以中興禁令為啟，此次中美貿(mào)易戰(zhàn)，實質(zhì)是美國打著貿(mào)易的旗號試圖對“中國制造2025”為代表的高科技領域進行打壓與遏制。代表之一的半導體，其歷史最早追溯到19世紀30年代，經(jīng)過長達一個世紀的研究，直到1947年美國貝爾實驗室發(fā)明了更具實用價值的晶體管，人類才開啟電子時代并向信息時代前進?？梢哉f現(xiàn)代的大多數(shù)文明，例如家電、PC(個人電腦)、智能手機等，都需依靠半導體行業(yè)。

從類型來看，半導體可以分為集成電路、光電子、分立器件和傳感器這四大類。盡管占比有下滑趨勢，集成電路依舊以超80%市場份額領跑，細分包括儲存器(36.12%)、邏輯電路(29.78%)、模擬電路(15.46%)和微處理器(18.63%)。

從整體來看:根據(jù)世界半導體貿(mào)易協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2017年全球半導體市場銷售額達4122億美金，同比增長21.6%，背后主要推動力來自集成電路與傳感器的強力增長:

得益于DRAM(動態(tài)隨機存取儲存器)、NAND閃存等儲存器爆發(fā)，集成電路2017年增速為24.03%;因物聯(lián)網(wǎng)、智能控制、汽車應用、圖像識別等強勁需求驅(qū)動，傳感器市場去年增速為16.17%。

從產(chǎn)業(yè)鏈來看:主要涉及電路設計、芯片制造與封測檢驗這三個環(huán)節(jié)。

生產(chǎn)流程主要是以電路設計為主導，IC設計商根據(jù)客戶需求把系統(tǒng)邏輯和性能轉(zhuǎn)換成物理圖譜，然后委托芯片制造商從原材料，經(jīng)過提純、單晶硅柱、分片、蝕刻等過程制成晶圓(排列著集成電路的硅晶片)，再送到封裝廠完成電路封裝、測試的最后步驟，最后進行銷售。

從運作模式來看，目前主流兩種運作模式，即整合模式與垂直加工模式。

整合模式又稱IDM(IntegratedDeviceManufacturer),早期的芯片企業(yè)多為IDM，以英特爾與三星為代表業(yè)務范圍覆蓋整個產(chǎn)業(yè)鏈。但根據(jù)摩爾定律，同等價格下，集成電路上容納的晶體管元器件數(shù)目每18-24個月翻一倍，性能也隨之提升一倍。這一定律揭示了半導體行業(yè)發(fā)展迅速的同時，也暗示整個行業(yè)需要不停的投入新型材料與儀器研發(fā)更高性能芯片。

為了減輕投資壓力與降低失敗風險，上世紀九十年代開始，IDM逐漸拆分成單環(huán)節(jié)加工，形成以設計為主的Fabless模式、晶圓代工Foundry模式和純封測檢驗模式。

▌市場規(guī)模

材料方面，據(jù)半導體工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示(SIA),2017年上游材料端市值約470億美金，排名第一的為中國***，以21.9%市場份額連續(xù)八年奪冠;中國大陸發(fā)展迅速，對比2011年增長56.8%。但最為重要的硅晶圓供應市場卻被日本包攬一半，排名前五供應商占據(jù)全球94%市場份額，較去年增長一個百分點，壟斷日益加劇。

設備方面:2017年全球設備共投資566億美金，韓國以179.5億美金首次超越***成為全球設備花費最高國家，主要原因在于今年存儲器的暴漲帶動DRAM相關產(chǎn)業(yè)鏈增長，韓國作為DRAM產(chǎn)出第一國家的收益最高。

中國大陸以27.4%增速展現(xiàn)對制造環(huán)節(jié)的投資熱情，排全球第三。

與材料供應市場類似，設備供應市場90%以上被歐美日韓壟斷，且前十廠商均有較高的營收增長，其中韓國SEMES以142%增速成為全球漲幅最高供應商。

因為擁有英特爾、三星、海力士等全球前十公司，IDM市場規(guī)模遠大于Fabless市場規(guī)模，但兩者差距逐漸縮小。Fabless與IDM規(guī)模比從1999年的7.67%提升到2017年的38.66%，說明行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全球縱向延伸加劇。

