電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）在半導體產(chǎn)業(yè)向先進制程與 3D 集成深度邁進的關鍵階段，量檢測設備作為芯片制造良率保障的核心環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接決定著半導體產(chǎn)業(yè)鏈的進階速度。SEMICON 2026 期間，作為國內(nèi)量測與檢測領域的領軍企業(yè)，中安半導體重磅發(fā)布顆粒檢測設備ZP8，以10.5nm的極限靈敏度打破國際壟斷，標志著國產(chǎn)半導體量檢測設備在核心技術(shù)指標上實現(xiàn)對全球頂尖水平的并跑。

中安半導體表示：“我們深知，只有精準發(fā)現(xiàn)每一處微小缺陷，才能真正幫助客戶提升生產(chǎn)良率，滿足嚴苛的制造需求。ZP8 作為一款10.5nm 靈敏度顆粒缺陷檢測設備，能夠支持更先進制程下的缺陷捕捉。未來，中安半導體將繼續(xù)秉持客觀、嚴謹?shù)目蒲袘B(tài)度，深耕半導體量測與檢測領域，研發(fā)更多覆蓋全工藝流程的高端設備?！?br />

AI驅(qū)動下-檢測設備已成先進制程剛需

全球 AI 浪潮的爆發(fā)，正驅(qū)動半導體技術(shù)迎來全方位變革：從先進邏輯制程的 GAA/CFET 架構(gòu)，到 DRAM、NAND 的三維升級，再到 HBM、3D IC、Chiplet 等先進封裝技術(shù)的普及，“微型化 + 鍵合”成為器件架構(gòu)演進的主流方向。

中安半導體市場應用 VP 初新堂（Seddy Chu）指出：“在 AI 浪潮推動半導體演進的過程中，我們觀察到兩個核心工藝挑戰(zhàn)：一是尺寸微縮的極限挑戰(zhàn)，隨著特征尺寸不斷縮小，對晶圓（Wafer）表面質(zhì)量的要求已達到近乎苛刻的程度。當行業(yè)進入 3nm 節(jié)點時，所需缺陷檢測靈敏度已逼近11.5nm 甚至更高；二是堆疊架構(gòu)的物理挑戰(zhàn)，在 3D IC 與層疊技術(shù)中，隨著堆疊層數(shù)增加，形變與翹曲問題愈發(fā)凸顯。作為設備供應商，中安半導體必須走在主流制程演進的前面?！?br />
自 2024 年 ZP3 系列問世以來，中安半導體始終保持著規(guī)律且高效的研發(fā)節(jié)奏——每半年到一年就會實現(xiàn)一次技術(shù)跨代。據(jù)介紹，24年6月推出的ZP3系列具有26nm靈敏度；2024年9月，ZP6系列發(fā)布，靈敏度提升至17nm；2025年6月，ZP7系列突破12.5nm靈敏度；直至2026年的ZP8，一舉突破10.5nm。

硬核解碼：ZP8 如何挑戰(zhàn)物理極限？

ZP8 實現(xiàn) 10.5nm 靈敏度突破并非偶然，而是光學系統(tǒng)、硬件架構(gòu)與底層算法深度耦合的成果。

包括對激光系統(tǒng)的優(yōu)化設計、針對高分辨率需求定制的特殊物鏡結(jié)構(gòu)、具備極高穩(wěn)定性的高精度轉(zhuǎn)臺系統(tǒng)，以及圖像傳感器與深度學習算法的融合應用，這種“光學+機械+算法”的系統(tǒng)級優(yōu)化，使其能夠在裸硅片（Bare Wafer）上實現(xiàn)對超微小缺陷的穩(wěn)定捕獲。

在SEMI M50-1104國際標準測試下，ZP8 對 10.5nm 顆粒的捕獲率達到95% 以上。從裸片（Bare Wafer）到復雜 High-k Layer（高 k 介質(zhì)層）等多種工藝片，ZP8 在不同膜層均展現(xiàn)出優(yōu)異性能。

解決 3D 集成時代的鍵合痛點

如果說 ZP8 的突破解決了先進制程的顆粒檢測痛點，那么中安半導體WGT300 系列晶圓幾何量測設備，則為 3D 集成帶來的晶圓鍵合與幾何量測難題提供全流程解決方案。

初新堂認為，三維集成面臨兩大核心挑戰(zhàn)：
·堆疊尺寸持續(xù)微縮：層數(shù)增加，單層厚度與整體結(jié)構(gòu)尺寸不斷減??；
·檢測精度極致化：結(jié)構(gòu)越復雜，缺陷捕獲與量測精度要求越高。

鍵合（Bonding）是實現(xiàn) 3D 器件的物理基礎，沒有高可靠鍵合，就沒有真正的 3D 芯片。然而，鍵合過程中產(chǎn)生的晶圓翹曲、形變，會直接導致上下層電路圖形錯位（鍵合對準偏差，Bonding Overlay），并影響后續(xù)光刻精度。

中安市場VP初新堂指出，WGT300系列晶圓幾何量測設備是破解這一難題的鑰匙。WGT300系列的核心思路是通過全局數(shù)據(jù)量測，為工藝提供最優(yōu)解。通過WGT300系列可獲取全場高度信息采集，獲取整片晶圓（Full Wafer）上每一個像素點的高度信息，從而精確算出晶圓的翹曲度（Warp/Bow）并指導工藝端實現(xiàn)分區(qū)域精準調(diào)節(jié)，使晶圓在鍵合前達到最優(yōu)形貌（Best Shape）。

在硅片廠領域，中安半導體打造了專用的WGT300系列量測設備，覆蓋硅片線切、研磨、雙面拋光、刻蝕、清洗到最終出貨檢的全流程關鍵工藝節(jié)點，配套自主研發(fā)的數(shù)據(jù)分析軟件，可滿足硅片廠生產(chǎn)數(shù)據(jù)實時監(jiān)控與全生命周期質(zhì)量追溯的核心需求。針對大尺寸硅片的量產(chǎn)要求，設備在平均厚度、GBIR、SFQR、ESFQR 等核心指標上展現(xiàn)出了行業(yè)頂尖的 TOR 表現(xiàn)，同時針對先進制程對超平整晶圓的極致要求，公司已在下一代產(chǎn)品中布局了高精度干涉測量、低噪聲厚度測量模塊、抗條紋印跡效應算法等多項革新性技術(shù)，為國內(nèi)大硅片產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級提供核心設備支撐。

結(jié)語

在制程微縮與 3D 集成雙輪驅(qū)動的半導體未來，量檢測設備如同芯片制造“良率堡壘”上的瞭望塔與刻度尺。中安半導體憑借 ZP8 的 10.5nm 突破與半導體制造全流程的技術(shù)布局：形成了覆蓋顆粒檢測、3D 集成鍵合量測、硅片廠全流程管控的三大產(chǎn)品矩陣，真正實現(xiàn)了從襯底制造到芯片封裝的良率管理全鏈條覆蓋。