從草圖到產(chǎn)品，“半導(dǎo)體器件在制造前后往往面臨諸多危害，這將導(dǎo)致它們過早失效”?！靶酒墓ぷ鳝h(huán)境惡劣，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)學(xué)會了如何應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。但隨著制造尺寸越來越小或采用了新的封裝技術(shù)，新的問題隨之出現(xiàn)?！痹O(shè)計、制造、靜電處理、關(guān)聯(lián)問題、操作……諸多細(xì)節(jié)都是導(dǎo)致芯片故障的元兇，本文就將具體介紹導(dǎo)致芯片之死的五大原因。

以下為譯文：

半導(dǎo)體器件包含數(shù)億個晶體管，它們在極端溫度和惡劣環(huán)境下工作，因此，許多器件未能如預(yù)期那樣工作或壽命有限，這并不奇怪。有些器件永遠(yuǎn)無法走出實驗室，還有許多器件則死于車間。人們希望發(fā)布到產(chǎn)品中的大多數(shù)器件在過時之前都能存活下來，但很多事情都可能發(fā)生，讓它們無法走到那一步。即使是運行正常的器件也會受損，導(dǎo)致它們不能產(chǎn)生正確的結(jié)果。

器件失敗及其原因可以列出一大長串。但它們通常分為幾個類別，具體如下。

死于設(shè)計

Mentor/Wilson 的功能驗證研究結(jié)果指出，2018 年 ASIC 芯片的一次投片成功率只有 26%，這個值低于之前的研究結(jié)果。成功率低的部分原因是新的工藝節(jié)點引起了一些尚未完全理解的問題。在此之前，已經(jīng)存在了一段時間的問題被整合到工具和流程中，使這些已知的問題不那么具有威脅性。然而，在 2018 年，混合信號接口、串?dāng)_（Crosstalk）、時序和 IR-Drop，所有這些已知的問題導(dǎo)致了芯片改版的比例大大上升。

導(dǎo)致芯片改版的 ASIC 缺陷類型 | 來源：2018 年功能驗證研究報告，由 Wilson Research Group 和西門子 Mentor 事業(yè)部發(fā)布

“一些客戶的芯片之所以失敗，是因為它們的設(shè)計過程較為特殊?！盨ynopsys 的產(chǎn)品經(jīng)理 Kenneth Chang 說道?！耙晃豢蛻暨M(jìn)行了 block 級功耗分析，然后進(jìn)行了集成。他們認(rèn)為在那個階段他們可以修復(fù)問題，但是事與愿違，芯片也就失敗了——原因在于舊方法不再適用于新的先進(jìn)技術(shù)?！?/p>

并非說一個芯片只有在不能工作時才是失敗。Cadence 公司 Digital 和 Signoff 部門產(chǎn)品管理總監(jiān) Jerry Zhao 認(rèn)為，“如果一個芯片沒有達(dá)到性能目標(biāo)，那也是失敗”，“如果芯片的運行速度比預(yù)期低 10％，那么它在市場上可能就沒有競爭力了?！?/p>

電源正成為一個挑戰(zhàn)，尤其是當(dāng)電源是在芯片上的時候。ARM 公司的物理設(shè)計團(tuán)隊高級解決方案營銷經(jīng)理 Lisa Minwell 表示，“電力傳輸網(wǎng)絡(luò)（PDN）是一個分布式 RLC 網(wǎng)絡(luò)，可以分為三部分：片上、封裝和板上”，“片上需要更快的時鐘頻率、更低的工作電壓和更高的晶體管密度。雖然先進(jìn)的 finFET 技術(shù)實現(xiàn)了性能的持續(xù)提升，但功率密度的增加使 IR Drop 閉合成為一個挑戰(zhàn)。精確建模和最小化電壓裕度對于平衡能量效率和魯棒性至關(guān)重要?！?/p>

