91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌斥資1.24億歐元收購“碳化硅專家”Siltectra

漁翁先生 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:尹志堅編譯 ? 2018-11-13 09:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2018年11月12日,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)收購了位于德累斯頓的初創(chuàng)公司Siltectra GmbH。該初創(chuàng)公司開發(fā)了一種創(chuàng)新技術(shù)(Cold Split),可有效處理晶體材料,同時最大限度地減少材料損耗。英飛凌將采用Cold Split技術(shù)分割碳化硅(SiC)晶圓,從而使得單個晶圓的芯片數(shù)量翻倍。

目前,已與其主要股東MIG Fonds達成了1.24億歐元的購買價格。

“此次收購將幫助我們利用新材料碳化硅擴展優(yōu)秀的產(chǎn)品組合?!庇w凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss博士表示,“我們對薄晶圓技術(shù)的系統(tǒng)理解以及薄晶圓技術(shù)的獨特專業(yè)知識將與Cold Split技術(shù)和Siltectra的創(chuàng)新能力相輔相成。得益于Cold Split技術(shù),我們的SiC產(chǎn)品應用范圍將進一步拓展,特別是在可再生能源的進一步擴展和用于電動汽車傳動系統(tǒng)的SiC應用方面。”

Siltectra首席技術(shù)官Jan Richter博士說:“我們很高興成為全球功率半導體市場領導者團隊的一員。事實已經(jīng)證明Cold Split技術(shù)可有助于英飛凌產(chǎn)品效能提升,我們現(xiàn)在將共同努力將其轉(zhuǎn)移到批量生產(chǎn)。“

MIG Fonds的合伙人Michael Motschmann表示:“自從我們八年前投資Siltectra以來,我們一直對Cold Split技術(shù)和這個偉大的團隊充滿期待。作為收購方英飛凌,不管是在技術(shù)還是文化上都非常適合Siltectra。此外,我們?yōu)橥ㄟ^投資幫助提高德國的經(jīng)濟競爭力感到自豪?!?/p>

Siltectra成立于2010年,一直在發(fā)展擁有50多個專利家族的知識產(chǎn)權(quán)組合。與普通的鋸切技術(shù)相比,這家初創(chuàng)公司開發(fā)出一種分解結(jié)晶材料的技術(shù),其材料損耗最小。該技術(shù)也可以應用于半導體材料SiC,預計在未來幾年中需求迅速增長。如今,SiC產(chǎn)品已經(jīng)用于非常高效和緊湊的太陽能逆變器中。未來,SiC將在電動汽車中發(fā)揮越來越重要的作用。Cold Split技術(shù)將在德累斯頓現(xiàn)有的Siltectra工廠和奧地利菲拉赫的英飛凌工廠實現(xiàn)工業(yè)化。預計將在未來五年內(nèi)完成向批量生產(chǎn)的轉(zhuǎn)移。

英飛凌提供最廣泛的基于硅的功率半導體產(chǎn)品組合以及碳化硅和氮化鎵的創(chuàng)新基板。它是全球唯一一家在300毫米硅薄晶圓上批量生產(chǎn)的公司。因此,英飛凌也很有可能將薄晶圓技術(shù)應用于SiC產(chǎn)品。Cold Split技術(shù)將有助于確保SiC產(chǎn)品的供應,特別是從長遠來看。隨著時間的推移,可能出現(xiàn)Cold Split技術(shù)的進一步應用,例如晶錠分裂或用于除碳化硅之外的材料。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2518

    瀏覽量

    142914
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5411

    瀏覽量

    132312
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3726

    瀏覽量

    69441
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

    博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?802次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1779次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標,其精確測量對保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1801次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?843次閱讀

    碳化硅在電機驅(qū)動中的應用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7141次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅(qū)動中的應用

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1664次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1194次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1179次閱讀

    英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

    本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會”演講稿第二部分,第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-19 17:32 ?791次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅(SiC)技術(shù)的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?962次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1269次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1433次閱讀

    東升西降:從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的先驅(qū)企業(yè),其股價暴跌(單日跌幅超50%)、財務困境與德國30歐元項目擱淺危機,折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈
    的頭像 發(fā)表于 03-31 18:03 ?1266次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?1006次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?