終端應用方面：智能手機依舊是第一大場景，占整體32.28%。

雖然智能手機市場逐漸飽和，出貨量連續(xù)下滑，智能手機市場對半導體需求依然保持較高水平。另外，5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等快速發(fā)展也大力度推動整個半導體芯片市場。

影響因素:宏觀層面的全球經(jīng)濟與產(chǎn)業(yè)層面的轉(zhuǎn)移變革

作為資金與技術高度密集行業(yè)，半導體目前形成深化的專業(yè)分工、細分領域高度集中的特點，因此半導體受全球經(jīng)濟影響波動較大，且相關性越來越強。分析1980-2022年期間全球經(jīng)濟與半導體行業(yè)之間的相關系數(shù)可以發(fā)現(xiàn)，除去90年代全球半導體行業(yè)處于整合模式向垂直加工模式轉(zhuǎn)移，其他期間顯示出全球經(jīng)濟對半導體行業(yè)強力拉動關系，而這一趨勢未來表現(xiàn)更甚，相關系數(shù)逐漸向1靠攏。

主要原因為兩點:

1) 垂直模式日趨成熟，產(chǎn)業(yè)鏈更細化。

細化分工的產(chǎn)業(yè)鏈除了降低投資風險、提高環(huán)節(jié)操作效率與最終產(chǎn)品良品率，更重要的是給新玩家一個進入行業(yè)的切入點，例如技術水平較低的封裝檢測、設計突出的Fabless等。對比早期IDM形式，各自環(huán)節(jié)深化有效降低資本支出在銷售的比例，企業(yè)盈利得到一定保障。

2) 大規(guī)模兼并收購帶來細分領域的龍頭效應，議價能力增強。

為了保障企業(yè)技術水平、研發(fā)進度領先，并擁有一定的市場份額，半導體自2000年開始進行一定規(guī)模的兼并收購，整體交易金額在2015年達至頂峰為1073億美金。大量高頻的行業(yè)并購降低制造商與供應商數(shù)量的同時，使“強者越強”。而2017年的并購行為放緩也側面說明，行業(yè)的成熟令各自領域的龍頭效應明顯，更多的并購已無法帶來更好的邊際效益。

從歷史進程看，全球范圍完成兩次明顯的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移:

第一次,十九世紀70年代從美國轉(zhuǎn)向日本。

十九世紀50年代，晶體管誕生于美國，后續(xù)發(fā)明影響行業(yè)的革命性芯片與商業(yè)應用，例如英特爾4004、英特爾8088、IBM個人計算機等。出于經(jīng)濟與政治因素考慮，70年代向日本提供技術與設備支持，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向日本，日本半導體一度躍至世界第一。為了抵制日本發(fā)展奪回半導體行業(yè)話語權，美國開始向韓國***等地提供支持。

第二次，產(chǎn)業(yè)從80年代開始轉(zhuǎn)向韓國與***。

為了降低設備、人力等成本，目前，產(chǎn)業(yè)逐漸轉(zhuǎn)向中國大陸。是什么支持這些國家與地區(qū)半導體行業(yè)發(fā)展如此蓬勃?他們又是如何抓住機遇?我們后續(xù)根據(jù)國家一一分析。

▌美國

作為技術的發(fā)源地，美國一度領導全球半導體與集成電路的發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，美國半導體銷售額以平均5.02%增速從1997年的709億美金增至2017年的1889億美金。除了1986-1991年期間被日本趕超全球公開銷售市場份額一度跌至35%，美國市場占比基本維持在50%，處于世界第一，且在中日美歐等國家均占據(jù)重要地位。獲取更多行業(yè)報告請百度搜索“樂晴智庫”。

盡管如此，美國半導體發(fā)展并不是一帆風順，也曾面臨過二戰(zhàn)時期經(jīng)費短缺與八十年代被日本打敗等窘境。為此，美國成功化解危機并保持世界第一的位置，除了我們在《中美科技對比:體制視角》所提及的強大資金基礎、高質(zhì)量人才匯集、包括產(chǎn)學研為代表的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)精神與科研人員高效流動的科技體制外，我們認為還有以下幾點：

