91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

功率及化合物半導體最新趨勢與挑戰(zhàn)

電子工程師 ? 來源:工程師曾暄茗 ? 2019-04-07 00:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

功率及化合物半導體對人類社會和科技發(fā)展影響越來越巨大,其應用涵蓋了照明、激光、成像、移動通訊、消費電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。

3月21日至22日,享譽業(yè)界的“功率及化合物半導體國際論壇2019”于SEMICON China同期在上海浦東嘉里酒店成功舉辦。本次共有20余位來自海內外演講嘉賓,既有各領域的翹楚如SiC領域第一的Wolfspeed(CREE)、功率半導體IDM巨擘英飛凌、化合物半導體外延巨頭IQE、氮化鎵功率電子領先企業(yè)Gan System、 5G通訊領跑者Qorvo、VCSEL引領者Finisar、MicroLED技術創(chuàng)造者PlayNitride,也有化合物半導體晶圓代工優(yōu)秀企業(yè)如深耕功率器件代工多年的漢磊科技、化合物代工市占率第一的穩(wěn)懋、新興力量三安集成、全球領先的TowerJazz,此外還有本土IDM企業(yè)如中國中車,各領域最具活力的新興企業(yè)如EpiGaN、睿熙、英諾賽科、大晶磊等,各領域專家就新型光電顯示、人臉識別、寬禁帶半導體功率電子、5G通訊分享了等最新進展。將近500名來自全球各領域的專業(yè)觀眾參加了本次論壇。

SEMI中國區(qū)總裁居龍先生出席會議致辭。居總表示中國作為全球最大的功率器件、化合物半導體市場,充滿了機會同時也面臨著很多挑戰(zhàn)。本次論壇匯集全球行業(yè)專家,分享相關領域的最新技術趨勢。希望本次論壇可以帶給大家更多的討論和思考,這也是SEMI搭建相關產業(yè)平臺的意義和所在。

***漢磊科技總經理莊淵棋作了“寬禁帶半導體的市場與技術”主旨報告。他認為SiC在電動汽車(EV)中將發(fā)揮著越來越重要的作用。特別是中國的汽車廠商非?;钴S,他們將在電動汽車中廣泛使用SiC功率器件,以滿足更高效率、更輕量化的要求。

Wolfspeed的首席技術官John Palmour介紹用于功率開關應用的碳化硅材料及器件。由SiC、GaN構成的第三代半導體材料寬禁帶技術改變了當代生活的諸多方面,例如風力發(fā)電、光電轉換太陽能、汽車、能源存儲、快充,目前寬禁帶半導體引領時代潮流的氮化鎵材料推動4G更快過渡進5G。John Palmour提到碳化硅具有高效和高能量密度,帶動電動汽車等行業(yè)發(fā)展,是推動汽車行業(yè)發(fā)生變革的根本動力。John Palmour相信SiC轉換器具有絕對優(yōu)勢,將未來電力推進系統(tǒng)帶入高能效時代。

***錼創(chuàng)科技(PlayNitride)CEO 李允立分享了MicroLED顯示技術的最新進展。他指出MicroLED顯示技術與LCD、OLED顯示技術相比,在顯示效率、柔性化、無邊框、多用途方面具有很大優(yōu)勢,是顯示技術發(fā)展終極方向。但是仍有很多問題亟待解決,如實現(xiàn)柔性顯示的襯底材料、驅動等。另外,雖然巨量轉移是MicroLED大規(guī)模制造的一個核心技術挑戰(zhàn),但是巨量修復更是實現(xiàn)MicroLED商業(yè)化應用的另一個核心技術挑戰(zhàn)。目前錼創(chuàng)在巨量轉移、巨量修復上取得了一些重要進展,MicroLED產品在電視領域已經得到初步商用驗證。

GaN Systems的全球運營副總裁 Stephen Coates為與會嘉賓介紹:如何用體積更小、能耗更低、更高效率的功率電子器件改變汽車世界。氮化鎵的設計趨向于效率更高、體積輕而小的方向發(fā)展。氮化鎵作為更好的功率晶體管可以制造出更好的功率電子器件。Stephen Coates相信如今GaN SYSTEMS在氮化鎵方面取得的研究成果會給汽車、太陽能、無線電、AC Adapter、大數(shù)據(jù)管理(Datacenter Server and Rack Power)、車載充電、Traction Inverter等諸多行業(yè)帶來更多裨益。

