先前反壟斷局針對(duì)DRAM三大業(yè)者，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開(kāi)反壟斷嫌疑調(diào)查，據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落，調(diào)查與開(kāi)罰的理由，也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。

據(jù)了解，國(guó)內(nèi)相關(guān)單位對(duì)三大DRAM業(yè)者并非以壟斷DRAM價(jià)格，而是以NAND Flash捆綁銷售嫌疑進(jìn)行調(diào)查，認(rèn)定三大業(yè)者向華為等國(guó)內(nèi)手機(jī)業(yè)者出貨DRAM的同時(shí)，強(qiáng)迫其購(gòu)買一定數(shù)量的NAND Flash。國(guó)內(nèi)傳將對(duì)業(yè)者課征數(shù)十億美元罰金，但可提出協(xié)商。

2018年5月起，反壟斷局針對(duì)三星、SK海力士及美光等三家業(yè)者展開(kāi)反壟斷行為調(diào)查，主因在于國(guó)內(nèi)手機(jī)業(yè)者不滿DRAM供給不足，且價(jià)格持續(xù)上升。11月中旬，反壟斷局對(duì)外表示，針對(duì)三星、SK海力士及美光的反壟斷調(diào)查取得重大進(jìn)展，掌握大量證據(jù)。

其實(shí)早在2017年底——2018年初，相關(guān)單位亦傳出曾找三星高層，表達(dá)應(yīng)對(duì)DRAM價(jià)格上升自制、優(yōu)先供貨DRAM予國(guó)內(nèi)業(yè)者，以及中斷對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)的專利訴訟。

業(yè)界多認(rèn)為，調(diào)查與開(kāi)罰的理由，從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售，其實(shí)也可能與當(dāng)前市場(chǎng)情勢(shì)有關(guān)。

2000年之后逐漸確立三星、SK海力士及美光三巨頭寡占局面，如以2018年第3季為基準(zhǔn)，三家業(yè)者合計(jì)市占率高達(dá)95%，兩大韓國(guó)業(yè)者三星、SK海力士，合計(jì)市占率更是超過(guò)70%以上。

反觀NAND Flash市場(chǎng)，目前由三星、東芝(Toshiba)、威騰(WD)、英特爾(Intel)、美光及SK海力士等眾業(yè)者占據(jù)，主要業(yè)者皆積極增設(shè)3D NAND產(chǎn)能，預(yù)料不出幾年后，將有1~2家業(yè)者退出市場(chǎng)，由于NAND Flash價(jià)格不斷下滑，為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中確保市占率，DRAM業(yè)者也因此祭出了捆綁銷售策略。