1)扎實的基礎研究奠定理論基礎，時間積累突出研究深度;

2)發(fā)明者的地位決定設計框架的國際使用，從而進一部強化國際地位;

3)政府決定性地在資金、采購、政策規(guī)劃、外交貿(mào)易等方面的領導。

基礎研究扎實

美國對基礎研究無論在深度還是廣度都首屈一指。長期積累的物理、數(shù)學、化學實力是微電子學、電力學發(fā)展基礎，二戰(zhàn)后，在國防部支持下，美國基礎學科受到高度重視，繼承德法英研究的美國半導體正是此期間高速發(fā)展。以肖克利及“八叛徒”為代表的行業(yè)領軍人物，大膽設想、不斷鉆研，令美國成為第一個發(fā)明半導體與集成電路的國家，極大帶動美國研究熱情。

此后由國家科學基金委員會(NSF)帶頭，資助國家基礎研究項目與科學教育，促進研究成果的同時大范圍培養(yǎng)人才，加深基礎研究，形成“研究領先-擁有人才培養(yǎng)實力-更多人才投入-積累突破”的良性循環(huán)。

資金支持力度上，美國保留了自二戰(zhàn)以來對基礎研究支持的傳統(tǒng)。從研發(fā)支出結構來看，除全球金融危機時期，美國基礎研究投入以較為穩(wěn)定速度增長，且逐漸追平應用研究投入，占總研發(fā)支出的16.86%，而中國這一數(shù)字僅為5.45%。

除了每年美國國家科學基金會固定投資的幾項基礎項目外，美國先后投入十數(shù)億美金實施“超越摩爾定律的科學與工程”(SEBML)、“國家納米技術”(NNI)等計劃以維持自身在全球范圍內(nèi)的領導地位。

游戲制定者

從歷史來看，晶體管、集成電路、大型集成電路、超大型集成電路、個人電腦、智能終端等發(fā)展，美國不是技術發(fā)明者就是行業(yè)領導者?！暗谝豢町a(chǎn)品”意味著開拓無人占領的新興市場，也意味著對后來者設定市場準則。換句話說，高科技領域，一款新型產(chǎn)品的收益遠不止銷售所展現(xiàn)的數(shù)字，更多是身為游戲制定者與裁判雙重身份所帶來潛在好處。這也是美國在半導體甚至其他行業(yè)能展現(xiàn)出超強實力的重要原因之一。

舉重若輕的政府角色

半導體發(fā)展符合“刺激-反應-發(fā)展”的規(guī)律。與美國傳統(tǒng)提倡的“市場經(jīng)濟”、“自由發(fā)展”所不同，美國政府進行過多次直接或間接關鍵性政策干預，直接行為為政府采購、政府資金支持、相關法律政策、外交貿(mào)易，間接行為為影響技術發(fā)展方向、市場需求與市場競爭。

▌日本

從時間來看，日本半導體大致始于20世紀50年代，1950-1960年積極儲備、醞釀實力;1970-1986年迎來黃金時代，1986年DRAM市場占有率達80%反超美國成為世界半導體第一強國，半導體產(chǎn)業(yè)逐漸從美國轉(zhuǎn)向日本;1990-2000年逐漸沒落，現(xiàn)今已經(jīng)沒有一家日本企業(yè)專注于DRAM市場了，可謂成也蕭何敗也蕭何。80年代至90年代可謂日本半導體重要分界點，我們認為有四條原因促使日本成功，也有四方面因素令日本不復當年輝煌。

令人震驚的成功

美國支持與日本戰(zhàn)后經(jīng)濟復蘇，為技術發(fā)展提供良好環(huán)境初期，即20世紀50年代至60年代，日本的發(fā)展離不開美國的支持，主要體現(xiàn)在經(jīng)濟復蘇與技術授權。20世紀50年代，美國爆發(fā)對朝鮮戰(zhàn)爭，軍需大大提高，作為美國“遠東兵工廠”的日本憑借此次機會，迅速積累技術與財富，修復二戰(zhàn)后科技與經(jīng)濟落后的差距。

