單結(jié)晶體管的特性舉及簡(jiǎn)單測(cè)試,Single-junction transistors
單結(jié)晶體管的特性舉及簡(jiǎn)單測(cè)試,Single-junction transistors
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單結(jié)晶體管的特性舉及簡(jiǎn)單測(cè)試
單結(jié)晶體管是近幾年發(fā)展起來(lái)的一類(lèi)新型電子器件，它具有一種重要的電氣性能——負(fù)阻特性，可以使自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器及定時(shí)電路等多種脈沖產(chǎn)生單元電路的結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化，故而應(yīng)用十分廣泛。
圖1為單結(jié)晶體管的特性檢測(cè)電路。在兩基極之間外加固定的正向偏壓VBB，調(diào)節(jié)發(fā)射極的電壓VE，根據(jù)IE與VE的變化關(guān)系，可以繪出單結(jié)晶體管的伏安特性曲線如圖2。
當(dāng)VE=0時(shí)，PN結(jié)反偏截止，只有微小的反向電流IEO流過(guò)發(fā)射極，隨著VE的升高，當(dāng)VE=ηVBB時(shí)IE=0。VE續(xù)升高，IE將變?yōu)檎颍玃N結(jié)仍未導(dǎo)通，故正向的漏電流也很小，在P點(diǎn)左側(cè)單結(jié)晶體管處于截止區(qū)。
VE繼續(xù)升高，當(dāng)VE=ηVBB+VD時(shí)，PN結(jié)由截止變?yōu)閷?dǎo)通，這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)稱(chēng)為峰點(diǎn)P(VP，IP)，對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓稱(chēng)為峰點(diǎn)電壓VP(VP=ηVBB+VD)，發(fā)射極電流稱(chēng)為峰點(diǎn)電流IP。IP代表了使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流。PN結(jié)導(dǎo)通后，P區(qū)的空穴大量注入N區(qū)，使E與B1之間的空穴濃度增加，導(dǎo)電性能增強(qiáng)，RB1的阻值減小，隨著IE的增加，VE逐漸減小，單結(jié)晶體管呈現(xiàn)出明顯的負(fù)阻特性。從P到V這一段為單結(jié)晶體管特性的負(fù)阻區(qū)。
隨空穴的注入量達(dá)到一定程度，E與B1之間的基區(qū)由電中性轉(zhuǎn)變?yōu)檎娦裕o空穴的進(jìn)一步注入增加了阻力，相當(dāng)于RB1不再下降，反而增大了，這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)稱(chēng)為谷點(diǎn)V(VV，Iv)此后，VE將隨IE的增加而緩慢增加，單結(jié)晶體管進(jìn)入飽和區(qū)。谷點(diǎn)電壓是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓，VE
1．單結(jié)晶體管極間電阻的測(cè)試
發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，極間電阻RBB基本上是一個(gè)常數(shù)，用萬(wàn)用表的Rx1k或Rx100擋測(cè)量即可，國(guó)產(chǎn)的單結(jié)晶體管的RBB值在3~10kΩ范圍內(nèi)。測(cè)量發(fā)射極和兩基極間的正向電阻，用萬(wàn)用表的電阻擋，黑表筆接發(fā)射極，紅表筆分別接兩基極即可。測(cè)量發(fā)射極和兩基極間的反向電阻，同樣把萬(wàn)用表調(diào)到電阻擋，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆分別接兩基極，由于單結(jié)晶體管反向電流非常小，所以測(cè)得結(jié)果應(yīng)為∞，否則證明管子質(zhì)量不好。
2.單結(jié)晶體管負(fù)阻特性的檢測(cè)
用萬(wàn)用表的Rx1或Rx100擋，黑表筆接發(fā)射極，紅表筆接第一基極，這就相當(dāng)于在發(fā)射極和第一基極之間加上了一個(gè)固定的1.5V的電壓VE，在第二基極與第一基極之間外加+4.5V電源，萬(wàn)用表指示應(yīng)為∞，表示單結(jié)晶體管性能良好。若指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，表示管子無(wú)負(fù)阻特性或分壓比值太低，不能正常使用。
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