但裕度可能是悲觀的，從而限制了競爭力。盡管發(fā)現(xiàn)了問題，一些公司還是冒著風(fēng)險繼續(xù)前進(jìn)。 “一家大型存儲器公司在明知有大量的 IR Drop 問題的情況下照樣出帶（tape out）”，Kenneth Chang 說道 ，“只要看起來不太糟糕，他們就會選擇 tape out，因為日程表對他們來說更加重要?？蛻粽趯W(xué)習(xí)，在這種情況下，他們的芯片并沒有失敗。如果他們不失敗，他們就會繼續(xù)做他們正在做的。當(dāng)它們到達(dá)更具進(jìn)取性的節(jié)點時，它們就需要變得更加受指標(biāo)驅(qū)動，并執(zhí)行 EMIR 分析?！?/p>

越來越多的問題也開始并發(fā)出現(xiàn)，例如功率、IR Drop、發(fā)熱、時序、電遷移都是相互聯(lián)系的，但對大部分問題的分析都是分開進(jìn)行的。Jerry Zhao 指出，“電源噪音是個問題”，“電壓供應(yīng)正在下降，同時用戶希望獲得更高的性能。電池沒有提供太多動力，也許有 850 毫伏，但你仍然想要 3GHz 的性能。電源噪聲會產(chǎn)生重大影響，尤其是當(dāng)晶片中存在變化時，這種噪聲會隨時間和位置而變化。因此，不同位置的同一個電池可能會因電壓下降而失效，從而導(dǎo)致時序延遲。你必須在電壓下降的背景下分析電池，并進(jìn)行靜態(tài)電壓感知時序分析。有些路徑對電壓變化非常敏感。”

隨著問題得到更好的理解，工具可以執(zhí)行更好的分析，并且可以使用設(shè)計方法來規(guī)避問題。 “復(fù)雜性導(dǎo)致更大的功率密度，這反過來又在芯片內(nèi)產(chǎn)生局部加熱（熱點）?！?Moortec 公司的營銷副總裁 Ramsay Allen 解釋道，“柵極密度的增加也會導(dǎo)致供電電壓更大的下降。在整個設(shè)計中，高精度的溫度傳感器和電壓監(jiān)控器使系統(tǒng)能夠管理和適應(yīng)這些條件，通過為熱管理和電源異常檢測提供解決方案，提高設(shè)備可靠性并優(yōu)化性能。這在數(shù)據(jù)中心和人工智能設(shè)計中尤其重要，因為性能要求的提高使設(shè)計在溫度和電壓方面承受了巨大的壓力?！?/p>

死于制造

半導(dǎo)體器件的制造涉及到僅有幾納米的結(jié)構(gòu)。作為參照，人類的 DNA 鏈直徑為 2.5 納米，而人類的頭發(fā)直徑為 80000 至 100000 納米。一?；覊m可以摧毀晶圓上的幾個單元裸片。如果裸片的尺寸變大，隨機失效的幾率就會增加。對于成熟的工藝節(jié)點，可以獲得 80% 到 90% 的出片率。然而，對于較新的節(jié)點，出片率可能顯著低于 50%，盡管實際的數(shù)字是嚴(yán)格保密的。

晶圓缺陷圖案 | 資料來源：Marvell Semiconductor，ITC 2015。

即使是不受災(zāi)難性影響的裸片也可能不被劃在可工作的范圍內(nèi)。制造步驟不完善時，即使只有一個原子的工藝變化也會產(chǎn)生顯著的差異。雖然這可能不會對設(shè)計的某些部分產(chǎn)生影響，但如果工藝變化恰好與關(guān)鍵的時序路徑相吻合，則可能會使器件不符合規(guī)范。

ANSYS 公司的 ESD/Thermal/Reliability 產(chǎn)品經(jīng)理 Karthik Srinivasan 表明，“隨著設(shè)計演變?yōu)榫哂邢冗M(jìn)封裝的深亞微米技術(shù)，現(xiàn)有的模擬工具和設(shè)計方法不能很好地捕捉到變異性及其對可靠性的影響”，“這會導(dǎo)致設(shè)計流程中出現(xiàn)漏洞，從而引發(fā)一些故障?！?/p>