此后的美蘇爭霸，日本再次充當美國背后支持儲備角色，支援的同時靠著美國提供的工業(yè)技術，充實自身基礎，家電行業(yè)的騰飛也正是這些行為的結果。日本從“軍轉(zhuǎn)民”正式進入經(jīng)濟高速發(fā)展階段，GDP在1955-1980年期間保持超10%增速增長，這不過花費約10年。

“引進-消化-改良”快速縮短與美國之間的差距。

發(fā)展一項技術最快的方法就是學習模仿，因此日本實行產(chǎn)業(yè)標的(IndustryTargeting)政策緊盯西方國家開始大量技術引進。半導體行業(yè)最早發(fā)生在1962年的日本電氣公司引進仙童的平面集成電路制造技術，結合自身反向工程，成功實現(xiàn)集成電路量產(chǎn)。再在政府要求下傳授給其他日企，將日本集成電路芯片制造能力逐年翻倍，成功實現(xiàn)硅晶體管的商業(yè)化與市場化。

政府角色

區(qū)別美國政府強硬作用，疲弱的日本軍方無法復制類似美方在初期對半導體產(chǎn)業(yè)強力的技術指引與需求拉動，日本政府起到更像是整合規(guī)劃帶頭的角色。

令人錯愕的衰敗

失去的“二十年”與美國的雙重打擊

到達巔峰之后的日本并沒有延續(xù)輝煌，而是漸漸江河日下。首先，作為強力支持的整體經(jīng)濟，受到亞洲金融風暴與日本經(jīng)濟泡沫影響，在1998年后開始出現(xiàn)負增長。其次，失去主權與美國簽訂的雙邊協(xié)議影響逐漸凸顯。

第一，《廣場協(xié)議》推高日元降低美金，從1985年后的幾年內(nèi)，美日匯率從240日元降低到120日元，令日本出口優(yōu)勢不再。

第二是美日半導體雙邊協(xié)議的作用，從電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值變化曲線可以看出，第一次受到明顯影響在1993年，正是美國奪回第一的次年。

在美國切斷技術支援與強勢打開市場雙重藥劑下，日本電子產(chǎn)品出口值從1985年開始快速下降，到2000年電子產(chǎn)品出口值約1.5萬億日元，不及1985年峰值的一半。

對技術發(fā)展的判斷失誤，缺乏主動性

日本成功于DRAM，失敗也在DRAM領域。

沉迷大型機DRAM帶來的成功忽略技術的改變，日本固執(zhí)的將適用于大型機的DRAM技術深入發(fā)展，強調(diào)芯片的持續(xù)性與穩(wěn)定性。但1980年后個人電腦、互聯(lián)網(wǎng)等相繼推出，以PC、移動手機為代表的消費電子時代到來，此時的芯片強調(diào)靈活、處理信息能力強等，并不要求非常長久的穩(wěn)定性。1973年全球大型機出貨量達到頂峰，之后慢慢萎縮而個人PC產(chǎn)值逐漸飆升，日本沒有抓住技術需求變化主動進行產(chǎn)業(yè)調(diào)整，令韓國在同等領域以新技術超越。

韓國的崛起與固守的分工方式，缺乏靈活性

為分化日本實力，美國開始支援韓國與***。受到經(jīng)濟泡沫影響，銀行低息借貸方式的籌資行為已不可行。加上市場份額逐漸被吞噬，固守IDM模式的日本企業(yè)負重累累，疲于投資再創(chuàng)新，“投資-技術創(chuàng)新-投資”邏輯線出現(xiàn)斷裂，與競爭對手的差距被拉大，形成“技術差距-銷量下降-無資金投資-技術差距擴大”的惡性循環(huán)。日本企業(yè)正是因為落后于市場的反應，被韓國奪走新型DRAM市場，被***依靠代工擠走更多制造份額。

