隨著數(shù)據(jù)的爆炸式增長，使得市場對于存儲芯片的需求也呈高速增長的態(tài)勢。然而，中國市場的存儲此前幾乎100%依賴于進口。不過，近年來，隨著國家的大力支持以及國產(chǎn)存儲企業(yè)的努力，目前國產(chǎn)NAND FLASH以及DRAM均實現(xiàn)了0的突破。去年，紫光國芯（已更名為紫光國微）就已經(jīng)實現(xiàn)了DDR4內(nèi)存內(nèi)存模組的量產(chǎn)供貨，紫光集團旗下的的長江存儲的32層NAND FLASH就已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，而現(xiàn)在紫光的SSD也已批量出貨。

純國產(chǎn)紫光SSD批量出貨

據(jù)中關(guān)村在線報道，2019年，純國產(chǎn)紫光SSD開始出貨，SATA和NVMe兩種類型各有一款產(chǎn)品 ，目前為止中關(guān)村在線已經(jīng)拿到這兩款產(chǎn)品，后續(xù)將會進行測試。

（圖片來源：中關(guān)村在線）

此次出貨的SATA以及NVMe兩款SSD在容量方面均支持從128GB到1TB版本四種選擇，在主控方面采用了國產(chǎn)主控，閃存顆粒方面是紫光的64層3D NAND TLC顆粒（中關(guān)村原文是64層，不過目前紫光的64層3D NAND應該沒有量產(chǎn)，所以應該是32層），也是目前市場主流的水準，紫光量產(chǎn)即達到這樣的水平，起點不低。

從目前的曝光的產(chǎn)品信息來看，此次采用的晶圓很大概率上為紫光原廠切割封裝，在設(shè)計制造等方面均實現(xiàn)國產(chǎn)，具體信息還有待紫光方面的具體確認。

至于紫光的SSD性能，去年網(wǎng)上曾曝光過還處于樣品階段的紫光SSD的CrystalDiskMark測試數(shù)據(jù)。從數(shù)據(jù)來看，當時紫光SSD在Seq Q32T1/Seq場景下最大的讀寫速度均達到500MB/s以上，在4K隨機讀寫速度上分別在39MB/s和160MB/左右。

▲紫光SSD測試數(shù)據(jù)

▲三星850EVO1TB SSD測試數(shù)據(jù)

三星970EVO plus測試數(shù)據(jù)

紫光SSD的這個成績要略優(yōu)于三星2016年推出的基于48層TLC顆粒的新版850EVO1TB SSD。當然，與三星今年新推出的96層TLC顆粒的入門級NVMe SSD產(chǎn)品——三星970EVO plus的性能相比仍有很大差距。

國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)

當前，隨著數(shù)據(jù)的爆炸式增長，使得市場對于存儲芯片的需求也呈高速增長的態(tài)勢。目前在存儲器市場上，韓國的三星與SK海力士兩家公司都占據(jù)了相當大的市場占有率。其中，僅三星一家就能達到全球DRAM市場的46%、NAND Flash市場的39%。而SK海力士則是擁有全球DRAM市場的29%比率、NAND Flash市場的15%市占率。

而作為全球最大消費類電子市場之一，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場此前基本上100%都依賴于進口。這也使得中國發(fā)展國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)的需求也最為迫切。

在國家及各地政府的支持下，近幾年國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，目前紫光集團旗下的長江存儲的32層3D Nand Flash的成功量產(chǎn)，合肥長鑫的DRAM很快也有望進入量產(chǎn)。顯然，隨著國產(chǎn)DRAM及Nand Flash的量產(chǎn)上市，必將對三星、海力士、美光等存儲大廠造成沖擊。

據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興院預測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。在DRAM市場上，2022年韓國企業(yè)預計銷售金額為695億美元，如果中國公司加入競爭，則出口金額將降低到628億美元，減少67億美元。在NAND Flash市場上，2022年韓國企業(yè)預計銷售金額為376億美元。而在中國企業(yè)加入競爭后，則可能降至365億美元，減少11億美元。

從上面的分析數(shù)據(jù)來看，相對于韓國企業(yè)在存儲領(lǐng)域的1071億美元的營收來看，四年后，國產(chǎn)存儲企業(yè)從韓國企業(yè)手中所能搶下的市場也僅有78億美元。足見國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)與韓國存儲產(chǎn)業(yè)差距之大。

另外，在NAND存儲技術(shù)層面，三星、SK海力士、美光的96層堆棧的3D NAND基本都已量產(chǎn)，并且早已進入128層堆棧的3DNAND的研發(fā)，而國內(nèi)長江存儲去年年底量產(chǎn)的是32層3D NAND，今年才會量產(chǎn)64層3D NAND，技術(shù)上仍有兩代左右差距。

在DRAM內(nèi)存技術(shù)方面，三星、美光也是大幅領(lǐng)先國內(nèi)廠商。比如今年1月，三星就推出了一款超高性能高端DRAM，以18Gbps(1Gbps意味著每秒10億比特的轉(zhuǎn)移速度)批量生產(chǎn)16GB(GD)GDDR6 DRAM，這是世界上最高速度的DRAM。而國內(nèi)已有的產(chǎn)品只有紫光國微的DRR4內(nèi)存，單條容量4GB左右。另外在制造工藝上，三星已經(jīng)將10nm的技術(shù)應用于DRAM之中，國內(nèi)還處在28nm的階段，僅工藝上就起碼落后了2年多的時間。

另外，面對國產(chǎn)存儲廠商的快速發(fā)展，三星、SK海力士、美光等廠商也是嚴正以待，期望通過擴大產(chǎn)能、降低價格以及技術(shù)專利封鎖等多角度來進行圍堵。

三星2017年不僅完成了全球最大的NAND Flash工廠，還投資140億美元，預計將位于韓國平澤市的2期NAND Flash工廠，改成DRAM工廠，建成后預計也是全球最大的DRAM工廠之一。此外，三星去年還宣布將在2019年進一步擴大NAND閃存投資，由2018年的64億美元增至2019年的90億美元。業(yè)界普遍認為三星的巨額投資計劃是在捍衛(wèi)其在市場中的主導地位。

SK海力士方面則不僅參加了2017年對東芝NAND Flash業(yè)務(wù)的競標，還在中國無錫工廠繼續(xù)投資36億美元，建設(shè)新的DRAM工廠。SK海力士還計劃在2022年之后的十年之內(nèi)斥資120萬億韓元（約為1000億美元），于韓國龍仁市建造四座半導體工廠。

美光在2017年之時，也層宣布將在未來兩三年內(nèi)投資20億美元升級日本廣島的DRAM工廠。去年，美光還宣布將在未來12年內(nèi)投資30億美元擴建美國弗吉尼亞工廠。此外，在2017年，美光就以專利侵權(quán)為由起訴了國產(chǎn)DRAM廠商福建晉華，隨后事件進一步升級，最終迫使晉華停擺。

顯然，國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的同時，國外存儲巨頭也在加速，國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)要想真正崛起，仍有相當長的一段路要走。當然，我們也并不能因為目前存在的巨大差距就妄自菲薄，畢竟我們已經(jīng)成功實現(xiàn)了從0到1的突破，這也是最為關(guān)鍵和困難的一步。未來，憑借國產(chǎn)存儲廠商的努力以及中國的龐大的市場優(yōu)勢，中國存儲產(chǎn)業(yè)終將崛起。