設(shè)計流程越來越多地允許在開發(fā)早期就考慮到變化，以最大程度地減少其影響，而冗余等設(shè)計技術(shù)可以減少需要丟棄的“幾乎可以工作”的芯片的數(shù)量?！皫缀蹩梢怨ぷ鳌钡男酒诖笮蛢?nèi)存陣列中非常常見，按照它們在測試中表現(xiàn)出的性能進(jìn)行相應(yīng)的分類（binning）是常用于處理器的另一種做法。也就是，在高頻率下運行的優(yōu)良器件可以以更高的價格出售，而那些只有在低頻率時才能成功工作的器件則以折扣價出售。

測試的作用是找出哪些裸片功能完好。那些處于臨界狀態(tài)的裸片通常會被丟棄，但是一些有功能缺陷的裸片也會被漏檢，并最終進(jìn)入正式產(chǎn)品中。

死于靜電處理

有很多種方法可以殺死芯片。如果將 0.5V 的電壓施加到芯片的外部，就會在 1 納米的電介質(zhì)上產(chǎn)生 0.5MV/m 的電場。這足以使高壓電線起弧?，F(xiàn)在想象一下當(dāng)你接觸芯片的引腳時會發(fā)生什么。

“通常情況下，這是一個很高的電壓，根據(jù)引腳的接觸方式，會有不同的模型，例如人體模型或電荷分布模型（CDM）?！盝erry Zhao 解釋說，“這些模型定義了電流如何被引入引腳，這是一種隨時間變化的動態(tài)波形?！?/p>

通常，芯片都會有靜電放電（ESD）保護(hù)。“對于封裝內(nèi)的單個裸片，它們的目標(biāo)是像 2KJ 這樣的標(biāo)準(zhǔn)，”Karthik Srinivasan 指出，“像 HBM 這樣的多芯片解決方案的標(biāo)準(zhǔn)稍低一些。采用 2.5D 或 3D IC 的一個原因是為了性能，而 ESD 是性能的障礙。你試圖最小化 ESD，甚至在這些 Wide I/O 接口或任何類型的多芯片接口通道上消除它，這意味著你不能真正地按照針對單個裸片的相同標(biāo)準(zhǔn)來測試每個裸片。它們必須通過更專業(yè)的測試方法，因為它們的 ESD 保護(hù)非常小，甚至可能沒有 ESD 保護(hù)?！?/p>

即使在操作過程中，靜電放電事件也會引起問題。ARM 公司的 Minwell表示：“在便攜式電子產(chǎn)品中，ESD 可以導(dǎo)致許多類型的軟錯誤?！痹?ESD 事件期間，由于某些集成電路（振蕩器集成電路、CPU 和其他集成電路）的靈敏度，或由于其與配電系統(tǒng)（PDN）的場耦合，都可能導(dǎo)致在配電系統(tǒng)上產(chǎn)生噪聲。

死于關(guān)聯(lián)問題

“軟錯誤可以以多種方式發(fā)生，如果是系統(tǒng)性的設(shè)計錯誤，它可以使芯片看起來好像不工作。三維集成電路（3D IC）正在增加對電磁感知設(shè)計方法的需求，”Helic 公司的營銷副總裁 Magdy Abadir 指出，“這是因為產(chǎn)生的功率密度更高，疊加層的數(shù)量也在增加，從而引發(fā)了增加天線的風(fēng)險，這會放大整個設(shè)計過程中產(chǎn)生的磁場。”

供電不足也會帶來問題。Jerry Zhao 指出，“芯片的功能取決于晶體管的躍遷”，“這取決于供電電壓。如果它能在 1V 電壓下工作，它可能會再下降 10％ 或 20％ 也仍然可以正常工作。但時序會有所不同，因此可能需要降低最大時鐘頻率?！?/p>

