PIC16CE62X系列微控制器：功能特性與設(shè)計(jì)指南

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的微控制器對(duì)于項(xiàng)目的成功至關(guān)重要。PIC16CE62X系列微控制器憑借其豐富的功能和出色的性能，成為眾多工程師的理想選擇。本博文將深入探討PIC16CE62X系列微控制器的特性、架構(gòu)、外設(shè)功能以及開(kāi)發(fā)支持等方面，為電子工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中提供全面的參考。

文件下載：PIC16LCE623-04E/SS.pdf

一、概述

PIC16CE62X是Microchip公司推出的18和20引腳、基于EPROM的低功耗、高性能CMOS 8位微控制器，帶有EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。該系列采用先進(jìn)的RISC架構(gòu)，具有增強(qiáng)的核心功能、8級(jí)深度堆棧以及多個(gè)內(nèi)部和外部中斷源。其哈佛架構(gòu)的指令和數(shù)據(jù)總線分離，允許14位寬的指令字和8位寬的數(shù)據(jù)，除程序分支外，所有指令均可在單周期內(nèi)執(zhí)行，大大提高了執(zhí)行效率。

1.1 產(chǎn)品特性

• 高性能CPU：僅需學(xué)習(xí)35條指令，除程序分支為雙周期指令外，其余均為單周期指令（200 ns），工作速度范圍為DC - 20 MHz時(shí)鐘輸入和DC - 200 ns指令周期。具備中斷能力、16個(gè)特殊功能硬件寄存器和8級(jí)深度硬件堆棧，支持直接、間接和相對(duì)尋址模式。
• 豐富的外設(shè)：擁有13個(gè)I/O引腳，可進(jìn)行單獨(dú)方向控制，具備高電流吸收/源能力，可直接驅(qū)動(dòng)LED。集成模擬比較器模塊，包含兩個(gè)模擬比較器、可編程片上電壓參考（VREF）模塊和可編程輸入多路復(fù)用功能，比較器輸出可作為信號(hào)輸出。還配備8位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器Timer0，帶有8位可編程預(yù)分頻器。
• 特殊功能：支持在線串行編程（ICSP?），具備上電復(fù)位（POR）、上電定時(shí)器（PWRT）和振蕩器啟動(dòng)定時(shí)器（OST）、欠壓復(fù)位（BOR）以及看門(mén)狗定時(shí)器（WDT）等功能，確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。此外，EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器具有1,000,000次擦除/寫(xiě)入周期和超過(guò)40年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，支持可編程代碼保護(hù)和節(jié)能SLEEP模式，提供多種振蕩器選項(xiàng)和四個(gè)用戶可編程ID位置。

1.2 產(chǎn)品型號(hào)

二、架構(gòu)概述

2.1 哈佛架構(gòu)

PIC16CE62X采用哈佛架構(gòu)，程序和數(shù)據(jù)通過(guò)獨(dú)立的總線從不同的存儲(chǔ)器中訪問(wèn)，與傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)相比，提高了帶寬。14位寬的程序存儲(chǔ)器訪問(wèn)總線可在單周期內(nèi)獲取14位指令，兩級(jí)流水線重疊指令的獲取和執(zhí)行，使得除程序分支外的所有指令均能在單周期內(nèi)執(zhí)行。

2.2 寄存器與ALU

該系列微控制器可直接或間接尋址寄存器文件或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，所有特殊功能寄存器（包括程序計(jì)數(shù)器）都映射在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中。其指令集具有正交性，可使用任何尋址模式對(duì)任何寄存器進(jìn)行操作，簡(jiǎn)化了編程過(guò)程。此外，PIC16CE62X包含一個(gè)8位ALU和工作寄存器，可執(zhí)行算術(shù)和布爾運(yùn)算，運(yùn)算結(jié)果可能會(huì)影響STATUS寄存器中的進(jìn)位（C）、數(shù)字進(jìn)位（DC）和零（Z）位。