Finisar Corporation在VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器技術方面處于領先地位。自1993年開始研究,至今已成為3D照相機供應商的主要VCSEL供應商。Finisar Corporation全球營銷高級總監(jiān)Christian Urricariet介紹VCSELs技術在3D檢測方面的應用。典型的激光3D感應系統(tǒng)利用激光紅外線生成深度數(shù)據(jù):Structured Light,Time-of-Flight (ToF),實現(xiàn)方法是利用處理器算法來計算數(shù)據(jù)。目前VCSEL在智能手機中的多處應用,手機中的人臉識別是其中之一。如今3D數(shù)碼相機和深度傳感系統(tǒng)快速融入圖像檢測和激光照明技術。Christian Urricariet提到VCSEL技術將推動IR發(fā)展。VCSEL在3D傳感市場收益預計2023年增加$1.8B。

昂坤科技首席執(zhí)行官馬鐵中闡釋了當前外延芯片缺陷檢測的難點。與傳統(tǒng)的缺陷分類方法不同,昂坤視覺基于數(shù)輪深度學習算法的EPI AOI(外延芯片缺陷檢測)可以將缺陷分類精度提高到99%。不僅如此,馬博士還向與會者分享了EPI AOI系統(tǒng)的結構外觀。EPI AOI 還包括EPI DSA缺陷溯源分析、EPI Image Viewer離線觀察缺陷形態(tài)等多個軟件集成。EPI AOI自動對焦精度達到0.1μm,馬博士列舉了EPI AOI檢測氮化鎵及砷化鎵材料缺陷的應用案例。這種基于數(shù)輪深度學習算法的外延芯片缺陷檢測系統(tǒng)突破了傳統(tǒng)的檢測模式,以更高精度、更智能的檢測賦予客戶自定義缺陷類別的可能性。

目前5G已經在醫(yī)療、航空、移動、生產制造供應鏈、農業(yè)等多方面深入到我們身邊。穩(wěn)懋半導體協(xié)理黃智文介紹化合物半導體與無線通訊之展望與挑戰(zhàn),提到化合物半導體引領未來的無線通訊領域,調制頻率是關鍵,未來無線通訊設備將具有更高頻率、更加線性化、更加集成化的特性,而這一切的關鍵在于化合物半導體。黃智文介紹穩(wěn)懋多芯片解決方案及單芯片解決方案,穩(wěn)懋公司的MW Solution突破了傳統(tǒng)的QFN。

比利時EpiGaN公司是一家為功率電子器件、RF Power、傳感設備提供材料的供應商。首席市場官Markus Behet介紹5G關鍵技術——硅基氮化鎵。不同的外延結構決定了設備的性能。Markus介紹EpiGaN用于650伏功率轉換器和RF power的硅基氮化鎵產品,展示為5G設計的30GHz的氮化鎵/硅化鎵 LNA&HPA MMIC、13-17&37-43 GHz的氮化鎵/硅化鎵 HPAs、90GHz的氮化鎵/硅化鎵 PA。Markus向與會觀眾介紹EpiGaN公司生產的大直徑硅片、硅基氮化鎵具有很好的熱化學穩(wěn)定性、集成性以及壓電性能,廣泛應用于壓力傳感器、生物傳感器、RF filters等領域。

寧波睿熙科技有限公司首席執(zhí)行官James Liu分享VCSEL技術及應用。VCSEL是人工智能的關鍵設備,在3D傳感器、IoT、云計算、汽車領域有廣泛的運用。James對VCSEL未來的市場發(fā)展做了預測,介紹了VCSEL的優(yōu)點以及睿熙科技在VCSEL方面的設計要點及可靠性分析,James相信未來十年VCSEL市場將迅速發(fā)展。

英飛凌科技高級總監(jiān)Peter Friedrichs介紹正在走向更廣闊市場的碳化硅晶體管。碳化硅和氮化鎵材料較傳統(tǒng)硅材料具有更快的功率轉換效率和較低損失。碳化硅在太陽能轉換系統(tǒng)、電動汽車充電中具有很廣泛的應用。Peter相信隨著英飛凌碳化硅材料的深入研發(fā)及廣泛應用,電動汽車充電性能將大幅度得到優(yōu)化。

