近日，英特爾大連廠(Fab68)非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。同時(shí)，英特爾宣布新工廠采用世界最先進(jìn)的96層堆疊3D NAND閃存芯片制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并將會(huì)成為英特爾NAND閃存的最核心生產(chǎn)基地，貢獻(xiàn)大約70％的產(chǎn)能。

該廠于2015年10月開(kāi)建，將原用于處理器的封裝測(cè)試改建為用于生產(chǎn)NAND閃存芯片，總投資55億美元（約合人民幣380億元）。

近年來(lái)全球DRAM技術(shù)持續(xù)發(fā)展，閃存芯片更已成為移動(dòng)裝置重要零組件，并在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等日出不窮的新興應(yīng)用中扮演重要角色。而中國(guó)的消費(fèi)市場(chǎng)快速崛起正成為新老牌存儲(chǔ)器廠商的“兵家必爭(zhēng)之地”，前有英特爾如此大肆投資、轉(zhuǎn)換新的存儲(chǔ)器工廠，后有國(guó)內(nèi)三大陣營(yíng)逐漸成型，在自主存儲(chǔ)芯片來(lái)襲的當(dāng)下，中國(guó)市場(chǎng)的布局已儼然存儲(chǔ)器群雄兵家必爭(zhēng)之地。

英特爾的“二戰(zhàn)”之路離不開(kāi)中國(guó)市場(chǎng)

“沒(méi)有一個(gè)人的生活道路是筆直的，沒(méi)有岔道的。有些岔道口……走錯(cuò)一步，可以影響人生的一個(gè)時(shí)期，也可以影響一生?！边@是路遙作品《人生》的開(kāi)篇題記，同樣，對(duì)于一家企業(yè)來(lái)說(shuō)，在其存在和發(fā)展的過(guò)程中，也存在著一些關(guān)鍵岔道，有可能意味著企業(yè)有機(jī)會(huì)上升到一個(gè)新的高度，但它也同樣標(biāo)志著企業(yè)沒(méi)落的開(kāi)端。

回望英特爾的存儲(chǔ)器之路，充滿曲折蜿蜒。早已在1985年，選擇徹底放棄存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)為專攻芯片領(lǐng)域，使得其成為PC和服務(wù)器芯片的霸主。然而，如今面對(duì)三星的步步緊逼，更是被后者奪得全球老大位置的巨大壓力下，一直在存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)上“舉棋不定”的英特爾走出了關(guān)鍵一步——增強(qiáng)在中國(guó)市場(chǎng)的話語(yǔ)權(quán)。

中國(guó)目前已經(jīng)是全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場(chǎng)。本月19日，在中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)上公布的數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1500億美元，其中NAND Flash將超過(guò)570億美元，而中國(guó)消耗了全球產(chǎn)能的32%。另?yè)?jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為4197億美元，相較2016年成長(zhǎng)23.8％。其中，存儲(chǔ)器占所有半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收成長(zhǎng)逾三分之二，而中國(guó)市場(chǎng)則占到了存儲(chǔ)器市場(chǎng)的50%。

顯然，對(duì)于英特爾而言，以存儲(chǔ)器立足中國(guó)市場(chǎng)的重要性不言而喻。除了對(duì)抗三星外，從市場(chǎng)角度看，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)更可以將內(nèi)存整合到處理器中，這樣可以大幅度提升整機(jī)的性能，增強(qiáng)Intel的處理器業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力。

但是，在群雄逐鹿的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)里，除了老牌競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，還有一批國(guó)產(chǎn)“生力軍”正悄然壯大。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器企業(yè)陣隊(duì)的成形

如果說(shuō)，中國(guó)市場(chǎng)的重要性，和中國(guó)政策的戰(zhàn)略扶持在一定程度上決定了存儲(chǔ)企業(yè)在中國(guó)的發(fā)展情況的話，那么對(duì)于中國(guó)自主存儲(chǔ)芯片企業(yè)而言則是突破口。正如長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧指出，“選擇3D NAND是企業(yè)需求、外部機(jī)遇和市場(chǎng)動(dòng)力的吻合。這是個(gè)技術(shù)的問(wèn)題，更是個(gè)經(jīng)濟(jì)的問(wèn)題?！?/p>

在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求的不斷驅(qū)動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)也奮起直追，即是當(dāng)下正努力擴(kuò)大產(chǎn)能的武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華三股新勢(shì)力。

在剛剛舉行的第六屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)上，紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)宣布國(guó)內(nèi)首款自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將在2018年年底前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；64層3D NAND芯片將會(huì)在2019年進(jìn)入規(guī)模研發(fā)階段，并同步研發(fā)128層256G存儲(chǔ)芯片。這將有望使中國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)。

除了武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存值得關(guān)注，致力于利基型內(nèi)存的福建晉華早已在2016年7月宣布于福建省晉江市建設(shè)12吋廠，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來(lái)看，其利基型內(nèi)存的試產(chǎn)延后至2018年第三季度，量產(chǎn)時(shí)程也將落在2019年上半年。

反觀專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫其廠房已于2017年6月封頂完工，并開(kāi)始移入測(cè)試用機(jī)臺(tái)。進(jìn)度方面，合肥長(zhǎng)鑫則與福建晉華大致相同，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年。此外，合肥長(zhǎng)鑫還則直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb。

總而言之，以目前三家廠商的進(jìn)度來(lái)看，隨著三大陣營(yíng)的量產(chǎn)關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)皆落在2019年上半年，同時(shí)自主研發(fā)技術(shù)也終將進(jìn)入量產(chǎn)的“深水區(qū)”。

根據(jù)市場(chǎng)分析指出，隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020-2021年合肥長(zhǎng)鑫則與福建晉華現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂(lè)觀的預(yù)估下，屆時(shí)兩家合計(jì)約有每月25萬(wàn)片的投片規(guī)模，可能將開(kāi)始影響全球DRAM市場(chǎng)的供給。

另一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃設(shè)有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬(wàn)片，不排除長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成64層產(chǎn)品開(kāi)發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片，進(jìn)而在未來(lái)三到五年對(duì)NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。

另外，值得一提的是，已連續(xù)兩年走高的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由于供過(guò)于求之勢(shì)已開(kāi)始掉頭，DRAM價(jià)格儼然已下跌20-30%，業(yè)內(nèi)人士分析，甚至可能引發(fā)預(yù)期性的價(jià)格崩跌。然而，不管此下行趨勢(shì)如何，對(duì)于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)業(yè)者而言，唯有義無(wú)反顧前行。