集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。

如今我們終端設(shè)備需要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)越來(lái)越多，隨著人工智能的應(yīng)用，要求分析數(shù)據(jù)的速率也越來(lái)越快。楊士寧表示，閃存市場(chǎng)增長(zhǎng)的很快，64層3D NAND已經(jīng)量產(chǎn)，這相當(dāng)于最新的蘋(píng)果 A12芯片7nm工藝技術(shù);實(shí)際上，NAND也是根據(jù)摩爾定律往前推進(jìn)，我們終端設(shè)備需要的數(shù)據(jù)越來(lái)越多，分析的速率也越來(lái)越快，技術(shù)也需要不斷突破。

“雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)是個(gè)新公司，但我們也希望創(chuàng)新，來(lái)為這個(gè)產(chǎn)業(yè)做貢獻(xiàn)?！睏钍繉幈硎?，長(zhǎng)江存儲(chǔ)創(chuàng)新的Xtacking?架構(gòu)技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)更高的I/O性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

“Xtacking?架構(gòu)在業(yè)界算是比較新的技術(shù)，且在可靠性、穩(wěn)定性等測(cè)試上都很好;不過(guò)，現(xiàn)在我們3D NAND還沒(méi)有批量出貨，等大批量出貨之后，才能算是成功，我們預(yù)計(jì)能在2019年批量出貨?！?楊士寧說(shuō)到。

Xtacking?一個(gè)新的架構(gòu)，通過(guò)Xtacking?，周邊控制電路設(shè)計(jì)可以隨意選擇邏輯電路的先進(jìn)工藝。采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。

在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。通過(guò)Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。

“在研發(fā)周期上，采用Xtacking?架構(gòu)架構(gòu)，3D NAND產(chǎn)品研發(fā)周期至少減短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間?！睋?jù)悉，通過(guò)Xtacking?架構(gòu)技術(shù)可充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，可縮短3D NAND產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。

雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立才僅僅2年多時(shí)間，但在IC制造方面已經(jīng)有10多年的經(jīng)驗(yàn)積累。長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND產(chǎn)品是在武漢新芯的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，而武漢新芯是12年前成立的，一開(kāi)始跟中芯國(guó)際有過(guò)合作。

楊士寧表示，我們最早是從9層堆棧的NAND芯片驗(yàn)證開(kāi)始做，現(xiàn)在我們64層堆棧的3D NAND芯片驗(yàn)證剛剛?cè)〉贸晒?。在未?lái)的發(fā)展中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將主要注重大規(guī)模存儲(chǔ)器研發(fā)設(shè)計(jì)和制造，我們第一代NAND產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)上市，客戶(hù)的反饋還是非常正面的，我們希望第二代3D NAND產(chǎn)品將于明年量產(chǎn)上市后，開(kāi)始賺錢(qián)。

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