上海市人民政府官網(wǎng)發(fā)布消息稱，為進(jìn)一步提升集成電路領(lǐng)域科技創(chuàng)新能力，加快突破集成電路領(lǐng)域核心關(guān)鍵技術(shù)，上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)特發(fā)布2019年度“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”集成電路領(lǐng)域項(xiàng)目指南。

該指南征集范圍包含關(guān)鍵核心產(chǎn)品技術(shù)攻關(guān)與前瞻和共性技術(shù)研究兩大專題。

關(guān)鍵核心產(chǎn)品技術(shù)攻關(guān)分為三個(gè)方向

方向1.集成電路制造裝備、材料及零部件

研究目標(biāo)：研制具有國際競爭力的重大集成電路裝備及關(guān)鍵零部件產(chǎn)品，突破和掌握集成電路制造高端裝備系統(tǒng)設(shè)計(jì)、集成和應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)，持續(xù)提升集成電路高端裝備的零部件配套能力。

研究內(nèi)容：

（1）集成電路高端裝備用關(guān)鍵零部件研發(fā)、驗(yàn)證與應(yīng)用。

（2）面向集成電路領(lǐng)域激光隱性切割技術(shù)研究與工藝驗(yàn)證。

（3）硅片晶圓標(biāo)識(shí)技術(shù)研究與驗(yàn)證

（4）高能離子注入機(jī)關(guān)鍵技術(shù)研究與樣機(jī)驗(yàn)證。

（5）10nm銅化學(xué)機(jī)械拋光液及14nm大馬士革工藝光刻膠去除劑研發(fā)。

方向2.集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)

研究目標(biāo)：突破集成電路制造工藝模塊開發(fā)和工藝整合關(guān)鍵瓶頸，掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝技術(shù)，支撐先進(jìn)工藝生產(chǎn)線建設(shè)和量產(chǎn)能力提升。

研究內(nèi)容：大面陣、高動(dòng)態(tài)CMOS圖像傳感器工藝研發(fā)提升。

方向3.核心芯片器件、模塊及其應(yīng)用

研究目標(biāo)：與汽車等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用需求緊密結(jié)合，持續(xù)推動(dòng)核心產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈上下協(xié)同創(chuàng)新，突破芯片、模塊自主設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)。

研究內(nèi)容：

（1）750V/250A以上功率等級IGBT芯片、模塊開發(fā)及新能源汽車示范應(yīng)用。

（2）高能氫注入溝槽場中止IGBT工藝開發(fā)。

（3）碳化硅功率器件、光導(dǎo)開關(guān)器件研發(fā)和應(yīng)用。

（4）車規(guī)級集成電路芯片及相應(yīng)傳感器、控制器研發(fā)并小批量試裝驗(yàn)證。

（5）面向第四代PCIe通訊的超高速時(shí)序整合芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

（6）汽車級EEPROM研發(fā)與應(yīng)用。

前瞻和共性技術(shù)研究專題，分為兩個(gè)方向

方向1.集成電路前沿理論與技術(shù)

研究目標(biāo)：面向高性能非易失存儲(chǔ)與低功耗計(jì)算的基礎(chǔ)問題，探索新材料、新結(jié)構(gòu)和新原理，實(shí)現(xiàn)超高速低功耗非易失存儲(chǔ)與計(jì)算，完成原型器件驗(yàn)證。

研究內(nèi)容：研究非易失存儲(chǔ)中的載流子微觀輸運(yùn)機(jī)制，探索其在存算一體化和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等方面的應(yīng)用。

方向2.集成電路新器件、新工藝、新方法研究

研究目標(biāo)：面向未來電子學(xué)對更多功能集成智能微系統(tǒng)芯片的重大需求，突破材料級、器件級、系統(tǒng)級一體化微納集成芯片技術(shù)，為下一代智能集成微系統(tǒng)芯片提供支撐。

研究內(nèi)容：三維異質(zhì)集成設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)研究及芯片驗(yàn)證。