安森美NVMFS6H836NL：高性能N溝道MOSFET的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款高性能N溝道MOSFET——NVMFS6H836NL。

文件下載：NVMFS6H836NL-D.PDF

產(chǎn)品概述

NVMFS6H836NL是一款耐壓80V、導(dǎo)通電阻低至6.2mΩ、連續(xù)電流可達(dá)77A的單N溝道功率MOSFET。它采用了5x6mm的小尺寸封裝，非常適合緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。同時(shí)，該產(chǎn)品具備低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和電容等特點(diǎn)，能有效降低傳導(dǎo)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。此外，還有NVMFS6H836NLWF版本提供可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)，便于進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)。并且，該產(chǎn)品通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，符合無鉛、無鹵和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵參數(shù)與特性

1. 最大額定值

在(T_{J}=25^{circ}C)的條件下，該MOSFET的各項(xiàng)最大額定值如下：

• 漏源電壓(V_{DSS})為80V。
• 柵源電壓(V_{GS})為±20V。
• 連續(xù)漏極電流在不同條件下有所不同，如(T{C}=25^{circ}C)時(shí)為77A，(T{C}=100^{circ}C)時(shí)為55A；(T{A}=25^{circ}C)時(shí)為16A，(T{A}=100^{circ}C)時(shí)為11A。
• 脈沖漏極電流(I{DM})在(T{A}=25^{circ}C)、脈沖寬度(t_{p}=10mu s)時(shí)為449A。
• 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55°C至175°C。

2. 電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)、(I{D}=250mu A)時(shí)為80V，其溫度系數(shù)為46.2mV/°C；零柵壓漏極電流(I{DSS})在(V{GS}=0V)、(V{DS}=80V)、(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為10(mu A)，(T{J}=125^{circ}C)時(shí)為100(mu A)；柵源漏電流(I{GSS})在(V{DS}=0V)、(V_{GS}=±20V)時(shí)為±100nA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})、(I{D}=95mu A)時(shí)為1.2 - 2.0V，閾值溫度系數(shù)為 - 5.2mV/°C；漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)、(I{D}=15A)時(shí)為5.1 - 6.2mΩ，(V{GS}=4.5V)、(I{D}=15A)時(shí)為6.2 - 7.8mΩ；正向跨導(dǎo)(g{FS})在(V{DS}=8V)、(I{D}=40A)時(shí)為99S。
• 電荷、電容與柵極電阻特性：輸入電容(C{ISS})在(V{GS}=0V)、(f = 1MHz)、(V{DS}=40V)時(shí)為1950pF；輸出電容(C{OSS})為250pF；反向傳輸電容(C{RSS})為11pF；總柵極電荷(Q{G(TOT)})在(V{GS}=10V)、(V{DS}=40V)、(I_{D}=40A)時(shí)為34nC等。
• 開關(guān)特性：上升時(shí)間(t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(OFF)})、開通延遲時(shí)間(t{d(ON)})和下降時(shí)間(t{f})等在特定測(cè)試條件下有相應(yīng)的值，且開關(guān)特性與工作結(jié)溫?zé)o關(guān)。
• 漏源二極管特性：正向二極管電壓(V{SD})在(V{GS}=0V)、(I{S}=15A)、(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為0.8 - 1.2V，(T{J}=125^{circ}C)時(shí)為0.66V；反向恢復(fù)時(shí)間(t{RR})在(V{GS}=0V)、(dI{S}/dt = 100A/mu s)、(I_{S}=40A)時(shí)為42ns等。

3. 典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓和漏極電流的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷的關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系以及熱響應(yīng)等曲線。這些曲線能幫助工程師更直觀地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購信息

1. 封裝形式

該產(chǎn)品有兩種封裝形式：

• DFN5（SO - 8FL），即CASE 488AA STYLE 1封裝。
• DFNW5（FULL - CUT SO8FL WF），即CASE 507BA封裝，DFNW5版本具備可焊?jìng)?cè)翼設(shè)計(jì)，有助于在安裝過程中引腳形成焊角。

2. 訂購信息

應(yīng)用注意事項(xiàng)

在使用NVMFS6H836NL進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，要注意以下幾點(diǎn)：

• 最大額定值：應(yīng)力超過最大額定值表中所列的值可能會(huì)損壞器件，若超出這些限制，不能保證器件的功能正常，可能會(huì)造成損壞并影響可靠性。
• 熱阻：熱阻值受整個(gè)應(yīng)用環(huán)境的影響，并非恒定值，僅在特定條件下有效，該產(chǎn)品是在FR4板上使用(650mm^{2})、2oz銅焊盤進(jìn)行表面貼裝時(shí)的熱阻數(shù)據(jù)。
• 脈沖電流：長達(dá)1秒的脈沖最大電流更高，但取決于脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比。

安森美NVMFS6H836NL憑借其出色的性能和豐富的特性，在眾多功率MOSFET產(chǎn)品中脫穎而出。電子工程師在進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)時(shí)，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，充分發(fā)揮該MOSFET的優(yōu)勢(shì)。大家在使用這款MOSFET時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。