深入剖析 onsemi NVCR8LS4D1N15MCA N 溝道功率 MOSFET

在功率電子領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討一下 onsemi 公司的 NVCR8LS4D1N15MCA 這款 150V N 溝道功率 MOSFET。

文件下載：NVCR8LS4D1N15MCA-DIE-D.PDF

產(chǎn)品特點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻

典型的導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V) 時(shí)為 (2.9mΩ)，這一特性使得在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗降低，提高了系統(tǒng)的效率。大家不妨思考一下，低導(dǎo)通電阻在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)于降低發(fā)熱、延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命能起到多大的作用呢？

低柵極電荷

典型的總柵極電荷 (Q{g(tot)}) 在 (V{GS}=10V) 時(shí)為 (90.4nC)，較低的柵極電荷意味著更快的開(kāi)關(guān)速度，能夠減少開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

汽車級(jí)認(rèn)證與環(huán)保合規(guī)

該產(chǎn)品通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，符合汽車級(jí)應(yīng)用的嚴(yán)格要求，同時(shí)滿足 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能出色，適用于對(duì)可靠性和環(huán)保性有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品尺寸與訂購(gòu)信息

尺寸規(guī)格

• 裸片尺寸為 (6604×4445)，鋸切后的尺寸為 (6584 ± 15×4425 ± 15)。
• 源極連接面積為 ((6023.6 × 2057.5) × 2)，柵極連接面積為 (330 × 600)。
• 裸片厚度為 (203.2 ± 25.4)。

訂購(gòu)信息

NVCR8LS4D1N15MCA 提供晶圓形式，鋸切后附著在箔片上。

存儲(chǔ)條件

建議存儲(chǔ)溫度范圍為 22 至 28°C，相對(duì)濕度為 40 至 66%。在這樣的環(huán)境下存儲(chǔ)，能夠確保 MOSFET 的性能穩(wěn)定。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否會(huì)格外關(guān)注存儲(chǔ)條件對(duì)元件性能的影響呢？

電氣特性

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性參數(shù)

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (B{VDS}) 在 (I{D}=250A)，(V_{GS}=0V) 時(shí)為 150V。
• 漏源泄漏電流 (I{DSS}) 在 (V{DS}=120V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25°C) 時(shí)為 1A。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS}) 在 (V{GS}= ±20V) 時(shí)為 ±100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=584A) 時(shí)為 2.5 - 4.5V。
• 漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (I{D}=80A)，(V{GS}=10V)，(T{J}=25°C) 時(shí)為 3.1 - 4.4mΩ。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容 (C{iss}) 在 (V{DS}=75V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 時(shí)為 7490pF。
• 輸出電容 (C_{oss}) 為 2055pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss}) 為 27.2pF。
• 柵極電阻 (R_{g}) 在 (f = 1MHz) 時(shí)為 1.3Ω。
• 總柵極電荷 (Q{g(tot)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=75V)，(I{D}=80A) 時(shí)為 90.4nC。

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)通延遲時(shí)間 (t{d(on)}) 在 (V{DD}=75V)，(I{D}=80A)，(V{GS}=10V)，(R_{GEN}=6) 時(shí)為 47ns。
• 上升時(shí)間 (t_{r}) 為 115ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)}) 為 58ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f}) 為 11ns。

漏源二極管特性

• 源漏二極管電壓 (V{SD}) 在 (I{SD}=80A)，(V_{GS}=0V) 時(shí)為 1.2V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t{rr}) 在 (I{F}=80A)，(dI_{SD}/dt = 100A/s) 時(shí)為 84ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) 為 180nC。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與 (V_{GS}) 的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更直觀地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，在實(shí)際設(shè)計(jì)中，合理參考這些曲線可以優(yōu)化電路的性能。大家在設(shè)計(jì)過(guò)程中，是否經(jīng)常會(huì)根據(jù)這些特性曲線來(lái)調(diào)整設(shè)計(jì)參數(shù)呢？

綜上所述，onsemi 的 NVCR8LS4D1N15MCA N 溝道功率 MOSFET 憑借其出色的性能特點(diǎn)和豐富的電氣特性，適用于多種功率電子應(yīng)用場(chǎng)景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮各項(xiàng)參數(shù)，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。