊湊設(shè)計、低損耗、可靠性等方面表現(xiàn)出色，適用于多種電子應(yīng)用場景。作為電子工程師，在設(shè)計電路時，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其各項特性和參數(shù)，以確保電路的性能和穩(wěn)定性。大家在實際應(yīng)用中有沒有遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。