深入解析onsemi NTTFD018N08LC雙N溝道MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一下onsemi推出的NTTFD018N08LC雙N溝道MOSFET。

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一、產(chǎn)品概述

NTTFD018N08LC是一款集成了兩個(gè)專(zhuān)門(mén)的N溝道MOSFET的雙封裝器件。其內(nèi)部連接了開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，這一設(shè)計(jì)極大地方便了同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和布線?？刂芃OSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，能夠提供最佳的功率效率。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

Q1和Q2在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，都具有較低的導(dǎo)通電阻。例如，在$V{GS}=10V$，$I{D}=7.8A$時(shí)，最大$r{DS(on)}$為18mΩ；在$V{GS}=4.5V$，$I{D}=6.2A$時(shí)，最大$r{DS(on)}$為29mΩ。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提高功率轉(zhuǎn)換效率。

低電感封裝

該產(chǎn)品采用低電感封裝，能夠有效縮短上升/下降時(shí)間，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。這對(duì)于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)尤為重要，可以減少能量損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。

RoHS合規(guī)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，意味著該產(chǎn)品在環(huán)保方面符合相關(guān)要求，減少了對(duì)環(huán)境的影響，同時(shí)也滿足了一些對(duì)環(huán)保有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

三、典型應(yīng)用

48V輸入初級(jí)半橋

在48V輸入的初級(jí)半橋電路中，NTTFD018N08LC能夠發(fā)揮其低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)勢(shì)，提高電路的效率和穩(wěn)定性。

通信領(lǐng)域

在通信設(shè)備中，對(duì)電源的效率和穩(wěn)定性要求較高。該MOSFET可以用于通信設(shè)備的電源模塊，為設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)。

通用負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用

適用于各種通用負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用，為不同的負(fù)載提供合適的功率支持。

四、電氣參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• $B{V{DSS}}$：在$I{D}=250mu A$，$V{GS}=0V$時(shí)，Q1的$B{V{DSS}}$為80V。
• 零柵壓漏極電流：在$V{DS}=64V$，$V{GS}=0V$時(shí)，最大值為1μA。
• $I_{GSS}$：最大值為±100μA。

導(dǎo)通特性

• $V{GS(th)}$（柵源閾值電壓）：在$V{GS}=V{DS}$，$I{D}=44A$時(shí)，Q1和Q2的典型值為1.5V，最小值為1.0V，最大值為2.5V。
• $r{DS(on)}$（漏源導(dǎo)通電阻）：在$V{GS}=10V$，$I{D}=7.8A$時(shí)，典型值為15mΩ，最大值為18mΩ；在$V{GS}=4.5V$，$I_{D}=6.2A$時(shí)，典型值為22mΩ，最大值為29mΩ。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容$C{ISS}$：Q1和Q2在$V{DS}=40V$，$V_{GS}=0V$，$f = 1MHz$時(shí)，典型值為856pF。
• 輸出電容$C_{OSS}$：Q1和Q2在上述條件下，典型值為230pF。
• 反向傳輸電容$C_{RSS}$：Q1和Q2的典型值為10pF。
• 柵極電阻$R{G}$：Q1和Q2在$T{A}=25^{circ}C$時(shí)，典型值為0.5Ω。

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間$t{d(ON)}$：在$V{DD}=40V$，$V{GS}=4.5V$，$I{D}=6.2A$，$R_{GEN}=6Ω$時(shí)，Q1和Q2的典型值為9.4ns。
• 上升時(shí)間$t_{r}$：典型值為5.8ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間$t_{D(OFF)}$：典型值為14.6ns。
• 下降時(shí)間$t_{f}$：典型值為5.5ns。
• 總柵極電荷$Q{g}$：在$V{GS}=0V$到10V時(shí)，Q1和Q2的典型值為12.4nC；在$V_{GS}=0V$到4.5V時(shí)，典型值為6.0nC。

漏源二極管特性

• 源漏二極管正向電壓$V{SD}$：在$V{GS}=0V$，$I_{S}=7.8A$時(shí)，典型值為0.82V，最大值為1.5V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間$t{rr}$：在$I{F}=7.8A$，$di/dt = 300A/s$時(shí)，典型值為13.3ns；在$I_{F}=7.8A$，$di/dt = 1000A/s$時(shí)，典型值為10.3ns。
• 反向恢復(fù)電荷$Q_{rr}$：在上述條件下，分別為18.1nC和51nC。

五、熱特性

熱特性對(duì)于MOSFET的性能和可靠性至關(guān)重要。合適的熱阻能夠確保MOSFET在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)出去，避免因過(guò)熱而損壞。

六、封裝與標(biāo)識(shí)

封裝

采用Power Clip 33對(duì)稱(chēng)（WQFN12）封裝，這種封裝具有良好的電氣和熱性能，適合高密度集成應(yīng)用。

標(biāo)識(shí)

標(biāo)識(shí)為D018 AYWWZZ，其中D018為特定器件代碼，A為組裝工廠代碼，Y為數(shù)字年份代碼，WW為工作周代碼，ZZ為組裝批次代碼。

七、總結(jié)

onsemi的NTTFD018N08LC雙N溝道MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、低電感封裝、RoHS合規(guī)等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇MOSFET的參數(shù)，并注意其熱特性和最大額定值，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過(guò)MOSFET的散熱問(wèn)題呢？又是如何解決的呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。