91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

WBG功率器件的開關(guān)性能介紹

TI視頻 ? 來源:ti ? 2019-04-15 06:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細的分析了開關(guān)性能,損耗計算以及測試,仿真技巧.

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • ti
    ti
    +關(guān)注

    關(guān)注

    114

    文章

    8068

    瀏覽量

    219247
  • 仿真
    +關(guān)注

    關(guān)注

    54

    文章

    4483

    瀏覽量

    138278
  • 功率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    2120

    瀏覽量

    75584
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    L6377智能功率開關(guān):工業(yè)應(yīng)用的可靠解決方案

    L6377智能功率開關(guān):工業(yè)應(yīng)用的可靠解決方案 在工業(yè)電子領(lǐng)域,對于高側(cè)開關(guān)應(yīng)用的需求日益增長,對器件性能和可靠性也提出了更高的要求。L6
    的頭像 發(fā)表于 01-28 11:15 ?178次閱讀

    LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

    LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號:LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:VQFN32產(chǎn)品功能:高性能GaN
    的頭像 發(fā)表于 11-29 11:25 ?310次閱讀
    LMG3410R070RWHR   高<b class='flag-5'>性能</b> GaN <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>

    季豐電子功率器件動態(tài)老化測試能力介紹

    DGS & DRB是功率器件可靠性測試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評估器件檢測碳化硅功率MOSFET 的柵極開關(guān)不穩(wěn)定性,DRB評估
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:19 ?753次閱讀
    季豐電子<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>動態(tài)老化測試能力<b class='flag-5'>介紹</b>

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外,書中還介紹
    發(fā)表于 07-11 14:49

    電源功率器件篇:線路寄生電感對開關(guān)器件的影響

    開關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件,其性能直接影響整個電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開關(guān)頻率從傳統(tǒng)的 kHz 級躍升至 MHz 級,以及碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)
    發(fā)表于 07-02 11:22

    使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

    ,而使用像碳化硅 (SiC) 這樣的基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的功率器件就可以滿足這些要求,而且這種技術(shù)還在不斷改進。 為什么選擇 SiC? 與硅 (Si) 相比,SiC 等 WBG
    的頭像 發(fā)表于 05-25 11:26 ?939次閱讀
    使用碳化硅 MOSFET 降低高壓<b class='flag-5'>開關(guān)</b>模式電源系統(tǒng)的損耗

    什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?

    、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復(fù)二極管,用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位; ? 晶體管 ?:含雙極結(jié)型晶體
    的頭像 發(fā)表于 05-19 09:43 ?1619次閱讀

    功率器件開關(guān)功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試

    功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)
    發(fā)表于 05-14 09:03 ?1471次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET<b class='flag-5'>開關(guān)</b>損耗測試

    開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹

    一 、緒論開關(guān)電源電路拓?fù)涫侵?b class='flag-5'>功率器件和電磁元件連接在電路中的方式,而磁性元件設(shè)計、閉環(huán)補償電路以及所有其他電路元件的設(shè)計都依賴于拓?fù)洹?拓?fù)淇煞譃椋?b class='flag-5'>開關(guān)型和非
    發(fā)表于 05-12 16:04

    基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器

    對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:08 ?1351次閱讀
    基于氮化鎵的碳化硅<b class='flag-5'>功率</b>MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器

    芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

    功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 13:55 ?1201次閱讀

    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:34 ?1024次閱讀
    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的代際跨越與選型策略

    寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

    功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:36 ?896次閱讀
    寬帶隙<b class='flag-5'>WBG</b><b class='flag-5'>功率</b>晶體管的<b class='flag-5'>性能</b>測試與挑戰(zhàn)

    概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計分析驗證工具PTM介紹

    PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計分析套件,支持高精度提取Rdson、驗證器件開關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級IDM和設(shè)計公司的認(rèn)可和采用。
    的頭像 發(fā)表于 04-22 10:06 ?1237次閱讀
    概倫電子<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>及電源芯片設(shè)計分析驗證工具PTM<b class='flag-5'>介紹</b>

    逆變電路中功率器件的損耗分析

    在研究逆變電路的損耗時,所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時還需要進行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為
    的頭像 發(fā)表于 03-27 14:20 ?1988次閱讀
    逆變電路中<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的損耗分析