內(nèi)存融合基礎(chǔ)架構(gòu)（MCI）的發(fā)明者M(jìn)emVerge宣布完成2450萬(wàn)美元A輪融資，本輪投資方包括高榕資本、美國(guó)光速創(chuàng)投、北極光創(chuàng)投、JVP、LDVP等投資機(jī)構(gòu)。

在現(xiàn)存的計(jì)算機(jī)中，主要通過(guò)Dram介質(zhì)來(lái)進(jìn)行讀寫(xiě)，特點(diǎn)是速度快，但是Dram必須通過(guò)電容隔一段時(shí)間刷新一次，因此數(shù)據(jù)容易丟失，與它相對(duì)應(yīng)的SSD介質(zhì)為NAND，雖然不易丟失數(shù)據(jù)但是讀寫(xiě)速度無(wú)法達(dá)到要求。所以在通用架構(gòu)下，數(shù)據(jù)是先從SSD調(diào)到內(nèi)存，然后再進(jìn)行計(jì)算，假設(shè)SSD的速度可以跟內(nèi)存一樣，那么SSD和內(nèi)存的界限就會(huì)模糊，慢慢變成一體，今后SSD迭代的一個(gè)方向即速度無(wú)限加快。一種新介質(zhì)PMEM的出現(xiàn)讓這有了實(shí)現(xiàn)的可能，MemVerge就是在搭建一套適配PMEM的、將內(nèi)存和存儲(chǔ)融合的新架構(gòu)，稱之為內(nèi)存融合基礎(chǔ)架構(gòu)（MCI）。

MemVerge聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO范承工介紹，本輪融資將用于擴(kuò)大MemVerge在硅谷的工程師、銷售和市場(chǎng)團(tuán)隊(duì)，加大研發(fā)投入，進(jìn)一步推動(dòng)MCI技術(shù)的發(fā)展。

同時(shí)，MemVerge正式發(fā)布了全球首個(gè)內(nèi)存融合系統(tǒng)的Beta版，與目前最先進(jìn)的存儲(chǔ)和計(jì)算解決方案相比，MemVerge的MCI系統(tǒng)提供了10倍的內(nèi)存容量和10倍的數(shù)據(jù)I/O速度。