91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET

lhl545545 ? 2026-04-10 10:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET

在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來詳細探討 ON Semiconductor(現(xiàn) onsemi)推出的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和應用場景。

文件下載:NTTBC070NP10M5L-D.PDF

產(chǎn)品概述

NTTBC070NP10M5L 是一款雙溝道 MOSFET,集成了 N 溝道和 P 溝道,具有 100V 的耐壓能力,N 溝道最大連續(xù)漏極電流可達 9.5A,P 溝道為 -5A。它采用了 3 x 3 mm 的小尺寸封裝,非常適合緊湊型設計。同時,該器件具有低導通電阻 (R{DS(on)}) 和低柵極電荷 (Q{G}) 以及電容,能夠有效降低導通損耗和驅動損耗。而且,它是無鉛、無鹵且符合 RoHS 標準的環(huán)保產(chǎn)品。

產(chǎn)品特性

小尺寸設計

3 x 3 mm 的小尺寸封裝,為緊湊型設計提供了可能。在如今對電子產(chǎn)品小型化要求越來越高的趨勢下,這種小尺寸的 MOSFET 能夠節(jié)省電路板空間,使得設計更加緊湊。

低損耗特性

  • 低 (R_{DS(on)}): 可以有效減少導通損耗,提高電路的效率。在功率轉換應用中,低導通電阻意味著更少的能量損耗,從而降低發(fā)熱,提高系統(tǒng)的可靠性。
  • 低 (Q_{G}) 和電容: 有助于減少驅動損耗,降低對驅動電路的要求。這使得在設計驅動電路時更加簡單,同時也能提高開關速度。

環(huán)保特性

無鉛、無鹵且符合 RoHS 標準,滿足了環(huán)保要求,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對綠色環(huán)保的趨勢。

典型應用

該 MOSFET 適用于多種應用場景,包括:

  • 電動工具和電池驅動的吸塵器: 在這些設備中,需要高效的功率轉換和緊湊的設計,NTTBC070NP10M5L 的小尺寸和低損耗特性正好滿足了這些需求。
  • 無人機和物料搬運設備: 對于無人機和物料搬運設備,對功率密度和效率要求較高,該 MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的功率輸出。
  • 電機驅動和家庭自動化: 在電機驅動和家庭自動化系統(tǒng)中,需要精確的控制和高效的功率轉換,NTTBC070NP10M5L 可以滿足這些要求。

電氣特性

最大額定值

參數(shù) Q1 Q2 單位
漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS}) 100 -100 V
柵源電壓 (V_{GS}) ±20 ±20 V
連續(xù)漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) 9.5 -5 A
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) 14 10 W
脈沖漏極電流((T{A}=25^{circ}C),(t{p}=10mu s)) 33 33 A
工作結溫和存儲溫度范圍 (-55) 至 (+150^{circ}C)

N 溝道電氣特性

  • 關斷特性: 包括漏源擊穿電壓、漏源擊穿電壓溫度系數(shù)、零柵壓漏極電流和柵源泄漏電流等參數(shù)。
  • 導通特性: 如柵極閾值電壓、漏源導通電阻、正向跨導等。
  • 電荷和電容特性: 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容和總柵極電荷等。
  • 開關特性: 開啟延遲時間、上升時間、關斷延遲時間和下降時間等。

P 溝道電氣特性

與 N 溝道類似,也包含關斷特性、導通特性、電荷和電容特性以及開關特性等參數(shù)。

典型特性曲線

文檔中提供了豐富的典型特性曲線,包括導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓和漏極電流的關系、導通電阻隨溫度的變化、電容變化、柵源電壓與總電荷的關系、電阻性開關時間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關系、安全工作區(qū)以及結到環(huán)境的瞬態(tài)熱響應等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解 MOSFET 在不同條件下的性能,從而進行合理的設計。

訂購信息

NTTBC070NP10M5L 采用 8FL 封裝,每盤 3000 個,采用帶盤包裝。對于帶盤規(guī)格的詳細信息,可以參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