浙江大晶磊半導體科技有限公司執(zhí)行副總裁馮恒毅介紹針對于中/高壓碳化硅MOSFET應用的高絕緣供電驅動技術。SiC材料由于其特性和優(yōu)勢,被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。目前高電壓設備領域SiC 金氧半場效晶體管已取代Si IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)。SiC MOSFET目前僅被限制于低電壓領域,馮恒毅相信高電壓絕緣功率器件將具有易評估,較大轉換功率,持續(xù)工作電壓穩(wěn)定的特點。

Novel Crystal Technology, Inc.的高級經理Kohei Sasaki介紹氧化鎵功率器件的進展。氧化鎵晶圓為功率器件的降低損失提供了可能性。Novel Crystal Technology, Inc.做了〖Ga〗_2 O_3 trench MOSSBDs、〖Ga〗_2 O_3 JBS diode、〖Ga〗_2 O_3 trench MOSFETs深入研究,Sasaki認為氧化鎵設備比碳化硅性能更加優(yōu)越,未來Novel Crystal Technology, Inc.還將通過改進設備結構和EPI質量提升氧化鎵的性能。

株州中車時代電氣股份有限公司的副總工程師劉國友介紹SiC功率器件技術及其在電氣化軌道交通中的應用。軌道交通需要新一代更高功率密度、更高頻率、更高連接溫度的功率化器件。軌道交通受高溫、熱壓力、高頻電壓等挑戰(zhàn),需要碳化硅器件在整流器和牽引系統(tǒng)中的高功率密度、快速轉換效率等優(yōu)勢實現(xiàn)高速、減重、環(huán)保方面的突破。劉國友總工還展示了功率電子轉換器的拓撲結構。由于運用碳化硅器件的優(yōu)勢,軌交的電性能、熱性能、機械性能都取得提升。劉國友總工表示下一代電氣化軌道交通迫切需要高電壓高電流的碳化硅應用于功率電子轉換器,以及更先進的制造和封裝工藝。

功率及化合物半導體對人類社會和科技發(fā)展影響越來越巨大,其應用涵蓋了照明、激光、成像、移動通訊、消費電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。這正是SEMICON China舉辦功率及化合物半導體國際論壇2019的價值所在。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30717

    瀏覽量

    263940
  • 功率
    +關注

    關注

    14

    文章

    2119

    瀏覽量

    75565
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    半導體功率模塊(IPM)封裝創(chuàng)新趨勢分析的詳解;

    如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 講到功率模塊,相信同行業(yè)的朋友都并不陌生。 半導體功率模塊是電力電子領域的核心組件,其本質是將多個
    的頭像 發(fā)表于 01-15 14:24 ?448次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊(IPM)封裝創(chuàng)<b class='flag-5'>新趨勢</b>分析的詳解;

    隱形失效:金屬間化合物尖刺如何“欺騙”半導體鍵合強度測試

    )時,一種隱秘的失效機制——金屬間化合物(IMC)尖刺的形成——便可能悄然發(fā)生。這種微觀結構的異常生長,不僅會改變鍵合點的力學性能,更會對常規(guī)的質量檢測方法構成挑戰(zhàn),甚至產生具有誤導性的“強度假象”。今天,就跟隨科準測
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:17 ?220次閱讀
    隱形失效:金屬間<b class='flag-5'>化合物</b>尖刺如何“欺騙”<b class='flag-5'>半導體</b>鍵合強度測試

    安森美推出垂直氮化鎵功率半導體

    GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直流過化合物半導體,能實現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開關頻率,助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車(EV)、可再生能源,以及航空航天等領域實現(xiàn)更節(jié)能、
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2184次閱讀

    新型功率半導體決勝關鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出

    化合物半導體(Compound Semiconductor,SiC/GaN)憑借優(yōu)越節(jié)能效果,已成為未來功率半導體發(fā)展焦點,預期今后幾年年復合成長率(CAGR)可達35%以上。然而,盡
    的頭像 發(fā)表于 10-26 17:36 ?1112次閱讀
    新型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>決勝關鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化鎵脫穎而出

    機器學習(ML)賦能化合物半導體制造:從源頭破局良率難題,Exensio平臺實現(xiàn)全流程精準預測

    在5G/6G通信、電動汽車(EV)功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領域,化合物半導體(SiC、GaN、GaAs等)已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而,其制造流程中——晶體生長與外延階段的隱性缺陷
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:05 ?876次閱讀
    機器學習(ML)賦能<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>制造:從源頭破局良率難題,Exensio平臺實現(xiàn)全流程精準預測