2.3 時(shí)鐘與指令周期

時(shí)鐘輸入（OSC1/CLKIN引腳）在內(nèi)部被4分頻，生成四個(gè)非重疊的正交時(shí)鐘Q1、Q2、Q3和Q4。程序計(jì)數(shù)器（PC）在每個(gè)Q1周期遞增，指令在Q4周期從程序存儲(chǔ)器中獲取并鎖存到指令寄存器，隨后在Q1 - Q4周期進(jìn)行解碼和執(zhí)行。

三、存儲(chǔ)器組織

3.1 程序存儲(chǔ)器

PIC16CE62X具有13位程序計(jì)數(shù)器，可尋址8K x 14的程序存儲(chǔ)器空間。不同型號(hào)的物理實(shí)現(xiàn)有所不同，PIC16CE623為512 x 14（0000h - 01FFh），PIC16CE624為1K x 14（0000h - 03FFh），PIC16CE625為2K x 14（0000h - 07FFh）。訪問(wèn)超出這些邊界的位置將導(dǎo)致在相應(yīng)的空間內(nèi)回繞。復(fù)位向量位于0000h，中斷向量位于0004h。

3.2 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分為兩個(gè)存儲(chǔ)體（Bank 0和Bank 1），包含通用寄存器和特殊功能寄存器。Bank 0通過(guò)清除RP0位選擇，Bank 1通過(guò)設(shè)置RP0位（STATUS <5>）選擇。特殊功能寄存器位于每個(gè)存儲(chǔ)體的前32個(gè)位置，通用寄存器在不同型號(hào)中的實(shí)現(xiàn)有所差異。部分特殊目的寄存器映射在Bank 1中，所有三個(gè)微控制器的地址空間F0h - FFh（Bank1）映射到70 - 7Fh（Bank0）作為公共RAM。

四、I/O端口

PIC16CE62X有PORTA和PORTB兩個(gè)端口，部分引腳與外設(shè)功能復(fù)用。

4.1 PORTA

PORTA是一個(gè)5位寬的鎖存器，RA4為施密特觸發(fā)器輸入和開(kāi)漏輸出，與T0CKI時(shí)鐘輸入復(fù)用。其他RA端口引腳具有施密特觸發(fā)器輸入電平和全CMOS輸出驅(qū)動(dòng)器，所有引腳都有數(shù)據(jù)方向位（TRIS寄存器），可配置為輸入或輸出。PORTA引腳與比較器和電壓參考功能復(fù)用，其操作由CMCON和VRCON寄存器控制。

4.2 PORTB

PORTB是一個(gè)8位寬的雙向端口，對(duì)應(yīng)的TRISB寄存器用于控制數(shù)據(jù)方向。每個(gè)PORTB引腳都有一個(gè)弱內(nèi)部上拉電阻，可通過(guò)清除RBPU（OPTION <7>）位來(lái)啟用。PORTB的四個(gè)引腳（RB<7:4>）具有變化中斷功能，可用于喚醒設(shè)備。

4.3 I/O編程注意事項(xiàng)

在使用I/O端口時(shí)，需要注意讀寫(xiě)操作的順序和時(shí)機(jī)。讀寫(xiě)操作通常是讀 - 修改 - 寫(xiě)操作，因此在對(duì)具有輸入和輸出定義的端口應(yīng)用指令時(shí)要謹(jǐn)慎。此外，連續(xù)的寫(xiě) - 讀操作需要確保引腳電壓穩(wěn)定，避免讀取到舊狀態(tài)。

五、EEPROM外設(shè)操作

PIC16CE623/624/625每個(gè)都有128字節(jié)的EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，支持雙向2線總線和數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議。通過(guò)EEINTF寄存器控制對(duì)EEPROM的訪問(wèn)，用戶代碼需要生成時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)。EEPROM的數(shù)據(jù)傳輸遵循特定的總線協(xié)議，包括開(kāi)始條件、停止條件、數(shù)據(jù)有效和確認(rèn)等。

5.1 總線特性

數(shù)據(jù)傳輸只能在總線空閑時(shí)啟動(dòng)，數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘線為高電平時(shí)必須保持穩(wěn)定。開(kāi)始條件由SDA線在SCL線為高電平時(shí)從高到低的轉(zhuǎn)換確定，停止條件由SDA線在SCL線為高電平時(shí)從低到高的轉(zhuǎn)換確定。

