TI C2000的電源應(yīng)用介紹
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1，安裝CCS
https://www.ti.com/tool/download/CCSTUDIO/7.4.0.00015
選則C2000，其它需要的也可以選上
安裝對(duì)應(yīng)版本的編譯器
安裝cgt
安裝C2000ware
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發(fā)表于 11-17 01:24
Texas Instruments HSEC180ADAPEVM SOM適配器板數(shù)據(jù)手冊(cè)
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納芯微NSSine? NS800RT正面硬剛TI C2000，國(guó)產(chǎn)替代“芯”戰(zhàn)事, 工業(yè)控制MCU市場(chǎng)迎來(lái)變局？
在實(shí)時(shí)控制MCU（微控制器）的江湖里，德州儀器（TI）的C2000系列是一個(gè)繞不開(kāi)的名字。三十余年來(lái)，它如同一位功力深厚的宗師，定義了高性能電機(jī)控制、數(shù)字電源等領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于無(wú)數(shù)奮戰(zhàn)在一線(xiàn)的工程師
16 位 ADC 的 汽車(chē)類(lèi)與非汽車(chē)類(lèi)C2000? 32 位 MCU（TMS320F28377DPTPS TMS320F28377SPTPQ）微控制器
前言
C2000? 32 位微控制器針對(duì)處理、感應(yīng)和驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化，可提高實(shí)時(shí)控制應(yīng)用（如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏逆變器和數(shù)字電源、電動(dòng)汽車(chē)和運(yùn)輸、電機(jī)控制以及感應(yīng)和信號(hào)處理）的閉環(huán)性能。C2000
發(fā)表于 04-30 14:11
TPS65381A-Q1 用于安全應(yīng)用中微控制器的多軌電源 （PMIC）數(shù)據(jù)手冊(cè)
MCU 和 C2000? MCU 系列，以及具有雙核鎖步 （LS） 或松散耦合架構(gòu) （LC） 的各種其他 MCU。
TMS320F2800155 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)
TMS320F280015x （F280015x） 是成本優(yōu)化的 C2000 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子的效率而設(shè)計(jì)。
TMS320F280034-Q1 汽車(chē)級(jí) C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)
TMS320F28003x （F28003x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包括但不限于：高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
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TMS320F280013x （F280013x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)。
TMS320F2800152-Q1 具有 CAN-FD、鎖步 ASIL B 的汽車(chē)級(jí) C2000? 32 位 MCU 100MHz 64KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)
TMS320F280015x （F280015x） 是成本優(yōu)化的 C2000 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子的效率而設(shè)計(jì)。
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TMS320F28P65x （F28P65x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的一員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子器件的效率而設(shè)計(jì)，包括但不限于：高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率，并支持使用 IGBT、GaN 和 SiC 技術(shù)。
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TMS320F28P55x （F28P55x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
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F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
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