隨著電壓的降低，電路更容易受到噪聲的影響?！半姶鸥蓴_（EMI）是芯片對環(huán)境產(chǎn)生的噪音，”Ansys 公司的半導(dǎo)體事業(yè)部首席技術(shù)專家 Norman Chang 表示，“噪聲源來自有源電路，它將在電源地線和信號線上產(chǎn)生電流。電源線/接地線將通過封裝到 PCB，如果它看到封裝或 PCB 有天線結(jié)構(gòu)，就會引起空中輻射，然后通過天線結(jié)構(gòu)輻射到環(huán)境中并產(chǎn)生干擾?！?/p>

但出去的東西也會進(jìn)來?！半姶琶舾行裕‥MS）是人們不得不擔(dān)心的一個新問題，” Norman Chang 指出，“電力注入測試是從 150kHz 開始注入 1W 電量，一直到 1GHz。在每個頻率，你將向系統(tǒng)注入 1W 的電量。如果你沒有足夠的保護(hù)，就會破壞沿路徑進(jìn)入芯片的電路。測試的目的不是為了破壞芯片，而是測試這種噪聲是否會影響電路?；蛘咭_處的電壓可能過高，如果電壓過高，則會產(chǎn)生過電應(yīng)變?！?/p>

死于操作

此時，芯片已經(jīng)到達(dá)“現(xiàn)場”并被認(rèn)為是可以工作的?！翱煽啃允莻€大問題，”Microchip 公司模擬電源和接口部門的首席產(chǎn)品營銷工程師Fionn Sheerin 指出，“在很多情況下，糟糕的熱設(shè)計并不會導(dǎo)致瞬間災(zāi)難性的故障，甚至不會產(chǎn)生平庸的產(chǎn)品。但是它會使器件的使用壽命縮短。觀察布局中的熱點或最佳布局實踐以及良好的層次規(guī)劃可能會產(chǎn)生不同的效果。這也是驗證和可靠性測試真正重要的地方，同時也是汽車應(yīng)用的功能安全問題?！?/p>

西門子 Mentor 事業(yè)部的產(chǎn)品營銷總監(jiān) Joe Davis 也贊同這一觀點，“發(fā)熱導(dǎo)致的問題不僅僅是你的手機在口袋里變熱。它會導(dǎo)致晶體管和它們之間的連接退化。這會影響性能和可靠性?！?/p>

熱量由兩個來源產(chǎn)生，“首先是路由層，” Jerry Zhao 分析表示，“這是與導(dǎo)線中的電流有關(guān)的熱量。模擬電路的電流比數(shù)字電路大。因此，模擬電路的設(shè)計人員不得不擔(dān)心的一個問題就是，如果溫度過高，會使電線熔化；第二個來源是晶體管。當(dāng)我們遷移到 finFET 時，其中一個新的現(xiàn)象是自熱。熱量沿著弱電阻路徑運動，然后從晶體管的散熱片中垂直逸出，這會增加電線中的熱量?！?/p>

當(dāng)高電流和高熱量聚集在一起時，電遷移效應(yīng)會慢慢損壞導(dǎo)線。同樣地，負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）等物理效應(yīng)也會有同樣的效果。當(dāng)電流很大時會對器件產(chǎn)生應(yīng)力，如果持續(xù)足夠長的時間，則會導(dǎo)致永久性損傷。

結(jié)論

本文僅僅包含了芯片從設(shè)計到產(chǎn)品，再到產(chǎn)品的整個生命周期中所面臨的一些挑戰(zhàn)。

芯片的工作環(huán)境惡劣，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)學(xué)會了如何應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。但隨著制造尺寸越來越小或采用了新的封裝技術(shù)，新的問題隨之出現(xiàn)。有時，這些新的影響會導(dǎo)致器件失敗故障。但從歷史上看，該行業(yè)很快學(xué)會了規(guī)避新的問題或?qū)栴}最小化的方法。