▌韓國

韓國半導體在60年代外國廠商進韓建廠開始，利用當?shù)亓畠r勞動力，進行簡單的散件組裝，技術非常低端，具有真正意義的發(fā)展在80年代，以韓國三星、LG、現(xiàn)代(2001年分離出為海力士)、和大宇(97年亞洲金融危機中破產(chǎn))四大財閥開啟。韓國抓住大型機到消費電子的轉(zhuǎn)變期對新型存儲器的需求，形成“財閥+政府+小企業(yè)”的國內(nèi)產(chǎn)業(yè)結構。發(fā)展至今，韓國以22%(907億美金)全球半導體市場份額成為僅次美國的半導體超級大國，三星更是超越英特爾成為全球第一半導體企業(yè)。

區(qū)別其他國家地區(qū)以政府為主導(早期或者特定場景)，韓國財閥的推動作用更為突出。主要原因為1)美日爭霸期間，財閥主導的吸收模仿獲得跨越式技術提升;2)財閥+政府聯(lián)合，小企業(yè)依靠局面;3)不間斷地對設備、材料、人才的投資。

美日爭霸期間的“學習-模仿-超越”，儲備知識與技術

在歸國教授姜基東帶領下，韓國擁有了16KDRAM生產(chǎn)技術，但是基礎依舊薄弱，想要繼續(xù)研制64KDRAM非常困難，這決定了韓國無法自主生產(chǎn)需要借助外力。通過向美國購買技術、設備、海外學習并建立實驗室，韓國4年內(nèi)就實現(xiàn)64K技術跨越。之后將相同戰(zhàn)略復制到256K、1M生產(chǎn)中，逐漸縮小與日本的差距。1986年后，美國開始向三星、現(xiàn)代與其他八家日企提出技術版權訴訟，韓國與日本均以賠償而失敗收尾。不得不面對技術短板的韓國政府決定成立類似日本VLSI的國家4MDRAM項目研究組，包括政府研究院、三家財團與六所大學，3年內(nèi)耗費2.5億美金，其中政府撥款57%。

但不同的是，韓國聯(lián)合研究團隊各自為政，政府領導能力并不強，更多起到的是基金調(diào)配作用，研發(fā)任務也是企業(yè)內(nèi)部完成。經(jīng)過前期知識鋪墊與政府資金支持，三家企業(yè)相互獨立、競爭研究，韓國DRAM技術大大提升，1994年全球第一推出256KDRAM，開啟之后先人一步的DRAM戰(zhàn)略。期間，韓國芯片專利數(shù)量從1989年的708項激增到1994年的3336項，是其他國家總和的2倍之多，其中三星擁有2445項，現(xiàn)代擁有2059項。

財閥主導，中小企業(yè)依靠的產(chǎn)業(yè)結構

在財閥攻克后，韓國對半導體的熱情高漲，眾多中小企業(yè)紛紛進入。由于技術、資金等先決條件形成的門欄，這些企業(yè)較難突破三大財閥，衍變成為三星、海力士提供材料、設備、副產(chǎn)品加工的產(chǎn)業(yè)鏈結構。韓國半導體市場形成核心技術創(chuàng)造、上游設備材料供應、海外終端需求的完整鏈條。

盡管企業(yè)之間多有競爭，但粗略來看，韓國半導體產(chǎn)業(yè)可以視作三星、海力士等頭部財閥的IDM模式放大版，形成以財閥主導帶領中小企業(yè)出口海外的行業(yè)策略。期間政府的作用多半在資金、政策環(huán)境等提供條件，領導能力不如其他國家。

瘋狂的對設備、材料、人才投資

半導體領域第一重要的為專業(yè)人才，第二就是材料設備，只有在這兩方面大量儲蓄才有可能實現(xiàn)技術升級。90年代日本在經(jīng)濟泡沫與美國雙重打擊下，多數(shù)企業(yè)已沒有多余資金投入再研發(fā)，此時的韓國猶如饑餓的野獸，以重金瘋狂吸引這些人才。