    解鎖化合物半導體制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    先進材料正在催生傳統(tǒng)硅基技術無法實現(xiàn)的創(chuàng)新突破。然而,化合物半導體制造面臨獨特挑戰(zhàn),亟需高精尖解決方案支撐。本文將深入剖析:先進數(shù)據(jù)分析與端到端
    的頭像 發(fā)表于 10-14 09:19 ?809次閱讀
    解鎖<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>制造新范式:端到端良率管理的核心力量

    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局,揭秘化合物半導體產業(yè)重構密碼

    在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅動下,化合物半導體正以"材料代際躍遷"重構全球電子產業(yè)格局。從第三代半導體氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)的規(guī)模化應用,到第四代氧化鎵(Ga2O3
    的頭像 發(fā)表于 09-30 15:44 ?1625次閱讀
    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局,揭秘<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>產業(yè)重構密碼

    核芯聚變·鏈動未來 | 2026中國光谷國際化合物半導體產業(yè)博覽會 再次啟航!開啟化合物半導體新紀元

    2026年4月23–25日,第三屆中國光谷國際化合物半導體產業(yè)博覽會(CSE 2026)將在武漢光谷科技會展中心盛大啟幕。 本屆展會以“核芯聚變·鏈動未來”為主題聚焦化合物半導體全產
    的頭像 發(fā)表于 09-22 14:31 ?1147次閱讀
    核芯聚變·鏈動未來 | 2026中國光谷國際<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>產業(yè)博覽會 再次啟航!開啟<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>新紀元

    什么是IMC(金屬間化合物

    什么是金屬間化合物(IMC)金屬間化合物(IMC)是兩種及以上金屬原子經擴散反應形成的特定化學計量比化合物,其晶體結構決定界面機械強度與電學性能。在芯片封裝中,常見的IMC產生于如金與鋁、銅與錫等
    的頭像 發(fā)表于 09-11 14:42 ?2941次閱讀
    什么是IMC(金屬間<b class='flag-5'>化合物</b>)

    功率半導體器件——理論及應用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性,有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯(lián)系起來。 書中內容由淺入深,從半導體的性質
    發(fā)表于 07-11 14:49

    三安光電第一屆第三次化合物半導體技術研討會成功舉辦

    近日,由三安學院主辦,人資中心、技術中心、總經辦協(xié)辦的三安光電第一屆第三次化合物半導體技術研討會在廈門香格里拉酒店隆重舉辦,邀請18位來自各事業(yè)部的專家發(fā)表演講,股份、各事業(yè)部/板塊領導與專家列席指導,126位專家圍繞材料、器件、制程、經營管理痛點開展深入交流。
    的頭像 發(fā)表于 06-27 17:09 ?1002次閱讀

    蘇州芯矽科技:半導體清洗機的堅實力量

    的提升筑牢根基。 兼容性更是其一大亮點。無論芯片尺寸、材質如何多樣,傳統(tǒng)硅基還是新興化合物半導體,都能在這臺清洗機下重煥光潔。還能按需定制改造,完美融入各類生產線,助力企業(yè)高效生產。 秉持綠色環(huán)保理念
    發(fā)表于 06-05 15:31

    化合物半導體器件的定義和制造工藝

    化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎,展現(xiàn)出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵(GaAs)為例,其電子遷移率高達8500cm2/V·s,本征電阻率達10?Ω·cm,是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?2595次閱讀
    <b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>器件的定義和制造工藝

    華工激光和華工正源亮相2025九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會

    近日,第三屆九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會(以下簡稱“九峰山論壇”)正式開幕。華工科技核心子公司華工激光攜全新升級的化合物半導體“激光+量測”先進裝備整體解決方案亮相展會,子公司華
    的頭像 發(fā)表于 04-29 14:15 ?1066次閱讀

    方正微電子亮相2025九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會

    此前,2025年4月23日至25日,第三屆九峰山論壇暨化合物半導體博覽會(以下簡稱“CSE”)在武漢光谷科技會展中心舉行,作為國內碳化硅三代半IDM的代表,方正微電子以“智啟未來”為主題,攜全系車規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 04-27 11:21 ?867次閱讀