注意事項

在使用 NTTBC070NP10M5L 時,需要注意以下幾點:

  • 應力超過最大額定值可能會損壞器件,因此在設計電路時要確保工作條件在額定范圍內(nèi)。
  • 文檔中給出的“典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化,實際性能也可能隨時間變化,因此所有工作參數(shù)都需要由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證。
  • 該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備以及人體植入設備。如果購買或使用該產(chǎn)品用于這些非預期或未經(jīng)授權的應用,買家需要承擔相應的責任。

總之,NTTBC070NP10M5L 是一款性能出色的雙溝道 MOSFET,具有小尺寸、低損耗和環(huán)保等優(yōu)點,適用于多種應用場景。在實際設計中,工程師需要根據(jù)具體需求合理選擇和使用該器件,以確保電路的性能和可靠性。你在使用 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電子設計
    +關注

    關注

    42

    文章

    2505

    瀏覽量

    49906
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

    NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:06 ?3422次閱讀
    <b class='flag-5'>NP16P10</b>G(100V P<b class='flag-5'>溝道</b>增強模式<b class='flag-5'>MOSFET</b>)

    NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

    NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:14 ?2541次閱讀
    <b class='flag-5'>NP2P10</b>MR(100V P<b class='flag-5'>溝道</b>增強模式<b class='flag-5'>MOSFET</b>)

    深入解析FCH070N60E:高性能N溝道MOSFET的卓越之選

    深入解析FCH070N60E:高性能N溝道MOSFET的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-27 15:45 ?299次閱讀

    深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 溝道功率 MOSFET

    深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 溝道功率 MOSFET 引言 在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的
    的頭像 發(fā)表于 04-02 09:20 ?85次閱讀

    ON Semiconductor N 溝道功率 MOSFET BBL4001 技術深度解析

    ON Semiconductor N 溝道功率 MOSFET BBL4001 技術深度解析 在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的
    的頭像 發(fā)表于 04-02 09:30 ?88次閱讀

    安森美 NVTFS070N10MCL 單通道 N 溝道功率 MOSFET 設計解析

    安森美 NVTFS070N10MCL 單通道 N 溝道功率 MOSFET 設計解析 在電子工程師的日常設計工作中,功率 MOSFET 是不可
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:05 ?123次閱讀

    深入解析 onsemi NVTFS052P04M8L P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NVTFS052P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:20 ?149次閱讀

    深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NVMFS9D6P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 04-03 15:20 ?220次閱讀

    深入解析 STMFSC008N10M5 N 溝道 MOSFET

    深入解析 STMFSC008N10M5 N 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:00 ?59次閱讀

    RFP12N10L:N溝道邏輯電平功率MOSFET的技術解析

    RFP12N10L:N溝道邏輯電平功率MOSFET的技術解析 在電子設計領域,功率MOSFET是不可或缺的元件,廣泛應用于各種電路中。今天我
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:10 ?63次閱讀

    深入解析 onsemi NVMFS014P04M8L P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NVMFS014P04M8L P 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 04-07 14:15 ?61次閱讀

    深入解析NVTFS070N10MCL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選

    深入解析NVTFS070N10MCL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選 在電子工程師的日常設計工作中,
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:05 ?109次閱讀

    深入解析NVTFS014P04M8L P溝道MOSFET

    深入解析NVTFS014P04M8L P溝道MOSFET 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的
    的頭像 發(fā)表于 04-08 15:20 ?112次閱讀

    深入解析 onsemi NVMFS2D3P04M8L P 溝道功率 MOSFET

    深入解析 onsemi NVMFS2D3P04M8L P 溝道功率 MOSFET 在電子設計領域,功率
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:30 ?128次閱讀

    深入解析 onsemi NTTFS115P10M5 P 溝道 MOSFET

    深入解析 onsemi NTTFS115P10M5 P 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-09 17:15 ?526次閱讀