頻率規(guī)劃技術(shù)可消除頻譜中的干擾雜散信號(hào)
ADI公司開發(fā)出一種頻率規(guī)劃技術(shù)，與鎖相環(huán)(PLL)設(shè)備結(jié)合使用時(shí)，可以消除輸出頻譜中的干擾雜散信號(hào)。了解該技術(shù)的詳情、優(yōu)勢(shì)以及如何使用。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ADI
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
46104瀏覽量
277085 -
pll
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
981瀏覽量
138147 -
頻率
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
1585瀏覽量
62046
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
羅德與施瓦茨 (R&S) FSW8 頻譜與信號(hào)分析儀
噪聲電平可通過選擇使用噪聲消除功能而進(jìn)一步改善13dB。用戶可確認(rèn)之前隱藏在噪底之下的極小雜散信號(hào)從而有效地優(yōu)化發(fā)射機(jī)系統(tǒng)。 * 內(nèi)置高通濾
發(fā)表于 02-26 15:01
技術(shù)資訊 I 容性耦合噪聲抑制方法如何減少串?dāng)_
本文要點(diǎn)容性耦合噪聲取決于電路中的電壓變化和耦合電容的值，其中耦合電容受兩個(gè)電路之間距離的影響。雜散電容會(huì)增大耦合電容值。如果減少或消除雜
遠(yuǎn)距離無線芯動(dòng)力，穿透干擾穩(wěn)連接——深入解讀LoRa擴(kuò)頻技術(shù)
一、什么是LoRa擴(kuò)頻？LoRa擴(kuò)頻技術(shù)是一種基于直接序列擴(kuò)頻（DSSS）的先進(jìn)無線通信技術(shù)，通過將信號(hào)頻譜擴(kuò)展至更寬的帶寬，在低功耗條件下實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離、高穿透、強(qiáng)抗
發(fā)表于 12-19 11:06
ADC采樣中如何消除電源紋波對(duì)微弱信號(hào)（<10mV）的干擾？
ADC采樣中，如何消除電源紋波對(duì)微弱信號(hào)（<10mV）的干擾？
發(fā)表于 11-24 06:10
什么是晶振的雜散電容？
什么是晶振的雜散電容？晶振的雜散電容，也叫做寄生電容，是指電路中非人為設(shè)計(jì)、由物理結(jié)構(gòu)自然產(chǎn)生的、有害的隱藏電容。它為什么重要？（影響）雜
電壓擊穿試驗(yàn)儀中微電流檢測(cè)電路的抗干擾設(shè)計(jì)與精度保證
的工頻電磁場(chǎng)、無線電信號(hào)等，通過空間輻射或線路傳導(dǎo)干擾電路。如高壓設(shè)備電磁場(chǎng)會(huì)在導(dǎo)線感應(yīng)雜散電壓，開關(guān)脈沖干擾會(huì)破壞電路穩(wěn)定。 （二）電路內(nèi)
LoRa設(shè)備發(fā)射和接收的信號(hào)相互干擾怎么辦
當(dāng)LoRa設(shè)備發(fā)射和接收的信號(hào)相互干擾時(shí)，可以采取以下措施來減少或消除這種干擾，從而提高通信的可靠性和穩(wěn)定性： 1. 頻率
是德頻譜分析儀對(duì)微波信號(hào)頻率穩(wěn)定性的測(cè)量與分析
內(nèi)置的高精度頻率合成器產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)，利用其卓越的頻譜分析功能，對(duì)微波信號(hào)的頻率穩(wěn)定性進(jìn)行評(píng)估。測(cè)量過程中
IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的
無雜散、50 MHz 至 2.1 GHz 單通道小數(shù) N 分頻頻率合成器 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()無雜散、50 MHz 至 2.1 GHz 單通道小數(shù) N 分頻頻率合成器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有無雜散、50 M
發(fā)表于 05-23 18:30
ADC采樣率與信號(hào)頻率：關(guān)鍵概念與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
系統(tǒng)能在保持高采樣率的同時(shí)，降低對(duì)數(shù)字接口的速度要求。實(shí)際應(yīng)用建議l 對(duì)于射頻中頻接收等高頻應(yīng)用，優(yōu)先關(guān)注ADC帶寬指標(biāo)l 對(duì)于傳感器信號(hào)采集，重點(diǎn)考慮采樣率與信號(hào)帶寬的關(guān)系l 使用頻率規(guī)劃
發(fā)表于 05-13 09:53
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(2)
為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況，我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)行了干預(yù)，其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間（即Lp2 與Lc1之間）加入長(zhǎng)度可調(diào)的導(dǎo)線，用試湊辦法得到期望的附加電感量。
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)
的結(jié)構(gòu)如主回路雜散電感會(huì)影響IGBT的開關(guān)特性，進(jìn)而影響開關(guān)損耗，任何對(duì)其開關(guān)性能的研究都必然建立在實(shí)驗(yàn)測(cè)試基礎(chǔ)之上，并在實(shí)際設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)化以降低變流回路雜
開關(guān)電源的共模干擾抑制技術(shù)-開關(guān)電源共模電磁干擾(EMI)對(duì)策詳解
開關(guān)電源的共模干擾抑制技術(shù)|開關(guān)電源共模電磁干擾(EMI)對(duì)策詳解 0 引言 由于MOSFET及IGBT和軟開關(guān)技術(shù)在電力電子電路中的廣泛
發(fā)表于 03-27 15:07
開關(guān)電源的共模干擾抑制技術(shù)|開關(guān)電源共模電磁干擾(EMI)對(duì)策詳解
電流的耦合路徑示意圖
圖2 提出的共模噪聲消除方法
本文以單端反激電路為例，介紹基于補(bǔ)償原理的共模干擾抑制技術(shù)在功率變換器中的應(yīng)用。圖3給出了典型單端反激變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并加入了
發(fā)表于 03-08 10:18
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論