正如NHK紀錄片《重登頂峰，技術人員20年的戰(zhàn)爭》提到，即使如東芝一樣著名日本領軍企業(yè)，也遭受人才流失問題，其中70%被三星以三倍薪資挖走。在政府基金、公司其他產(chǎn)業(yè)經(jīng)營等支援下，韓國對半導體的投資逐年加大，即使全球半導體行業(yè)在09年金融風暴下不景氣也持續(xù)加大投資力度。

通過“投資-擴大生產(chǎn)-影響芯片價格”，韓國擠走眾多競爭企業(yè)實現(xiàn)市場份額的進一步擴大。且因為2017年芯片價格的提升，三星反超英特爾成半導體第一企業(yè)。

▌中國***

BloombergBusinessWeek曾這么形容***的半導體事業(yè)，“在全球半導體產(chǎn)業(yè)的地位無可取代，如同中東石油在全球經(jīng)濟的角色”。從時間來看，***與韓國大約同時發(fā)展，在80年代臺積電首創(chuàng)Foundry模式后，以代工切入迅速攀升國際地位。隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術提升，90年代以晶圓代工為主逐漸完善上中下游產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)統(tǒng)計，2017年***IC產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值27623億新臺幣(約898億美金)，IC制造占49.5%，其中88.15%為晶圓代工，占全球代工市場的76%。***半導體區(qū)別于韓國的崛起方式主要因為1)抓住行業(yè)需求積極參與全球化分工;2)新竹園區(qū)聚集效應與海外人才的回流;3)包括工研院建立的政府政策、戰(zhàn)略規(guī)劃。

全球化分工

類似韓國的發(fā)展路徑，***依靠早期給在臺建廠的美日廠商做基礎低端加工起步，積累所需知識與技術。80年代末，抓住美國逐漸轉(zhuǎn)向Fabless模式推行全球縱向分工的機會，將利潤不高、投資金額大的芯片制造、封測轉(zhuǎn)進島內(nèi)。初期，***在設計、制造、測試和封裝四個環(huán)節(jié)都有相應發(fā)展，但最終與韓國不同的主要原因在于:

1)技術始終落后，當時在臺的美日廠商愿意授權的僅為封測技術，缺少核心設計環(huán)節(jié);

2)韓國財閥可以依靠運營其他產(chǎn)業(yè)來給半導體行業(yè)提供資金支持，但***的中小企業(yè)僅從事半導體，90年代的兩次芯片價格下跌對***都造成巨大影響。因此，無領軍企業(yè)的***融資能力與抗壓能力次于韓國;

3)臺積電foundry模式的成功具有意義性質(zhì)的示范作用，島內(nèi)其他企業(yè)可以依照臺積電復制成功。

全球代工模式可以迅速獲得專利授權并打開市場，錯開與美日產(chǎn)業(yè)鏈有效降低與強國的競爭。因此，***積極參與代工把產(chǎn)業(yè)鏈延伸到島內(nèi)，同時發(fā)揮生產(chǎn)成本優(yōu)勢規(guī)模經(jīng)濟，成功鞏固了全球代工地位。

政府政策、戰(zhàn)略規(guī)劃

***當局在半導體行業(yè)發(fā)展起到以下三方面作用:

1) 技術引進與招商引資。

最早的技術引進為1977年與美國RCA公司合作的7微米CMOS技術轉(zhuǎn)讓，并建立第一家半導體示范工廠，完成技術消化到實際生產(chǎn)能力。之后，通過民間技術轉(zhuǎn)讓來吸引民間資本投資再帶動海外資本入島，活化島內(nèi)產(chǎn)業(yè)資金來源、發(fā)揮引導聚集作用。

2) 整體規(guī)劃與政策支持。

針對***當時技術與資金情況，最早提出“積體電路計劃草案”。之后政府主導代工的發(fā)展方向，并在后期逐漸豐滿其他產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，提出例如“兩兆雙星”的發(fā)展目標。在發(fā)展過程中，輔以人才優(yōu)惠，高科技企業(yè)稅收減免等大力度傾斜性扶持政策。據(jù)統(tǒng)計，***每年對創(chuàng)新技術的資助金額占總規(guī)劃的20%以上。