5.2 設(shè)備尋址

在生成開(kāi)始條件后，處理器發(fā)送一個(gè)控制字節(jié)，包含EEPROM地址和讀寫(xiě)位，以指示要執(zhí)行的操作類型。EEPROM地址由4位設(shè)備代碼（1010）和三個(gè)無(wú)關(guān)位組成，最后一位確定操作類型（1為讀，0為寫(xiě)）。

5.3 讀寫(xiě)操作

寫(xiě)操作分為字節(jié)寫(xiě)和頁(yè)寫(xiě)，字節(jié)寫(xiě)是在發(fā)送開(kāi)始信號(hào)、設(shè)備代碼、無(wú)關(guān)位和讀寫(xiě)位后，依次發(fā)送字地址和數(shù)據(jù)字；頁(yè)寫(xiě)是在發(fā)送寫(xiě)控制字節(jié)、字地址和第一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)后，最多可發(fā)送八個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)，最后發(fā)送停止條件啟動(dòng)內(nèi)部寫(xiě)周期。讀操作分為當(dāng)前地址讀、隨機(jī)讀和順序讀，通過(guò)設(shè)置讀寫(xiě)位來(lái)啟動(dòng)。

六、定時(shí)器模塊

6.1 Timer0模塊

Timer0模塊是一個(gè)8位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，具有可讀可寫(xiě)、8位軟件可編程預(yù)分頻器、內(nèi)部或外部時(shí)鐘選擇、溢出中斷和外部時(shí)鐘邊沿選擇等功能。定時(shí)器模式通過(guò)清除T0CS位（OPTION <5>）選擇，計(jì)數(shù)器模式通過(guò)設(shè)置T0CS位選擇。預(yù)分頻器在Timer0模塊和看門(mén)狗定時(shí)器之間共享，通過(guò)PSA位（OPTION <3>）進(jìn)行分配。

6.2 Timer0中斷

當(dāng)TMR0寄存器從FFh溢出到00h時(shí)，會(huì)產(chǎn)生Timer0中斷，設(shè)置T0IF位?？赏ㄟ^(guò)清除T0IE位（INTCON <5>）來(lái)屏蔽中斷，在中斷服務(wù)程序中需要軟件清除T0IF位。

6.3 使用外部時(shí)鐘

當(dāng)使用外部時(shí)鐘輸入時(shí)，需要滿足一定的要求。無(wú)預(yù)分頻器時(shí)，外部時(shí)鐘需要在內(nèi)部相位時(shí)鐘的Q2和Q4周期進(jìn)行采樣，因此T0CKI需要高電平至少2TOSC（加上20 ns的RC延遲），低電平至少2TOSC（加上20 ns的RC延遲）；使用預(yù)分頻器時(shí)，T0CKI的周期至少為4TOSC（加上40 ns的RC延遲）除以預(yù)分頻值，且高電平和低電平時(shí)間不能違反最小脈沖寬度要求（10 ns）。

七、比較器模塊

7.1 比較器配置

比較器模塊包含兩個(gè)模擬比較器，輸入與RA0 - RA3引腳復(fù)用，片上電壓參考也可作為輸入。通過(guò)CMCON寄存器選擇比較器的輸入和輸出多路復(fù)用模式，共有八種操作模式。在改變比較器模式時(shí)，需要注意模式改變延遲，以確保輸出電平的有效性。

7.2 比較器操作

比較器根據(jù)VIN+和VIN - 的模擬輸入電平輸出數(shù)字信號(hào)。當(dāng)VIN+小于VIN - 時(shí)，輸出為低電平；當(dāng)VIN+大于VIN - 時(shí)，輸出為高電平。比較器的響應(yīng)時(shí)間是指選擇新的參考電壓或輸入源后，輸出達(dá)到有效電平所需的最小時(shí)間。

