場效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別

1、場效應(yīng)管中，導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運(yùn)動又有少子的漂移運(yùn)動。

2、場效應(yīng)管是通過柵極電壓uGS來控制漏極電流iD，稱為電壓控制器件；雙極型晶體管是利用基極電流iB（或射極電流iE）來控制集電極電流iC，稱為電流控制器件。

3、場效應(yīng)管的輸入電阻很大；晶體管的輸入電阻較小。

4、場效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm的值較小，雙極型晶體管的β值很大。在同等條件下，場效應(yīng)管的放大能力不如晶體管高。

5、結(jié)型場效應(yīng)管的漏極和源極可以互換使用，MOS管如果襯底沒有和源極接在一起，也可將d、s極互換使用；雙級型晶體管的c和e極互換則稱為倒置工作狀態(tài)，此時(shí)β將變得非常小。

6、場效應(yīng)管可作為壓控電阻使用。

7、場效應(yīng)管是依靠多子導(dǎo)電，因此具有較好的溫度穩(wěn)定性、抗輻射性和較低的噪聲。場效應(yīng)管還有一些缺點(diǎn)：如功率小，速度慢等。但由于它工藝簡單，易于集成，故廣泛應(yīng)用于集成電路。