今天，華為中國(guó)官方微博發(fā)文稱，由華為、LightCounting、光迅科技、住友、索爾思、思博倫以及穎飛等產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴聯(lián)合發(fā)起的第三屆50GPAM4" target="_blank"〉PAM4技術(shù)和產(chǎn)業(yè)論壇近日在深圳舉行。

PAM4(4 Pulse Amplitude Modulation)是新一代信號(hào)傳輸技術(shù)，其采用4個(gè)不同的信號(hào)電平來(lái)進(jìn)行信號(hào)傳輸，每個(gè)符號(hào)周期可以表示2個(gè)bit的邏輯信息（0、1、2、3），相較于傳統(tǒng)信號(hào)傳輸方式，每個(gè)信號(hào)符號(hào)周期可以傳輸更多bit的邏輯信息。

PAM4信號(hào)作為下一代數(shù)據(jù)中心中高速信號(hào)互聯(lián)的熱門信號(hào)傳輸技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于200G/400G接口的電信號(hào)或光信號(hào)傳輸。而50GE則是50Gbps，即6.25GB/s。

華為路由器與電信以太產(chǎn)品線總裁高戟致辭表示："在產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠家的共同努力下，50G PAM4技術(shù)已經(jīng)成熟，華為基于50G PAM4技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品都已經(jīng)正式發(fā)布，50GE在國(guó)內(nèi)三大運(yùn)營(yíng)商5G承載網(wǎng)試點(diǎn)中進(jìn)行了規(guī)模部署，海外運(yùn)營(yíng)商對(duì)50GE技術(shù)普遍認(rèn)可，當(dāng)前華為已經(jīng)獲得十余個(gè)商用合同，未來(lái)市場(chǎng)空間值得期待。"

華為表示，論壇上產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴一致表達(dá)了對(duì)50G PAM4產(chǎn)業(yè)前景充滿信心，并表示50G PAM4產(chǎn)品化已經(jīng)就緒，能夠?yàn)?G承載規(guī)模商用奠定堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

什么是PAM4？

PAM4是PAM(Pulse Amplitude Modulation，脈沖幅度調(diào)制)調(diào)制技術(shù)的一種。PAM信號(hào)是繼NRZ(NonReturn-to-Zero)后的熱門信號(hào)傳輸技術(shù)，也是多階調(diào)制技術(shù)的代表，當(dāng)前已被廣泛應(yīng)用在高速信號(hào)互連領(lǐng)域。

NRZ和PAM4信號(hào)典型波形如下圖所示。其中，右側(cè)為NRZ和PAM4的光眼圖對(duì)比，NRZ為單眼波形，PAM4為三眼波形(y軸方向存在3個(gè)眼狀圖形)。

從4G至即將到來(lái)的5G，流量增長(zhǎng)非常迅猛，但與此形成鮮明對(duì)照的是，運(yùn)營(yíng)商的收入依然以低速增長(zhǎng)，兩者的剪刀差越來(lái)越大。如何縮小流量和收入的不平衡是運(yùn)營(yíng)商面臨的一大痛點(diǎn)。如果可以解決此痛點(diǎn)，無(wú)疑會(huì)在5G解決方案競(jìng)爭(zhēng)中獲得優(yōu)勢(shì)。

最有效降低剪刀差的措施是降低成本。在移動(dòng)承載網(wǎng)設(shè)備的成本構(gòu)成中，光模塊占比越來(lái)越大。如果可以有效降低光模塊的成本，無(wú)疑會(huì)對(duì)降低整網(wǎng)設(shè)備成本起到至關(guān)重要的作用。性能訴求與前幾代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)相比，5G網(wǎng)絡(luò)的能力將有飛躍發(fā)展。例如，下行峰值數(shù)據(jù)速率可達(dá)20Gbps，而上行峰值數(shù)據(jù)速率可能超過(guò)10Gbps。在基礎(chǔ)設(shè)施方面，運(yùn)營(yíng)商應(yīng)該進(jìn)行端到端的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)改造，構(gòu)建從接入網(wǎng)、匯聚網(wǎng)到核心網(wǎng)的彈性架構(gòu)，增強(qiáng)其基礎(chǔ)設(shè)施的帶寬擴(kuò)展靈活性?；趩瓮ǖ?0G PAM4技術(shù)的400GE/200GE/50GE可以很好適配5G對(duì)網(wǎng)絡(luò)成本以及性能的訴求，構(gòu)筑從接入、匯聚到核心網(wǎng)的最優(yōu)解決方案。

光電子技術(shù)是半導(dǎo)體技術(shù)一個(gè)分支。為了更好的提升發(fā)光效率和性能，業(yè)界普遍采用III-V族元素化合物進(jìn)行光芯片設(shè)計(jì)，與僅需要保證電氣性能的CMOS工藝用純硅有較大差異。

當(dāng)前光技術(shù)發(fā)展已成為接口發(fā)展技術(shù)瓶頸。CMOS工藝經(jīng)過(guò)幾十年發(fā)展已經(jīng)非常成熟，由于有海量應(yīng)用以及N次迭代后優(yōu)化的工藝。相比之下，III-V族發(fā)展速度已顯著落后，受限產(chǎn)業(yè)規(guī)模，在工藝成熟度和標(biāo)準(zhǔn)化方面存在較大差距。當(dāng)前，光技術(shù)發(fā)展速度已不能滿足經(jīng)典的摩爾定律要求，即每18個(gè)月性能翻倍。通信領(lǐng)域的光電子技術(shù)發(fā)展速度，當(dāng)前需要24~36個(gè)月才能翻倍。為了使光電子技術(shù)發(fā)展更快，出現(xiàn)了硅光技術(shù)等新的工藝技術(shù)，以及高階調(diào)制等算法技術(shù)等手段加速。PAM4屬于高階調(diào)制技術(shù)的一種，可認(rèn)為是利用電領(lǐng)域技術(shù)加速光技術(shù)發(fā)展的一個(gè)有效方法。