深入剖析 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開(kāi)關(guān)電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET，了解其特性、參數(shù)及典型應(yīng)用。

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產(chǎn)品概述

安森美（原 ON Semiconductor）推出的 NTTFS080N10G 是一款 100V、72mΩ、16A 的單通道 N 溝道功率 MOSFET。它采用小型封裝（3.3 x 3.3 mm），非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。同時(shí)，該器件符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑，環(huán)保性能出色。

產(chǎn)品特性

線性模式操作優(yōu)勢(shì)

該 MOSFET 具有寬安全工作區(qū)（SOA），適用于線性模式操作。這意味著它在處理復(fù)雜的電路環(huán)境時(shí)，能夠穩(wěn)定地工作，為電路的可靠性提供了保障。

低導(dǎo)通電阻

低 (R_{DS(on)}) 特性可有效降低導(dǎo)通損耗，提高能源效率。在實(shí)際應(yīng)用中，這有助于減少發(fā)熱，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命，同時(shí)也能降低整體功耗。

高抗雪崩能力

具備高峰值非鉗位感性開(kāi)關(guān)（UIS）電流能力，增強(qiáng)了器件的堅(jiān)固性。在面對(duì)感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)操作時(shí)，能夠承受較大的電流沖擊，不易損壞。

小型封裝設(shè)計(jì)

3.3 x 3.3 mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了可能。在空間有限的電路板上，能夠更靈活地布局，滿(mǎn)足各種小型化設(shè)備的需求。

典型應(yīng)用

NTTFS080N10G 適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，如 48V 熱插拔系統(tǒng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、軟啟動(dòng)和電子保險(xiǎn)絲等。這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì) MOSFET 的性能要求較高，而 NTTFS080N10G 的特性正好能夠滿(mǎn)足這些需求。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

熱阻額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(I_D = 250mu A) 時(shí)，最小值為 100V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)：(87.6mV/^{circ}C)。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(V_{DS} = 80V) 時(shí)，(T_J = 25^{circ}C) 為 1(mu A)，(T_J = 150^{circ}C) 為 100(mu A)。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0V)，(V_{GS} = ±20V) 時(shí)，為 ±100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 22A) 時(shí)，范圍為 2.0 - 4.0V。
• 柵極閾值電壓溫度系數(shù)：(-9.37mV/^{circ}C)。
• 漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(I_D = 4A) 時(shí)，范圍為 60 - 72mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS} = 5V)，(I_D = 4A) 時(shí)，為 6S。
• 柵極電阻 (R_G)：在 (T_A = 25^{circ}C) 時(shí)，為 0.53Ω。

電荷和電容特性

• 輸入電容 (C{iss})：在 (V{GS} = 0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS} = 50V) 時(shí)，為 560.5pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：為 64pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：為 9pF。
• 總柵極電荷 (Q{G(TOT)})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V)，(I_D = 4A) 時(shí)，為 8.6nC。
• 閾值柵極電荷 (Q_{G(TH)})：為 1.7nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：為 3.2nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：為 2nC。
• 輸出電荷 (Q{OSS})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V) 時(shí)，為 6.1nC。

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間 (t{d(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V)，(I_D = 4A)，(R_G = 4.7Ω) 時(shí)，為 8.4ns。
• 上升時(shí)間 (t_r)：為 3ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)})：為 11.9ns。
• 下降時(shí)間 (t_f)：為 2.8ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0V)，(I_S = 4A) 時(shí)，(T_J = 25^{circ}C) 為 0.83 - 1.2V，(T_J = 125^{circ}C) 為 0.70V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t{RR})：在 (V{GS} = 0V)，(dI_S/dt = 300A/mu s)，(I_S = 2A) 時(shí)，為 17ns；在 (dI_S/dt = 1000A/mu s)，(I_S = 2A) 時(shí)，為 14ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{RR})：在 (dI_S/dt = 300A/mu s)，(I_S = 2A) 時(shí)，為 37nC；在 (dI_S/dt = 1000A/mu s)，(I_S = 2A) 時(shí)，為 60.5nC。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓和漏極電流的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系、電容變化、柵源電壓與總電荷的關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)以及最大漏極電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地理解器件的性能，在實(shí)際設(shè)計(jì)中做出更合理的選擇。

訂購(gòu)信息

如需了解卷帶規(guī)格，包括零件方向和卷帶尺寸，請(qǐng)參考安森美的卷帶包裝規(guī)格手冊(cè) BRD8011/D。

總結(jié)

NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET 憑借其優(yōu)異的特性和豐富的參數(shù)，為電子工程師在設(shè)計(jì)電源管理和開(kāi)關(guān)電路時(shí)提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求，結(jié)合器件的參數(shù)和特性曲線，合理選擇和使用該器件，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。