onsemi NTP7D3N15MC MOSFET：高性能之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來(lái)深入了解一下onsemi推出的NTP7D3N15MC N - 通道屏蔽柵POWERTRENCH MOSFET。

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產(chǎn)品特性

先進(jìn)技術(shù)

NTP7D3N15MC采用了屏蔽柵MOSFET技術(shù)，這一技術(shù)帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)。在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=62 A) 的條件下，其最大 (R{DS(on)}) 僅為 (7.3 mOmega)，低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損耗，提高電路效率。同時(shí)，相較于其他MOSFET供應(yīng)商的產(chǎn)品，它的 (Q{rr}) 降低了50%，這有助于減少開(kāi)關(guān)損耗，降低開(kāi)關(guān)噪聲和EMI，提升了系統(tǒng)的電磁兼容性。

可靠性保障

該器件經(jīng)過(guò)100% UIL測(cè)試，確保了其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。并且，它是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的，滿足環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

NTP7D3N15MC具有廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，適用于ATX/服務(wù)器/電信電源的同步整流，能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率；在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源中，它可以穩(wěn)定地控制電流，保障系統(tǒng)的正常運(yùn)行；還可用于微型太陽(yáng)能逆變器，實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。同時(shí)，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻數(shù)值，這些數(shù)值并非恒定不變，僅在特定條件下有效。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_D = 250 μA) 時(shí)，為150 V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)：(71 mV/°C)。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(V_{DS} = 120 V) 時(shí)，(T_J = 25 °C) 為1.0 A。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = ±20 V) 時(shí)，為 ±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 342 A) 時(shí)，范圍為2.5 - 4.5 V。
• 負(fù)閾值溫度系數(shù)：(-7.3 mV/°C)。
• 漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10 V)，(ID = 62 A) 時(shí)，為6.2 - 7.3 (mOmega)；在 (V{GS} = 8 V)，(I_D = 31 A) 時(shí)，為6.6 - 8.4 (mOmega)。
• 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS} = 10 V)，(I_D = 62 A) 時(shí)，為119 S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容 (C_{ISS})：4250 pF。
• 輸出電容 (C_{OSS})：1250 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{RSS})：15 pF。
• 柵極電阻 (R_G)：0.8 - 1.6 (Omega)。
• 總柵極電荷 (Q_{G(TOT)})：53 nC。
• 閾值柵極電荷 (Q_{G(TH)})：14 nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：23 nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：8.5 nC。
• 平臺(tái)電壓 (V_{GP})：5.8 V。
• 輸出電荷 (Q{OSS})：在 (V{DD} = 75 V)，(V_{GS} = 0 V) 時(shí)，為133 nC。

開(kāi)關(guān)特性

在 (V{GS} = 10 V)，(V{DD} = 75 V)，(I_D = 62 A)，(R_G = 4.7 Omega) 的條件下：

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間 (t_{d(ON)})：27 ns。
• 上升時(shí)間 (t_r)：8.5 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(OFF)})：33 ns。
• 下降時(shí)間 (t_f)：5.8 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_S = 62 A)，(T_J = 25 °C) 時(shí)，為0.93 - 1.2 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{RR})：在 (dI_S/dt = 300 A/μs)，(IS = 62 A)，(V{GS} = 0 V)，(V_{DD} = 75 V) 時(shí)，為55 ns；在 (dI_S/dt = 1000 A/μs) 時(shí)，為50 ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{RR})：在 (dI_S/dt = 300 A/μs) 時(shí)，為247 nC；在 (dI_S/dt = 1000 A/μs) 時(shí)，為720 nC。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、漏極電流與殼溫的關(guān)系、峰值功率、雪崩電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)以及瞬態(tài)熱阻抗等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行更合理的電路設(shè)計(jì)。

封裝信息

NTP7D3N15MC采用TO - 220 - 3封裝，每管裝800個(gè)。其機(jī)械尺寸有詳細(xì)的規(guī)格，包括各個(gè)引腳和外殼的尺寸范圍，具體可參考文檔中的表格。

總結(jié)

onsemi的NTP7D3N15MC MOSFET憑借其先進(jìn)的屏蔽柵技術(shù)、低導(dǎo)通電阻、低開(kāi)關(guān)損耗和良好的可靠性，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中具有出色的表現(xiàn)。電子工程師在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，可以根據(jù)其詳細(xì)的參數(shù)和特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中，有沒(méi)有遇到過(guò)類似MOSFET的選型難題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。