3)建立工研院，實行技術指引與組織交流職責。

1974年***效仿美國硅谷產(chǎn)學研模式建立電子工業(yè)研究中心，即工研院的前身。工研院主要職能為領頭規(guī)劃，加速人才與技術流通。此外，工研院還擔任最新技術研發(fā)工作，例如1975-1979第一期專案計劃的CMOS技術、1983-1987超大集成電路計劃的1-1.5微米制造與封測技術等。通過自身技術研發(fā)或引進，實現(xiàn)生產(chǎn)能力后再轉(zhuǎn)讓給民間其他企業(yè)，提高***整體半導體技術。

最重要的是，工研院還扮演孵化器角色，***第一家設計與制造公司聯(lián)華電子(1979年)、全球最大晶圓代工廠臺積電(1987年)、第一家8英寸生產(chǎn)線世界先進半導體公司(1994年)等均由工研院分衍出來。

▌對中國大陸的啟示

目前發(fā)展迅猛但技術自主能力不強，供需不平衡中國集成電路發(fā)展勢頭兇猛。據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達5411.3億人民幣，同比增長24.81%。

從產(chǎn)業(yè)結構來看，設計、制造與封測三大產(chǎn)業(yè)增速均高于去年同期。

設計業(yè)占比逐年攀升，產(chǎn)業(yè)結構從“大封測-中制造-小設計”到“大設計-中封測-中制造”轉(zhuǎn)型，產(chǎn)業(yè)鏈逐漸從低端走向高端，展現(xiàn)我國集成電路發(fā)展的突破。

我國需求供給不平衡不匹配現(xiàn)象仍然嚴重，且將長期存在。

自2015年起，集成電路超越原油成為我國第一大進口商品，2017年出口金額663億美金，較進口2579億美金存在1916億美金缺口，缺口比例(缺口額/總進出口額)長期保持50%以上。從產(chǎn)品種類來看，微處理器與控制器長期占45%以上進口額，說明我國在CPU、MPU等核心器件芯片的自主設計生產(chǎn)能力依舊薄弱，需要依賴于人。

隨著經(jīng)濟與政策、相對廉價勞動力支撐，目前半導體產(chǎn)業(yè)逐漸向中國轉(zhuǎn)移。

正如開篇分析，半導體行業(yè)與宏觀經(jīng)濟的強相關性將逐漸加強，我國每年的約6%GDP增速、例如集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等扶持政策都是推動我國集成電路發(fā)展的重要力量。以晶圓廠為例，據(jù)不完全統(tǒng)計，至2022年，包括海內(nèi)外廠商約30座晶圓廠將在我國落地，主要聚集在上海、江蘇和安徽一帶。

▌啟示

從兩次半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移展現(xiàn)出的各國與地區(qū)經(jīng)驗來看，以美國為代表的領導者，依靠扎實的基礎研究、傾斜性支持政策、游戲制定身份來長期維持行業(yè)壟斷地位。以日韓臺為代表的追趕者，則從每次產(chǎn)業(yè)變遷抓住需求變動，依靠產(chǎn)業(yè)政策或財閥領導實現(xiàn)跨越式升級。其中，日本的失敗在于國家主權依賴程度高與對技術發(fā)展判斷失誤。

對此，中國需要:

1) 強有力的政府領導作用。

對待半導體行業(yè)，我國需開展類似對待“兩彈一星”策略，即從行業(yè)整體規(guī)劃出發(fā)，輔以相關稅收減免、資金調(diào)配、技術與人才引進等政策。盡管我國近年加強對半導體行業(yè)的重視、將半導體集成電路列入發(fā)展綱要，但具體細節(jié)仍不夠規(guī)范，例如設計產(chǎn)權法規(guī)不夠明確、高科技企業(yè)稅收減免定義存在漏洞等，這些都需要政府加強指引。

2) 統(tǒng)籌規(guī)劃產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向、技術路線，統(tǒng)一目標與認知。