7.3 比較器參考

比較器可使用外部或內(nèi)部參考信號(hào)。外部參考信號(hào)需在VSS和VDD之間，可應(yīng)用于比較器的任一引腳；內(nèi)部參考信號(hào)在CM<2:0> = 010模式下使用，由電壓參考模塊提供。

7.4 比較器中斷

比較器輸出值發(fā)生變化時(shí)，比較器中斷標(biāo)志CMIF（PIR1 <6>）會(huì)被設(shè)置。要啟用中斷，需要設(shè)置CMIE位（PIE1 <6>）、PEIE位（INTCON <6>）和GIE位。在中斷服務(wù)程序中，可通過(guò)讀取或?qū)懭隒MCON寄存器或清除CMIF位來(lái)清除中斷。

八、電壓參考模塊

8.1 配置電壓參考

電壓參考模塊是一個(gè)16抽頭的電阻梯形網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)VRCON寄存器控制操作?？奢敵?6個(gè)不同的電壓電平，根據(jù)VRR位的設(shè)置分為低范圍和高范圍，計(jì)算公式分別為VREF = (VR<3:0>/24) × VDD（VRR = 1）和VREF = (VDD × 1/4) + (VR<3:0>/32) × VDD（VRR = 0）。

8.2 電壓參考精度/誤差

由于模塊的結(jié)構(gòu)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)VSS到VDD的全范圍輸出。電壓參考由VDD派生，因此VREF輸出會(huì)隨VDD的波動(dòng)而變化。其絕對(duì)精度可參考相關(guān)表格。

8.3 睡眠模式操作

設(shè)備從睡眠模式喚醒時(shí)，VRCON寄存器的內(nèi)容不受影響。為了在睡眠模式下最小化電流消耗，應(yīng)禁用電壓參考。

8.4 復(fù)位影響

設(shè)備復(fù)位時(shí)，通過(guò)清除VREN位（VRCON <7>）禁用電壓參考，清除VROE位（VRCON <6>）斷開(kāi)參考與RA2引腳的連接，清除VRR位（VRCON <5>）選擇高電壓范圍，并清除VREF值選擇位VRCON <3:0>。

九、CPU特殊功能

9.1 配置位

配置位可通過(guò)編程（讀為'0'）或不編程（讀為'1'）來(lái)選擇各種設(shè)備配置，位于程序存儲(chǔ)器位置2007h。包括代碼保護(hù)位、欠壓復(fù)位使能位（BODEN）、上電定時(shí)器使能位（PWRTE）、看門(mén)狗定時(shí)器使能位（WDTE）和振蕩器選擇位（FOSC1:FOSC0）。

9.2 振蕩器配置

PIC16CE62X可在LP、XT、HS和RC四種振蕩器模式下工作，通過(guò)配置位FOSC1和FOSC0進(jìn)行選擇。在XT、LP或HS模式下，可連接晶體或陶瓷諧振器到OSC1和OSC2引腳；在RC模式下，可使用電阻和電容實(shí)現(xiàn)低成本的定時(shí)。

9.3 復(fù)位

PIC16CE62X可區(qū)分多種復(fù)位類型，包括上電復(fù)位（POR）、MCLR復(fù)位、WDT復(fù)位、WDT喚醒和欠壓復(fù)位（BOD）。部分寄存器在復(fù)位時(shí)不受影響，其狀態(tài)在POR時(shí)未知，在其他復(fù)位時(shí)不變；大多數(shù)其他寄存器在POR、MCLR復(fù)位、WDT復(fù)位和SLEEP期間的MCLR復(fù)位時(shí)復(fù)位到“復(fù)位狀態(tài)”，WDT喚醒不影響這些寄存器。

9.4 中斷

PIC16CE62X有四個(gè)中斷源：外部中斷RB0/INT、TMR0溢出中斷、PORTB變化中斷和比較器中斷。中斷控制寄存器（INTCON）記錄中斷請(qǐng)求，通過(guò)全局中斷使能位GIE（INTCON <7>）和各個(gè)中斷使能位控制中斷的啟用和禁用。

