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德豪潤達(dá)Mini LED背光模技術(shù)最新進(jìn)展

nDFv_cnledw2013 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-10-24 17:44 ? 次閱讀
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德豪潤達(dá)芯片事業(yè)部從2017年開始Mini LED背光芯片與模組開發(fā),目前可以提共完整的芯片以及背光模組解決方案(圖一):Mini LED芯片定制、Mini LED基板設(shè)計(jì)與外包、以及Mini LED背光模組開發(fā)與生產(chǎn)。德豪潤達(dá)在2018年初把首條Mini LED背光模組專用生產(chǎn)線設(shè)在大連,專用線也已經(jīng)在2018年7月開始運(yùn)行并出貨。

首條MiniLED背光模組生產(chǎn)線建在大連的目的是為了利用德豪潤達(dá)在傳統(tǒng)照明應(yīng)用中已有的倒裝LED芯片與倒裝LEDCOB(ChiponBoard)封裝的經(jīng)驗(yàn)與優(yōu)勢。把MiniLED背光模組的2大關(guān)鍵技術(shù):倒裝LED芯片、倒裝LEDCOB技術(shù)整合在一個(gè)廠區(qū),有效的加速了德豪潤達(dá)在Mini LED背光模組的開發(fā)。

圖一:德豪潤達(dá)芯片事業(yè)部Mini背光模組解決方案

Mini LED背光模組雖然已具備可量產(chǎn)方案,但在從小批量轉(zhuǎn)規(guī)?;a(chǎn)的過程中,需要提升良率和可靠性。

按照德豪潤達(dá)的定義,不良 (Defect)為回流后LED無法正常點(diǎn)亮或焊接外觀不良LED顆數(shù)。DPMO (Defects Per Million Opportunities)從2018年Q1的≤3000 DPMO下降到2018年Q3的≤500 DPMO。目前的不良率降低(Defect Reduction)計(jì)劃效果有達(dá)到預(yù)期,德豪潤達(dá)2018年Q4 DPMO目標(biāo)為≤100 DPMO。良率將隨產(chǎn)量持續(xù)提升。

從德豪潤達(dá)Mini LED背光模組專用生產(chǎn)線在第三季度的不良類別分析(圖二)來看,Open與Short不良加起來占了總不良的90%。而Open與Short不良主要根源來自于焊接材料印刷有關(guān)。焊接材料印刷不良主要原因有:印刷工藝本身的問題、基板平整度問題、以及基板漲縮問題。管控焊接材料的印刷,必定能大幅度減少回流焊后不良率。

圖二:德豪潤達(dá)Mini LED背光模組專用生產(chǎn)線在第三季度不良類別分析

集成電路中的Flip Chip器件在芯片焊盤上沉積焊料凸點(diǎn),用于連接到外部電路,實(shí)現(xiàn)電和機(jī)械連接。德豪潤達(dá)為管控焊接材料,減少回流焊后不良,在Mini LED采用同概念,在LED焊盤上形成焊料凸點(diǎn)(圖三):

圖三:德豪潤達(dá)帶有焊料凸點(diǎn) Mini LED (Mini LED with Bump)

通過晶圓級(jí)工藝在Mini LED芯片焊盤上沉積焊料凸點(diǎn)。此芯片技術(shù)在Mini背光模組封裝可以帶來以下效率、良率、可靠性提升:

Mini LED固晶時(shí)無需在PCB版上刷焊錫膏,簡化Mini LED背光模組制程;

避免PCB板上焊錫膏印刷不良;

晶圓級(jí)工藝可以良好控制焊料量和厚度,提高焊接重復(fù)性和可靠性;

降低對(duì)基板精度、平整度、漲縮要求(提高基板良率、降低基板成本)。

Mini LED with Bump技術(shù)已經(jīng)從芯片至模組完成可行性驗(yàn)證,目前正在進(jìn)行晶圓級(jí)焊料凸點(diǎn)工藝優(yōu)化。德豪潤達(dá)芯片事業(yè)部計(jì)劃在2018年底開始量產(chǎn)Mini LED with Bump。

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原文標(biāo)題:德豪潤達(dá):Mini LED背光模已具備量產(chǎn)技術(shù),良率將提升

文章出處:【微信號(hào):cnledw2013,微信公眾號(hào):CNLED網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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