凜冽寒風(fēng)不能吹散“中國芯”的熱情，1月22日風(fēng)林火山—憶芯STARBLAZE新品發(fā)布會(huì)在黃浦江畔舉行。

這是繼2017年底，憶芯科技發(fā)布公司首顆SSD控制芯片——STAR1000后，憶芯再度祭出升級版新品——STAR1000P，以期在國產(chǎn)芯中占據(jù)有利位置。

平地春雷到“風(fēng)林火山” 憶芯蛻變

此次發(fā)布會(huì)上，憶芯對外推出了第二代NVMe SSD控制器——STAR1000P。據(jù)介紹，STAR1000P，走PCIe 3.0 x4通道，支持NVMe 1.3規(guī)范，可支持8個(gè)閃存通道、最大掛載32TB閃存容量，兼容市面主流的3D TLC/MLC。

性能方面，STAR1000P實(shí)現(xiàn)了3.5GB/s和3.2GB/s的順序讀寫以及600K IOPS以上的隨機(jī)讀寫性能，最低8us的寫延遲，助力數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵應(yīng)用。STAR1000P除支持國際AES加密標(biāo)準(zhǔn)以外，也全面支持中國商密(SM2/3/4) 安全方案。此外，官方還強(qiáng)調(diào)了極佳的低功耗表現(xiàn)，號稱在全性能模式下僅2W左右。

高級特性上，STAR1000P采用憶芯科技第三代StarLDPC糾錯(cuò)碼技術(shù)，同時(shí)此芯片增強(qiáng)了NVMe PI，EEEC, In-line ECC等軟錯(cuò)誤處理技術(shù)，以滿足工業(yè)及企業(yè)級高可靠性要求。

憶芯CEO沈飛

憶芯CEO沈飛表示：“STAR1000P正式研發(fā)始于2017年10月9日，其中包含了40名硬件工程師，經(jīng)過286個(gè)日夜，提交310萬行設(shè)計(jì)驗(yàn)證代碼，解決了552個(gè)JIRA和66項(xiàng)專利。終于在2018年7月16日正式流片，并于今天發(fā)布，將會(huì)在2019年4月份完成量產(chǎn)版本?！?/p>

而在此之前，憶芯已于2017年底推出了STAR1000P的前身——國內(nèi)首款商用NVMe SSD控芯片STAR1000。

其疾如風(fēng)，其徐如林，侵掠如火，不動(dòng)如山，本應(yīng)應(yīng)用在戰(zhàn)場上的兵法此時(shí)拿來套用在憶芯的發(fā)布會(huì)，也毫無違和感。據(jù)沈飛介紹，“風(fēng)林火山”分別對應(yīng)憶芯發(fā)布的四款解決方案。

風(fēng)：STAR1200C，高性能、低功耗NVMe消費(fèi)級解決方案；

林：OC SSD，基于定制化Open-Channel接口的數(shù)據(jù)中心解決方案；

火：STAR1200E，低功耗、高性能NVMe企業(yè)級解決方案；

山：DeepSSD，賦能監(jiān)控市場KV存儲應(yīng)用，有效加速數(shù)據(jù)聚類、分組計(jì)算。

從2017年的平地春雷到2018年的風(fēng)林火山，從1000到1000P，沈飛表示：“我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)從跟跑變成領(lǐng)跑，從配合客戶開發(fā)，到如今帶著完整的四大方案，完成了屬于自己的蛻變。”

值得一提的是，據(jù)沈飛的透露，憶芯還將祭出“大招”——智能存儲主控STAR2000。按照憶芯規(guī)劃，STAR2000于2018年11月正式開始研發(fā)，計(jì)劃2019年下半年開始流片。除了性能上的提升，順序讀性能>7.2GB/s，隨機(jī)讀性能>1.6M IOPS，STAR2000還集成多簇多核CPU，支持CNN硬件加速和NAND存內(nèi)計(jì)算。”

存儲芯片國產(chǎn)化之路 能否吹響勝利號角？

國內(nèi)一直處于“缺芯少魂”的尷尬境地，2018年的國產(chǎn)芯熱潮并沒有改變太多境況。據(jù)海關(guān)總署公布的數(shù)據(jù)，2018年全年，我國集成電路的進(jìn)口額3120.58億美元，同比增長19.8%。2018年Q1，中國存儲芯片進(jìn)口額達(dá)146.72億美元，同比猛增75.4%。

此外，大韓貿(mào)易投資振興公社及半導(dǎo)體行業(yè)周四發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2017年中國存儲芯片進(jìn)口總額達(dá)886.17億美元，同比增長38.8%。中國是全球最大的存儲芯片市場，國內(nèi)總存儲的消耗量占全球的50％，然而，根據(jù)政府發(fā)布的報(bào)告，國內(nèi)自主開發(fā)的存儲芯片市場份額幾乎為零。

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副秘書長宮承和

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)副秘書長宮承和在發(fā)布會(huì)上也表示，現(xiàn)今國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)水平上高端、高性能、高可靠的芯片設(shè)計(jì)以及生產(chǎn)相對落后，整體上還需一定時(shí)間。

盡管存在一定的差距，但在受制于人多年后，國產(chǎn)存儲芯也開始以新玩家的身份進(jìn)入賽道。

目前，在閃存方面有紫光旗下的長江存儲入局且進(jìn)展順利。2017年年底長江存儲研發(fā)出32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片；2018年底，32層3D NAND FLASH已經(jīng)推出；按照紫光的計(jì)劃，在2019年底前還將推出64層產(chǎn)品。此外，長江存儲還對外公布了其全新的3D NAND架構(gòu) Xtacking。

更值得一提的是，2018年12月，紫光存儲與群聯(lián)達(dá)成了戰(zhàn)略合作協(xié)議。此次合作之后，未來有可能出現(xiàn)長江存儲供應(yīng)NAND閃存，群聯(lián)提供主控，紫光存儲做品牌，推出紫光自己的SSD產(chǎn)品。

而在主控芯片，作為國內(nèi)SSD主控的重要玩家，聯(lián)蕓科技于2016年3月推出其首款支持3D NAND閃存顆粒的SSD主控器（MAS080X）實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；2017年5月推出的MAS090X系列SSD主控器可支持全球目前推出的所有已經(jīng)量產(chǎn)3D NAND閃存顆粒。

盡管在半導(dǎo)體領(lǐng)域還與世界存在一定差距，但隨著摩爾定律的放緩，人工智能還未形成標(biāo)準(zhǔn)，宮承和認(rèn)為，國內(nèi)半導(dǎo)體有可能實(shí)現(xiàn)彎道超車，“現(xiàn)在是一個(gè)好的追趕時(shí)間節(jié)點(diǎn)。”他表示，2018年是中國芯片蓬勃發(fā)展的一年，2019年也將會(huì)是“國產(chǎn)芯”創(chuàng)造新奇跡的一年。

憶芯CEO沈飛認(rèn)為：“經(jīng)過2017年存儲顆粒價(jià)格飛漲，到2018年的下跌，該市場已經(jīng)開始洗牌，我們希望更多公司能和我們一起在世界市場上大展身手。”