解析 onsemi NVMFS5H610NL N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS5H610NL N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

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產(chǎn)品概述

NVMFS5H610NL 是一款專為緊湊設(shè)計(jì)而打造的 N 溝道功率 MOSFET，具有 60V 的耐壓和 48A 的最大連續(xù)漏極電流。它采用了 DFN5 和 DFNW5 封裝，尺寸僅為 5x6mm，非常適合對空間要求較高的應(yīng)用場景。

關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻

該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻（$R_{DS(on)}$）極低，在 10V 柵源電壓下僅為 10mΩ，在 4.5V 時(shí)為 13mΩ。低導(dǎo)通電阻能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提高電路的效率，這在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中尤為重要。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí)，是否考慮過導(dǎo)通電阻對整體效率的影響呢？

低柵極電荷和電容

NVMFS5H610NL 具有低柵極電荷（$Q_{G}$）和電容，這有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，提高開關(guān)速度?？焖俚拈_關(guān)速度可以降低開關(guān)損耗，進(jìn)一步提升電路的性能。在高頻應(yīng)用中，這種特性是否能滿足你的設(shè)計(jì)需求呢？

可焊側(cè)翼選項(xiàng)

NVMFS5H610NLWF 提供了可焊側(cè)翼選項(xiàng)，這對于增強(qiáng)光學(xué)檢測非常有幫助。可焊側(cè)翼能夠使焊接點(diǎn)更容易被檢測到，提高生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制。在生產(chǎn)過程中，你是否遇到過焊接檢測困難的問題呢？

AEC - Q101 認(rèn)證

該器件通過了 AEC - Q101 認(rèn)證，并且具備 PPAP 能力，這意味著它可以應(yīng)用于汽車電子等對可靠性要求較高的領(lǐng)域。對于汽車電子設(shè)計(jì)，你是否更傾向于選擇經(jīng)過認(rèn)證的器件呢？

電氣特性

最大額定值

在 $T{J}=25^{circ}C$ 的條件下，該 MOSFET 的漏源電壓（$V{DSS}$）最大為 60V，柵源電壓（$V{GS}$）最大為 +20V。連續(xù)漏極電流在不同的散熱條件下有所不同，例如在 $T{C}=25^{circ}C$ 時(shí)為 48A，在 $T_{C}=100^{circ}C$ 時(shí)為 34A。功率耗散也會(huì)隨著溫度的變化而變化，大家在設(shè)計(jì)電路時(shí)，一定要根據(jù)實(shí)際的工作溫度來選擇合適的散熱方案。

電氣參數(shù)

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓（$V{(BR)DSS}$）在 $V{GS}=0V$，$I{D}=250mu A$ 時(shí)為 60V，其溫度系數(shù)為 39.2mV/°C。零柵壓漏極電流（$I{DSS}$）在 $T{J}=25^{circ}C$ 時(shí)為 10μA，在 $T{J}=125^{circ}C$ 時(shí)為 250μA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓為 1.2V，在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，導(dǎo)通電阻也有所不同。
• 電荷、電容和柵極電阻：輸入電容（$C{ISS}$）為 880pF，輸出電容（$C{OSS}$）為 150pF，反向傳輸電容（$C{RSS}$）為 6.0pF?？倴艠O電荷（$Q{G(TOT)}$）在不同條件下也有不同的值。
• 開關(guān)特性：開啟延遲時(shí)間（$t{d(on)}$）為 9.5ns，上升時(shí)間（$t{r}$）為 23ns，關(guān)斷延遲時(shí)間（$t{d(off)}$）為 22ns，下降時(shí)間（$t{f}$）為 6ns。這些開關(guān)特性對于高頻開關(guān)應(yīng)用非常重要，大家在設(shè)計(jì)高頻電路時(shí)，是否會(huì)特別關(guān)注這些參數(shù)呢？

典型特性

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓和漏極電流的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷的關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、峰值電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系以及熱特性等。這些曲線可以幫助我們更好地了解該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)。在實(shí)際應(yīng)用中，你是否會(huì)參考這些典型特性曲線來進(jìn)行電路設(shè)計(jì)呢？

封裝信息

NVMFS5H610NL 有 DFN5 和 DFNW5 兩種封裝形式，文檔中詳細(xì)給出了這兩種封裝的機(jī)械尺寸和引腳定義。在進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)，一定要準(zhǔn)確掌握封裝尺寸和引腳布局，以確保器件能夠正確安裝和使用。你在 PCB 設(shè)計(jì)過程中，是否遇到過封裝尺寸不匹配的問題呢？

訂購信息

文檔中提供了該器件的訂購信息，包括不同型號的標(biāo)記、封裝和包裝方式。需要注意的是，部分型號已經(jīng)停產(chǎn)，在選擇器件時(shí)，一定要關(guān)注器件的可用性。在采購器件時(shí)，你是否會(huì)優(yōu)先考慮器件的可用性呢？

總之，onsemi 的 NVMFS5H610NL N 溝道功率 MOSFET 具有諸多優(yōu)秀的特性，適用于多種應(yīng)用場景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的需求來選擇合適的器件，并充分考慮其電氣特性和封裝信息。希望本文能對大家在 MOSFET 的選擇和應(yīng)用方面有所幫助。你在使用 MOSFET 時(shí)，還遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)留言討論。