9.5 看門(mén)狗定時(shí)器（WDT）

看門(mén)狗定時(shí)器是一個(gè)獨(dú)立的片上RC振蕩器，無(wú)需外部組件。在正常操作中，WDT超時(shí)會(huì)導(dǎo)致設(shè)備復(fù)位；在SLEEP模式下，WDT超時(shí)會(huì)使設(shè)備喚醒并繼續(xù)正常操作?？赏ㄟ^(guò)編程配置位WDTE來(lái)永久禁用WDT。

9.6 睡眠模式（SLEEP）

通過(guò)執(zhí)行SLEEP指令進(jìn)入睡眠模式，此時(shí)看門(mén)狗定時(shí)器被清除但繼續(xù)運(yùn)行，PD位在STATUS寄存器中被清除，TO位被設(shè)置，振蕩器驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉。設(shè)備可通過(guò)外部復(fù)位、看門(mén)狗定時(shí)器喚醒或中斷從睡眠模式喚醒。

9.7 代碼保護(hù)

若代碼保護(hù)位未編程，可讀取片上程序存儲(chǔ)器進(jìn)行驗(yàn)證。但不建議對(duì)窗口設(shè)備進(jìn)行代碼保護(hù)。

9.8 ID位置

四個(gè)內(nèi)存位置（2000h - 2003h）被指定為ID位置，用戶可存儲(chǔ)校驗(yàn)和或其他代碼識(shí)別號(hào)。這些位置在正常執(zhí)行期間不可訪問(wèn)，但在編程/驗(yàn)證期間可讀可寫(xiě)。

9.9 在線串行編程

PIC16CE62X微控制器可在最終應(yīng)用電路中進(jìn)行串行編程，只需兩條時(shí)鐘和數(shù)據(jù)線以及三條電源、地線和編程電壓線。通過(guò)將RB6和RB7引腳拉低，同時(shí)將MCLR（VPP）引腳從VIL提升到VIHH，可將設(shè)備置于編程/驗(yàn)證模式。

十、指令集

10.1 指令分類

PIC16CE62X的指令集分為字節(jié)操作、位操作和文字及控制操作三類。所有指令通常在一個(gè)指令周期內(nèi)執(zhí)行，除非條件測(cè)試為真或程序計(jì)數(shù)器發(fā)生變化，此時(shí)需要兩個(gè)指令周期。

10.2 指令描述

每個(gè)指令由14位字組成，包括操作碼和一個(gè)或多個(gè)操作數(shù)。不同指令具有不同的功能和操作，如ADDLW用于將立即數(shù)與W寄存器相加，ADDWF用于將W寄存器與指定寄存器相加等。

十一、開(kāi)發(fā)支持

Microchip為PIC16CE62X提供了豐富的開(kāi)發(fā)支持工具，包括集成開(kāi)發(fā)環(huán)境（MPLAB? IDE Software）、匯編器/編譯器/鏈接器（MPASM Assembler、MPLAB - C17和MPLAB - C18 C Compilers、MPLINK/MPLIB Linker/Librarian）、模擬器（MPLAB - SIM Software Simulator）、仿真器（MPLAB - ICE、PICMASTER/PICMASTER - CE、ICEPIC?）、在線調(diào)試器（MPLAB - ICD）、設(shè)備編程器（PRO MATE II Universal Programmer、PICSTART Plus Entry - Level Prototype Programmer）和低成本演示板（SIMICE、PICDEM - 1、PICDEM - 2、PICDEM - 3、PICDEM - 17、SEEVAL?、KEELOQ?）等。

十二、電氣規(guī)格

12.1 絕對(duì)最大額定值

PIC16CE62X的絕對(duì)最大額定值包括環(huán)境溫度、引腳電壓、電源電壓、功耗、輸入/輸出電流等參數(shù)，超過(guò)這些額定值可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。

12.2 DC特性

DC特性包括電源電壓、RAM數(shù)據(jù)保留電壓、上電復(fù)位電壓、欠壓檢測(cè)電壓、電源電流、掉電電流等參數(shù)，這些參數(shù)受工作電壓、頻率、振蕩器類型、溫度等因素影響