半導體產(chǎn)業(yè)龐大，涉及支線眾多，一個企業(yè)甚至一個國家無法做到全精通，對于尚在發(fā)展階段的中國更是如此。目前我國并無明確組織或機構部門統(tǒng)一規(guī)劃，出現(xiàn)三大產(chǎn)業(yè)發(fā)展較為平均卻無突出點無重心:設計方面，增長快但核心芯片知識產(chǎn)權掌握程度低、IP供給率低;制造方面，設備材料依賴于人、及技術落后造成的遏制發(fā)展現(xiàn)象已經(jīng)明顯;封測方面，技術與利潤始終處于產(chǎn)業(yè)鏈低端。

例如美國主攻高附加值領域、日本韓國DRAM起家與***專精代工，我國需從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀出發(fā)明確發(fā)展方向，可以先加強制造，提升上游材料設備來提高制程技術、減少海外依賴，提升自主產(chǎn)權設計為最終目標來制定每三年或每階段發(fā)展目標，統(tǒng)一各界認知，凝聚產(chǎn)業(yè)力量。

3) 對比全球，繼續(xù)加強投資。

由于我國半導體發(fā)展晚、技術落后，對比其他國家，我國無論在設計人才培養(yǎng)、制造材料設備購買、封測技術升級的花費金額更甚。盡管在國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金帶領下，對60多個項目投約1400億人民幣，拉動整個產(chǎn)業(yè)投資，但長期發(fā)展留下的技術差異仍顯不夠。第二，投資無主攻目標。與產(chǎn)業(yè)整體無主要規(guī)劃發(fā)展方向相同，投資方面也顯得雜亂無章。從產(chǎn)業(yè)最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金來看，盡管投資總額大，但每個項目平均金額并不高，而且產(chǎn)業(yè)性質(zhì)決定了無法全面優(yōu)質(zhì)發(fā)展，需要根據(jù)發(fā)展實情調(diào)配基金。

4) 大力度培養(yǎng)人才。

目前我國集成電路人才面臨數(shù)量低、質(zhì)量低和海外流出高的“兩低一高”問題。據(jù)《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書》統(tǒng)計，我國2017年集成電路從業(yè)人員規(guī)模約40萬人，其中設計類14萬、制造類12萬、封測類14萬。但每年僅12%集成電路專業(yè)畢業(yè)生最終進入行業(yè)就業(yè)，數(shù)量約3萬人，遠少于需求端數(shù)量。據(jù)估計，到2022年我國集成電路人才缺口將達32萬人。其次，面對行業(yè)發(fā)達國家教育、人才積累，我國缺乏復合型、經(jīng)驗型人才，并每年流出一定比例。

對于此，國家或?qū)W校需發(fā)揮主導作用，吸引海外優(yōu)質(zhì)人才的同時，加強“產(chǎn)學研”形式的學校、企業(yè)與政府的互動，培養(yǎng)本土人才，提高人才待遇、改善就業(yè)環(huán)境。

5) 建立區(qū)域性整體提高競爭優(yōu)勢，發(fā)揮群聚效應。

美國的硅谷、韓國的京畿道區(qū)與***的新竹工業(yè)園區(qū)在各自國家與地區(qū)半導體發(fā)展做出巨大貢獻。目前，我國半導體產(chǎn)業(yè)主要集中在上海、江蘇、安徽等地區(qū)，有向中部的四川、湖北遷移趨勢，但仍沒有形成大規(guī)模區(qū)域整體。對此，學習美韓臺經(jīng)驗，利用地理優(yōu)勢加強地區(qū)性產(chǎn)業(yè)規(guī)劃來發(fā)揮群聚效應，聯(lián)合配套設施、政策、教育、企業(yè)帶動知識與技術的高效流動、活化資金，先以培養(yǎng)某些龍頭來帶動整個地區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，集中力量辦大事。

6) 堅持政策自主，保持發(fā)展獨立性。

80年代美日兩次簽訂的半導體雙邊協(xié)議，正是因為日本在軍事與國防高度依賴美國而無法保持政策的獨立自主，令日本尚未實現(xiàn)技術全方位壓制就遭受打擊，嚴重拖累日本半導體發(fā)展。因此，面對此次美國借貿(mào)易戰(zhàn)名義打壓遏制“中國制造2025”為代表的高科技領域，我們要堅持自主底線，不能受到外界壓力喪失自主權